28LV010
3.3V 1兆位（ 128K ×8位）
EEPROM
V
CC
V
SS
水库
OE
CE
WE
水库
A0
A6
地址
缓冲区和
LATCH
A7
A16
数据锁存器
Y译码
门控
I / O缓冲器和
输入锁存
控制逻辑时序
高压
发电机
I/O0
I/O7
RDY / BUSY
X解码器
存储阵列
逻辑图
内存
F
EATURES
:
3.3V低电压工作128K ×8位EEPROM
R
AD
-P
AK
抗辐射对自然空间
辐射
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，根据航天任务
卓越的单粒子效应：
- SEL
TH
> 84兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
> 37兆电子伏/毫克/平方厘米
2
（阅读模式）
- SEU饱和截面= 3E - 6厘米
2
（阅读模式）
- SEU
TH
= 11.4兆电子伏/毫克/平方厘米
2
（写模式）
- SEU饱和截面= 5E - 3厘米
2
（写模式）
与硬错误
??包装：
- 32引脚
AD
-P
AK
扁平封装
- 32引脚
AD
-P
AK
DIP
- JEDEC批准的字节宽的引出线
地址访问时间：
- 可用的最多200个， 250 ns的访问时间
高耐力：
- 10,000擦除/写入（在页模式下） ， 10年数据
保留
页写模式：
- 1到128个字节
自动编程
- 10毫秒自动翻页/写字节
低功耗
- 为20 mW / MHz的工作电流（典型值）。
- 72 μ W待机（最大值）
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 28LV010高密度， 3.3V ， 1兆位
EEPROM的微电路设有超过100拉德（SI ）
总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。该
28LV010能够在系统电气字节和页式的亲
grammability 。它有一个128字节的页编程功能
使其擦除和写入操作速度更快。它还具有
数据轮询和就绪/忙信号指示完井
化的擦除和编程操作。在28LV010 ，
硬件数据保护提供了RES引脚，在额外
重刑噪声保护的WE信号，并写上抑制
打开和关闭电源。同时，软件的数据保护
采用符合JEDEC标准的可选算法来实现。
该28LV010是专为在最高可靠性
苛刻的空间应用。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
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所有数据表如有变更，恕不另行通知
1
（ 858 ） 503-3300 - 传真： （ 858 ） 503-3301- www.maxwell.com
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版权所有。
3.3V 1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
T
ABLE
1. 28LV010 P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
S
YMBOL
D
ESCRIPTION
地址
输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
就绪/忙
RESET
12-5, 27, 26, 23, 25, A0-A16
4, 28, 3, 31, 2
13-15, 17-21
24
22
29
32
16
1
30
I / O0 - I / O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
RDY / BUSY
水库
28LV010
内存
T
ABLE
2. 28LV010一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
P
ARAMETER
电源电压（相对与Vss ）
输入电压（相对于Vss ）
包装重量
S
YMBOL
V
CC
V
IN
RP
RT
RD
热阻抗
工作温度范围
存储温度范围
1. V
IN
分= -3.0 V脉冲宽度< 50纳秒。
F
JC
T
OPR
T
英镑
-55
-65
M
IN
-0.6
-0.5
1
7.38
2.69
10.97
2.17
125
150
° C / W
°C
°C
T
YP
M
AX
7.0
7.0
U
NIT
V
V
克
T
ABLE
3. D
ELTA
L
IMITS1
P
ARAMETER
I
CC1
I
CC2
I
CC3A
V
ARIATION2
±10%
±10%
±10%
±10%
I
CC3B
1.参数被测量并记录为每德尔塔
MIL -STD- 883的S级设备
2.指定表6
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2
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3.3V 1兆位（ 128K ×8位） EEPROM
T
ABLE
4. 28LV010
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
RES_PIN
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0 V脉冲宽度< 50纳秒。
2. V
IH
MIN = 2.2 V的V
CC
= 3.6 V.
符号
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
T
OPR
民
3.0
-0.3
1
2.0
2
V
CC
-0.5
-55
28LV010
最大
3.6
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
+125
单位
V
V
°C
T
ABLE
5. 28LV010
APACITANCE
(T
A
= 25 ° C，F = 1MH
Z
)
P
ARAMETER
输入电容： V
IN
= 0V
1
输出电容： V
OUT
= 0V
1
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
C
OUT
M
IN
--
--
M
AX
6
12
U
NIT
内存
pF
pF
T
ABLE
6. 28LV010 DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 3.3V ± 0.3 ，T
A
= -55
TO
+125°C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
T
美东时间
C
ONDITIONS
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 3.6V
CE = V
CC
CE = V
IH
I
OUT
= 0毫安，占空比为100％ ，
周期= 1 μ s @ V
CC
= 3.3V
I
OUT
= 0毫安，占空比为100％ ，
周期= 200纳秒@ V
CC
= 3.3V
S
YMBOL
S
UBGROUPS
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
M
IN
--
--
--
--
--
--
M
AX
2
1
2
20
1
6
15
V
IL
V
IH
V
H
V
OL
V
OH
V
OH
1, 2, 3
--
2.0
2
V
CC
-0.5
--
V
CC
x 0.8
V
CC
- 0.3
0.8
--
--
0.4
--
--
V
U
NIT
A
A
A
mA
mA
输出漏电流V
CC
= 3.6V, V
OUT
= 3.6V/0.4V
输入电压
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= - 0.4毫安
I
OH
= - 0.1毫安
1.
I
LI
在RES = 100微安最大。
2. V
IH
分= 2.2V为V
CC
= 3.6V.
3. RDY / BSY为集电极开路输出。
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输出电压
3
1, 2, 3
V
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3
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T
ABLE
7. 28LV010 AC - C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION1
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址访问时间
-200
-250
芯片使能存取时间
-200
-250
输出启用访问时间
-200
-250
T
美东时间
C
ONDITIONS
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
t
CE
OE = V
IL
我们= V
IH
t
OE
CE = V
IL
我们= V
IH
t
OH
9, 10, 11
0
0
t
DF
CE = V
IL
我们= V
IH
t
DFR
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
t
RR
CE = OE = V
IL
WE = V
IH
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
0
0
9, 10, 11
--
--
S
YMBOL
t
加
S
UBGROUPS
9, 10, 11
--
--
M
IN
28LV010
M
AX
200
250
U
NIT
ns
ns
200
250
ns
110
120
ns
--
--
ns
50
50
ns
300
350
ns
525
600
输出保持到地址变更
-200
CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-250
输出禁止到高阻
2
-200
-250
输出禁止到高阻
-200
-250
RES到输出延迟
3
-200
-250
内存
1.测试条件：输入脉冲电平 - 0.4V至2.4V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载 - 1 TTL门+ 100 pF的（包括
范围和夹具） ;参考电平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2.
t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
3.通过设计保证。
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28LV010
T
ABLE
8. 28LV010 AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
E
RASE和
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 3.3V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址建立时间
-200
-250
芯片使能写建立时间（我们控制）
-200
-250
把脉冲宽度（ CE控制）
-200
-250
把脉冲宽度（我们控制）
-200
-250
地址保持时间
-200
-250
数据建立时间
-200
-250
数据保持时间
-200
-250
芯片使能保持时间（我们控制）
-200
-250
写使能写建立时间（ CE控制）
-200
-250
写使能保持时间（ CE控制）
-200
-250
输出使能写设置添
-200
-250
输出使能保持时间
-200
-250
写周期时间
1,2
-200
-250
S
YMBOL
t
AS
S
UBGROUPS
9, 10, 11
0
0
t
CS
9, 10, 11
0
0
t
CW
9, 10, 11
200
250
t
WP
9, 10, 11
200
250
t
AH
9, 10, 11
125
150
t
DS
9, 10, 11
100
100
t
DH
9, 10, 11
10
10
t
CH
9, 10, 11
0
0
t
WS
9, 10, 11
0
0
t
WH
9, 10, 11
0
0
t
OES
9, 10, 11
0
0
t
OEH
9, 10, 11
0
0
t
WC
9, 10, 11
--
--
15
15
--
--
ms
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
--
--
ns
M
IN
M
AX
U
NIT
ns
内存
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