【2兆位（ 128K ×16 256K ×8 ）低功耗BOOT BLOCK闪存系列28F200BL -】,IC型号28F200BL-T,28F200BL-T PDF资料,28F200BL-T经销商,ic,电子元器件-51电子网

2兆位（ 128K ×16 256K ×8 ）

低功耗BOOT BLOCK

闪存系列

28F200BL - T B 28F002BL - T B

低工作电压非常低

功耗便携式应用

3 0V– 3 6V

扩展温度范围

20℃至

70 C

X8 X16输入输出架构

28F200BL -T 28F200BL -B

高性能和高

集成的16位和32位的CPU

X8仅输入输出架构

28F002BL -T 28F002BL -B

对于空间受限的8位

应用

升级到英特尔的SmartVoltage

制品

优化的高密度阻止

架构

一个16 KB的保护引导块

两个8 KB参数块

一个96 KB的主座

一个128 KB的主座

顶部或底部启动位置

扩展循环能力

10000块擦除周期

自动字字节写和块

抹去

命令的用户界面

状态寄存器

擦除挂起功能

SRAM兼容写接口

自动省电功能

0 8 mA典型我

目前活跃在

静态工作

极高性能的读取

150 ns最大访问时间

65 ns最大输出使能时间

低功耗

15毫安典型的读操作工作电流

复位深度掉电输入

0 2

典型

作为复位的启动操作

写保护的引导块

硬件数据保护功能

擦除功率在写锁定

TRANSITIONS

行业标准的表面贴装

包装

28F200BL JEDEC兼容的ROM

44引脚PSOP

56引脚TSOP

28F002BL 40引脚TSOP

12V字字节写和块擦除

12V

5 ％标准

ETOX

III闪存技术

3 3V阅读

独立软件供应商支持

其他品牌和名称是其各自所有者的财产

本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或

版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定

修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表

版权

英特尔公司1995年

1995年12月

订单号290449-006

28F200BL - T B 28F002BL - T B

英特尔的2 - Mbit的低功耗闪存系列是引导块架构的扩展，其中包括

块选择性删除自动写入和擦除操作和标准的微处理器接口

2兆位闪存系列增强了引导块架构通过添加更多的密度和块

X8 X16的输入输出控制非常低的功耗非常高的速度的行业标准ROM兼容的引脚排列

和表面贴装封装的2 - Mbit的低功耗闪存系列将打开3V电池能操作的新功能

ated便携式系统，并允许轻松升级到Intel的4 - Mbit的低功耗引导块闪存

家庭

英特尔28F200BL -TB是16位宽的闪存产品，这些高密度快闪记忆体提供

对于无论是8位或16位应用程序的28F200BL - T和28F200BL - B是用户可选择的总线操作

2 097组织为任一262 144字节的152位的非易失性存储器或信息131 072字它们

提供44引脚塑料SOP和56引脚TSOP封装的X8 X16引脚排列符合行业

标准ROM EPROM引脚排列

英特尔28F002BL -TB与组织为262 144个字节的2 097 152位8位闪存

这些信息均提供40引脚TSOP封装，非常适合空间受限的便携式

系统

这些器件采用一个集成的命令用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化

字字节写和块擦除的28F200BL -T 28F002BL -T提供数据块的位置兼容

英特尔低电压MCS- 186系列的i386

i486

微处理器的28F200BL -B 28F002BL -B提供

英特尔的80960KX和80960SX家庭兼容性以及其他低电压嵌microproces-

感器

引导块包括数据保护功能，以保护关键应用有了启动代码

150 ns的最大访问时间这2兆位闪存设备都非常高性能，低功耗的回忆

其接口为各种低功耗的微处理器和微控制器深度掉电模式

降低总V

功耗为0 66

这是手持式电池供电系统等关键

作为小灵通对于使用5V电源非常高速的应用程序指的是英特尔28F200BX -TB

28F002BX - TB 2 - Mbit的引导块闪存系列数据表

英特尔的0 8微米ETOX III生产加工的2 - Mbit的低功耗闪存系列提供了世界

在2兆位密度水平一流的质量可靠性和成本效益

28F200BL - T B 28F002BL - T B

请遵循以下准则，以确保兼容性

1将杜（ WP上SmartVoltage产品），以

的控制信号或到V

或GND

2如果添加上V开关

写保护

切换到GND为完整的写保护

3允许用于连接5V到V

和断开

从线V 12V

如果需要行

产品系列概述

在整个数据表28F200BL同时指

该28F200BL -T和28F200BL - B设备和

28F002BL同时指28F002BL -T和

28F002BL - B设备的2 - Mbit的闪族是指

双方的28F200BL和28F002BL此产品

数据表包括规格为4 sep-

独的产品在2兆比特的闪存家族

部1提供的2兆位闪存的概述

内存系列，包括应用的引脚和

引脚说明第2和第3详细介绍

在特定的内存组织的28F200BL

和28F002BL产品分别第4节

结合了对家庭的原则的描述

操作最后第5节描述了家庭的

操作规范

产品系列

X8 X16产品

28F200BL-T

28F200BL-B

X8仅产品

28F002BL-T

28F002BL-B

1 2主要特点

该28F200BL 28F002BL低功耗引导块

闪存的家庭是一个非常低的功耗，非常

高性能的2兆位（ 2 097 152位）内存

家庭组织成要么128 K字（ 131 072

每16位或256 KB的话）（ 262 144

每个8位字节）

五分别可擦除块

包括

硬

洁具，可锁定引导块

（ 16 384字节）

2纸张

rameter块

（ 8每192字节），

两个主要的

块

（ 1块98 304字节和1块

131 072字节）都包含在2兆位的家庭

擦除操作擦除块5的典型之一

美云3 4秒，并在引导或参数块

在通常2 0秒独立剩下的

造块的每个块可独立擦除的

与编程10万次

引导块

位于任一顶端

(28F200BL-T

28F002BL - T）或底部

在该地址的地图（ 28F200BL -B 28F002BL - B）的

为了适应不同的微处理器亲

母育酚的启动代码的位置

硬件locka-

BLE引导块

提供了最安全的代码stor-

年龄的引导块用于存储内核

需要引导，建立一个系统当代码

RP引脚11 4V和6V 12引导块之间

是解锁，编程和擦除操作可

来执行当RP销处于或低于4 1V

引导块被锁定，编程和擦除OP-

操作，以引导块将被忽略

该28F200BL产品都可以在

ROM中的EPROM兼容的引脚排列和容纳在

44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装，

56引脚TSOP （薄型小尺寸1 2毫米

如示于图3和4的厚度）包

28F002BL产品在40引脚可用

如图5的TSOP （ 1 2毫米厚），包

该

命令用户界面（CUI ）

作为

微处理器或单片机之间的接口

控制器和28F200BL的内部操作

和28F002BL闪存产品

1设计升级到

SmartVoltage产品

今天的高容量引导块产品上调

可分级英特尔SmartVoltage引导块的精良

UCTS提供编程和擦除操作电压为5V

或12V V

而读操作电压为3V或5V V

英特尔SmartVoltage引导块产品提供

以下增强功能，以引导块产品

本数据手册描述

1 ，DU销被替换为可湿性粉剂是提供一种手段

锁定和解锁逻辑引导块显

的NAL

2 5V编程擦除操作使用证明亲

克和擦除技术与5V

10 ％ AP-

合股到V

3增强电路，在3 3V优化性能

请参考2 4或8兆比特SmartVoltage引导块

闪存数据表的完整规格

系统蒸发散

当你设计采用12V V

引导块产品

你应该提供的功能在你的DE-板

签署升级到SmartVoltage产品

28F200BL - T B 28F002BL - T B

编程和擦除自动化

让程序

并用双执行擦除操作

写命令序列的崔内部

写状态机（ WSM ）自动执行

算法和必要的程序定时

和擦除操作，包括核查there-

通过unburdening微处理器或microcontrol-

内存数据写入LER在词或进行

为28F200BL家庭和一个字节一个字节的增量

通常在递增的28F002BL家庭

该

状态寄存器（ SR ）

显示的状态

WSM以及是否WSM顺利完成

所需的程序或擦除操作

最大访问时间

150纳秒（T

加

)

实现

在商用温度范围（ 0℃至

70℃ ）以上V

电源电压范围（ 3 0V到

3 6V 4 5V至5 5V）和为50 pF输出负载

项目目前为40毫安运行X16

30毫安X8操作我

擦除电流

30毫安最大V

擦除和编程

电压为4V 11到12 6V （V

12V

5 ％），非

明镜所有工作条件

典型的我

的15 mA工作电流

实现

对于x16的产品和x8的产品

2兆位闪存系列还设计有一个非盟

tomatic省电（ APS ）功能，以尽量减少

系统的电池电流消耗，并允许极

低功耗设计一旦设备被接入到

读阵列数据APS模式将立即把

在经营模式，静态存储器在哪里

有功电流通常为0 8毫安直到下一个读

启动

当CE和RP引脚在V

和

BYTE引脚（ 28F200BL只）是在任V

或GND

该

CMOS待机

模式被使能，其中

通常

深度掉电模式

启用时，

RP引脚为地降低功耗

并在上电期间提供写保护CON-

ditions

当前

在深度掉电模式

0 20

典型

的初始最大存取时间

或复位600 ns的时间从RP是必需的

切换到输出有效等价的

设备具有为1的最大的唤醒时间

直到

写入命令的用户界面是recog-

的发布当RP是在地面WSM是重置

状态寄存器被清零，而整个装置是

被写入此功能保护预

通风口数据损坏，保护存储的代码

在系统上电时器件复位系统复位

引脚可连接到RP重置内存去甲

发作时启动复位引脚的阅读模式

当CPU进入复位模式，预计读

一个存储器位置的内容。此外

与片内程序擦除自动化的

2 - Mbit的家庭和亲数据的RP功能

在CPU后tection被复位，即使一个程序

或擦除命令发出后，设备将不会市盈率

ognize任何操作，直到RP返回到其正常

状态

对于28F200BL字节宽度或字宽在 -

把输出控制

可以通过控制

BYTE引脚当BYTE引脚为逻辑低电平

该装置是在字节宽模式的（x8）和数据是

读取并通过DQ 0 7写在字节级

宽屏幕模式DQ 8月14日处于三态和DQ

成为最低阶地址引脚当

BYTE引脚处于逻辑高的装置是在

字宽模式（ X16 ），数据被读取和写入

通过DQ 0 15

1 3应用

2- Mbit的低功耗引导块闪存fami-

LY结合了高密度3V操作高性

formance成本效益与嵌段闪速存储器

荷兰国际集团和硬件保护功能，其灵活性

和通用性会降低整个成本的精良

UCT生命周期Flash存储器非常适合刚刚好时间

生产流程降低系统库存和

成本和消除过程中处理组件

生产阶段在产品生命周期

当代码更新或增强功能如下─

来到必要闪存将减少向上

日期成本通过允许任何一个用户执行的代码

通过软盘或通过远程代码的变化而变化

串行链路的2兆位引导块闪速存储器

系列提供了全功能受阻快闪记忆体

适用于广泛范围的应用，这些AP-

并发症包括：

扩展PC的BIOS手持Digi-

TAL蜂窝电话

程序和数据的存储和

其他各种便携式嵌入式应用

程序和数据的存储要求

可重新编程的系统，如笔记本电脑和

掌上电脑是理想的应用

2 - Mbit的低功耗闪存产品便携和han-

dheld个人计算机的应用程序正变得

更复杂的除了电源管理的

换货软件利用最新的微

处理器技术的可用性的基于ROM的

电子应用软件手写板代码

笔迹和诊断代码。图1示出了

例如28F200BL -T的应用

这增加了软件的复杂垫片

一个代码更新将被要求的概率

后PC在出厂时， 2 - Mbit的低功耗闪存

内存产品提供了一种廉价的所谓更新

28F200BL - T B 28F002BL - T B

lution的笔记本电脑和手持式个人的COM

计算机，同时延长其产品生命周期进一

thermore 2兆位闪存产品的深

掉电模式提供了更大的灵活性

它重新这些电池供电的便携式设计

在极低的功率电平叠纸操作

2- Mbit的低功耗闪存产品还提供

对于手持数字蜂窝优秀的设计解决方案

需要高密度存储的手机应用程序

再加上低电压高性能功能

年龄的操作和很小的外形封装（ x8-

仅总线）的2 - Mbit的的封锁计划，允许

一个简单的分割嵌入代码

硬件保护的引导代码2主16字节

程序代码块和2块参数

每个8 KB用于频繁更新的数据存储

和诊断信息（例如电话号码非盟

thorization码）图2是这样的一个例子

应用与28F002BL -T的

这些是宽范围的几个实际例子

为2 - Mbit的低功耗引导块的应用

闪存系列使系统设计 -

雇员再培训计划，以实现最佳的产品设计

只有你的想象力限制了这种适用

一个多才多艺的低功耗产品系列

290449– 6

图1 28F200BL -T接口英特尔386

EX嵌入式处理器

290449– 22

图2 28F002BL -T接口的INTEL 80L188EB低电压8位嵌入式微处理器