28C256T
256K EEPROM （ 32K ×8位）
EEPROM
V
CC
GND
数据输入/输出
I / O0 - I / O7
OE
WE
CE
OE ，CE ，我们
逻辑
数据锁存器
输入/输出
缓冲器
Y型GATING
细胞矩阵
Y译码
地址
输入
X解码器
鉴定
逻辑图
内存
F
EATURES
:
R
AD
-P
AK
抗辐射对自然空间辐射
化
总剂量硬度：
- > 100拉德（SI ） ，依赖于太空任务
卓越的单粒子效应：
- SEL
TH
LET ： > 120兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET （读取模式）： > 90兆电子伏/毫克/平方厘米
2
- SEU
TH
LET （写模式） ： > 18兆电子伏/毫克/平方厘米
2
??包装：
- 28引脚
AD
-P
AK
扁平封装
- 28引脚
AD
-P
AK
DIP
- JEDEC批准字节宽的引脚
高速：
- 提供最高120 ， 150 ns访问时间
高耐力：
- 10,000擦除/写入（在页模式下） ， 10年数据
保留
页写模式：
- 1至64个字节
低功耗：
- 15毫安有功电流（周期= 1 μ S）
- 20 μA待机电流（CE = V
CC
)
D
ESCRIPTION
:
麦克斯韦技术“ 28C256T高密度256K位
EEPROM的微电路设有超过100拉德（SI ）
总剂量耐受性，取决于航天飞行任务。该
28C256T是能够在系统电字节和页亲
grammability 。它有一个64字节的页编程功能
使其擦除和写入操作速度更快。它还具有
数据查询来表示完成擦除和编程的
明操作。
麦克斯韦技术的专利
AD
-P
AK
封装技
术采用辐射屏蔽的微电路封装
年龄。它省去了盒屏蔽，同时提供
所需的辐射屏蔽在轨道上或空间一生
使命。在地球同步轨道上，R
AD
-P
AK
提供大于100
拉德（ Si）的辐射剂量耐受性。本产品可
与筛选来上课S.
02年2月18日第5版
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1
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256K EEPROM （ 32K ×8位） EEPROM
T
ABLE
1. 28C256T P
INOUT
D
ESCRIPTION
P
IN
*10-3, 25, 24,
21, 23, 2, 26, 1
11-13, 15-19
22
20
27
28
14
S
YMBOL
A0-A14
I/O0-I/O7
OE
CE
WE
V
CC
V
SS
D
ESCRIPTION
地址
输入/输出
OUTPUT ENABLE
芯片使能
写使能
电源
地
28C256T
*请参阅图上的第1脚的关系。
T
ABLE
2. 28C256T一
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
内存
P
ARAMETER
电源电压（相对于V
SS
)
输入电压（相对于V
SS
)
工作温度范围
2
存储温度范围
1. V
IN
= -3.0 V脉冲宽度> 50纳秒。
2.包括电特性和数据保持。
S
YMBOL
V
CC
V
IN
T
OPR
T
英镑
M
IN
-0.6
-0.5
1
-55
-65
M
AX
7.0
7.0
125
150
U
尼特
V
V
°
C
°
C
T
ABLE
3. 28C256T
ELTA
L
IMITS
P
ARAMETER
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3A
I
CC
3B
V
ARIATION
±10%
±10%
±10%
±10%
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256K EEPROM （ 32K ×8位） EEPROM
T
ABLE
4. 28C256T
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
P
ARAMETER
电源电压
输入电压
S
UBGROUPS
1
1
1
1
热阻抗 - 扁平封装
热阻抗 - DIP封装
工作温度范围
1. V
IL
分= -1.0V脉冲宽度< 50纳秒。
1
1
1
S
YMBOL
V
CC
V
IL
V
IH
V
H
M
IN
4.5
-0.3
1
2.2
V
CC
-0.5
--
--
-55
28C256T
M
AX
5.5
0.8
V
CC
+0.3
V
CC
+1
0.87
0.86
125
U
尼特
V
V
V
V
° C / W
° C / W
°
C
Θ
JC
Θ
JC
T
OPR
T
ABLE
5. 28C256T
APACITANCE
1
(T
A
= 25
°
C，F = 1兆赫）
P
ARAMETER
输入电容： V
IN
= 0V
1
输出电容： V
OUT
= 0V
1
1.设计保证。
S
YMBOL
C
IN
C
OUT
M
IN
--
--
M
AX
6
12
U
尼特
pF
pF
内存
T
ABLE
6. 28C256T DC ê
LECTRICAL
C
极特
(V
CC
= 5 V± 10 ％ ，T
A
= -55
TO
+125
°
C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
输入漏电流
输出漏电流
待机V
CC
当前
工作V
CC
当前
C
ONDITIONS
V
CC
= 5.5 V, V
IN
= 5.5 V
V
CC
= 5.5 V, V
OUT
= 5.5 V/0.4 V
CE = V
CC
CE = V
IH
I
OUT
= 0 mA时占空比= 100 ％
V
CC
= 5.5 V周期= 1美元
I
OUT
= 0毫安占空比= 100 ％
V
CC
= 5.5 V周期= 150纳秒
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
LO
= 2.1毫安
I
OH
= -400微安
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
V
IL
V
IH
V
H
V
OL
V
OH
S
UBGROUPS
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
1, 2, 3
S
YMBOL
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
CC3
M
IN
--
--
--
--
--
--
--
2.2
V
CC
-0.5
--
2.4
M
AX
2
2
20
1
15
50
0.8
--
--
0.4
--
V
V
V
V
V
U
尼特
uA
uA
uA
mA
mA
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256K EEPROM （ 32K ×8位） EEPROM
28C256T
T
ABLE
7. 28C256T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
R
EAD
O
PERATION1
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址访问时间CE = OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
CE到输出的延迟OE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
OE为输出延迟CE = V
IL
我们= V
IH
-120
-150
从地址CE = OE = V输出保持
IL
我们= V
IH
-120
-150
OE （ CE）高到输出浮法CE = V
IL
我们= V
IH 2
-120
-150
S
UBGROUPS
9, 10, 11
S
YMBOL
t
加
--
--
9, 10, 11
t
CE
--
--
9, 10, 11
t
OE
0
0
9, 10, 11
t
OH
0
0
9, 10, 11
t
DF
0
0
50
50
--
--
ns
75
75
ns
120
150
ns
120
150
ns
M
IN
M
AX
U
尼特
ns
内存
1.
测试条件：输入脉冲电平 - 0V到3V ;输入上升和下降时间< 20纳秒;输出负载 - 1 TTL门+ 100 pF的（包括范围和夹具） ; REF-
erence水平测量时序 - 0.8V / 1.8V 。
2. t
DF
和T
DFR
被定义为在其输出成为一个开放电路和数据将不再被驱动的时间。
T
ABLE
8. 28C256T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGE
/B
YTE
E
RASE和
W
RITE
O
PERATIONS
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
地址建立时间
-120
-150
CE写建立时间
-120
-150
WE写建立时间
-120
-150
我们认为时间
-120
-150
S
UBGROUPS
S
YMBOL
t
AS
M
IN1
0
0
t
CS 2
T
YP
--
--
M
AX
--
--
ns
0
0
t
WS 3
--
--
--
--
ns
0
0
t
WH 3
0
0
--
--
--
--
--
--
ns
U
尼特
ns
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
9, 10, 11
02年2月18日Rev5
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256K EEPROM （ 32K ×8位） EEPROM
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，T
A
= -55
TO
125 °C
除非另有说明
)
P
ARAMETER
WE脉冲宽度
-120
-150
CE脉冲宽度
-120
-150
地址保持时间
-120
-150
数据建立时间
-120
-150
数据保持时间
-120
-150
芯片使能保持时间
2
-120
-150
输出使能写建立时间
-120
-150
输出使能保持时间
-120
-150
数据锁存时间
4
-120
-150
写周期时间
-120
-150
字节加载窗口
4
-120
-150
字节负载循环
4
-120
-150
写开始时间
-120
-150
1.
2.
3.
4.
在一个较长的周期大于该值，请使用此设备。
我们控制操作。
CE控制操作。
未经测试。
02年2月18日Rev5
28C256T
S
YMBOL
t
WP 2
200
250
t
CW 3
200
250
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
230
280
--
--
100
100
--
--
--
--
--
--
ns
150
150
--
--
ns
75
100
--
--
ns
10
10
--
--
ns
0
0
--
--
ns
0
0
--
--
ns
0
0
--
--
ns
--
--
--
--
ms
--
--
10
10
us
--
--
--
--
us
0.55
0.55
30
30
ns
150
150
--
--
--
--
--
--
M
IN1
T
YP
M
AX
U
尼特
ns
T
ABLE
8. 28C256T AC ê
LECTRICAL
C
极特FOR
P
AGE
/B
YTE
E
RASE和
W
RITE
O
PERATIONS
S
UBGROUPS
9, 10, 11
9, 10, 11
t
AH
9, 10, 11
t
DS
9, 10, 11
t
DH
内存
9, 10, 11
t
CH
9, 10, 11
t
OES
9, 10, 11
t
OEH
9, 10, 11
t
DL
9, 10, 11
t
WC
9, 10, 11
t
BL
9, 10, 11
t
BLC
9, 10, 11
t
DW
所有数据表如有变更，恕不另行通知
5
2001麦克斯韦技术
版权所有。
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