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废弃的设备
27C256
256K （ 32K ×8 ） CMOS EPROM
特点
高速性能
- 90 ns的访问时间内，
CMOS技术的低功耗
- 20毫安有功电流
- 100
A
待机电流
工厂编程可用
自动插入兼容的塑料封装
自动识别辅助自动化编程
独立的芯片使能和输出使能控制
高速“快车”规划算法
有组织的32K ×8 ： JEDEC标准引脚
- 28脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
- 28引脚SOIC封装
- 磁带和卷轴
数据保留和GT ; 200年
适用于以下温度范围：
- 商业：
0 ° C至+ 70°C
- 工业：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车：
-40°C至+ 125°C
封装类型
PLCC
32
31
30
4
3
2
1
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
O0
A7
A12
V
PP
NU
VCC
A14
A13
5
6
7
29
28
27
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
26
25
24
23
22
21
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
O7
O6
DIP / SOIC
V
PP
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
O0
O1
O2
V
SS
O1
O2
V
SS
NU
O3
O4
O5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
27C256
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
描述
Microchip的27C256是一款CMOS
256K位电可编程只读存储器
（EPROM） 。该设备被组织成32K字×8
位（ 32K字节）。访问从单个字节
地址转换或电（芯片使能引脚
要低）来完成在小于90纳秒。这很
高速器件允许的最先进的微
处理器以全速而不需要运行
等待状态。 CMOS的设计和加工使
在系统中使用该部分，其中降低的功率
消耗和可靠性的要求。
包的一个完整的家庭提供提供
最灵活性的应用。对于表面安装应用程序
阳离子， PLCC ，或SOIC封装提供。胶带
和卷轴包装也可用于PLCC和SOIC
包。
V
CC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
O7
O6
O5
O4
O3
27C256
2004年Microchip的科技公司
DS11001N第1页
27C256
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1：
名字
A0-A14
CE
OE
V
PP
O0 - O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
编程电压
数据输出
+ 5V电源
地
无连接;无内部连接
化
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
........ -0.6V至+ 7.25V
V
PP
电压w.r.t. V
SS
中
编程....................................... -0.6V至+ 14.0V
在A9 w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
................- 0.6V至V
CC
+1.0V
储存温度..........................- 65°C至+ 150°C
环境温度。电源采用.....- 65 ° C至+ 125°C
*注：超出上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读操作DC特性
V
CC
= +5V (±10%)
商业：
工业：
扩展的（汽车） ：
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
条件
参数
输入电压
输入漏
输出电压
输出漏
输入电容
输出电容
电源电流，
活跃
部分*
所有
所有
所有
所有
所有
所有
C
I，E
状态
逻辑"1"
逻辑"0"
—
逻辑"1"
逻辑"0"
—
—
—
TTL输入
TTL输入
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
LO
C
IN
C
OUT
I
CC1
I
CC2
分钟。
2.0
-0.5
-10
2.4
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
0.45
单位
V
V
A
V
V
A
pF
pF
mA
mA
V
IN
= 0至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= 0V至V
CC
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
V
OUT
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
V
CC
= 5.5V; V
PP
= V
CC
F = 1兆赫;
OE = CE = V
IL
;
I
OUT
= 0 mA时;
V
IL
= -0.1 0.8V ;
V
IH
= 2.0 V
CC
;
注1
-10
—
—
—
—
10
6
12
20
25
电源电流，
待机
I
PP
读电流
V
PP
读取电压
C
I，E
所有
所有
所有
TTL输入
TTL输入
CMOS输入
读取模式
读取模式
I
CC
(
S
)
—
2
3
100
100
V
CC
mA
mA
A
A
V
CE = V
CC
±
0.2V
V
PP
= 5.5V
I
PP
V
PP
V
CC
-0.7
*配件： C =商业级温度范围; I， E =工业级和扩展级温度范围
注1 ：典型有源电流增加每MHz 0.75毫安到工作频率为所有的温度范围内。
DS11001N第2页
2004年Microchip的科技公司
27C256
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升和下降时间：
环境温度：
V
IH
= 2.4V和V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
10纳秒
商业：
环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
工业：
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
汽车：
环境温度Tamb = -40 ° C至+ 125°C
单位条件
民
地址输出
延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
CE或OE ，以O / P
高阻抗
从输出保持
地址CE或OE ，
去哪个科幻RST
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
—
—
0
0
最大
90
90
40
30
—
民
—
—
—
0
0
最大
100
100
45
30
—
民
—
—
—
0
0
最大
120
120
55
35
—
民
—
—
—
0
0
最大最小
150
150
65
50
—
—
—
—
0
0
最大
200
200
75
55
—
ns
ns
ns
ns
ns
CE = OE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
27C256-90* 27C256-10* 27C256-12 27C256-15 27C256-20
参数
符号
* -10 ， -90 AC测试波形： V
IH
= 2.4V和V
IL
= .45V; V
OH
= 1.5V和V
OL
= 1.5V
输出负载： 1 TTL负载+ 30pF的
图1-1：
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
读操作波形
地址有效
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
V
OH
V
OL
t
加
t
OE(2)
高Z
t
OFF(1,3)
t
OH
有效的输出
高Z
输出
O0 - O7
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
（3 ）该参数进行采样，不是100％的测试。
CE
2004年Microchip的科技公司
DS11001N第3页
27C256
表1-4：
编程直流特性
环境温度：环境温度Tamb = 25°C
±
5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V, V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25V
参数
输入电压
输入漏
输出电压
V
CC
目前，节目&验证
V
PP
目前，项目
A9产品Identi网络阳离子
状态
Logic”1”
Logic”0”
—
Logic”1”
Logic”0”
—
—
—
符号
V
IH
V
IL
I
LI
V
OH
V
OL
I
CC2
I
PP2
V
H
民
2.0
-0.1
-10
2.4
0.45
—
—
11.5
20
25
12.5
马克斯。
V
CC
+1
0.8
10
单位
V
V
A
V
V
mA
mA
V
V
IN
= 0V至V
CC
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
注1
注1
条件
注1 ： V
CC
必须同时或V前申请
PP
同时或V后取出
PP
表1-5 ：
编程交流特性
AC测试波形： V
IH
= 2.4V和V
IL
=0.45V; V
OH
=2.0V; V
OL
=0.8V
输出负载：
1 TTL负载+ 100pF的
环境温度：环境温度Tamb = 25°C
±
5°C
V
CC
= 6.5V
±
0.25V, V
PP
= V
H
= 13.0V
±
0.25V
符号
t
AS
t
DS
t
DH
t
AH
t
DF
t
VCS
t
PW
t
CES
t
OES
t
VPS
t
OE
分钟。
2
2
2
0
0
2
95
2
2
2
—
马克斯。
—
—
—
—
130
—
105
—
—
—
100
单位
s
s
s
s
ns
s
s
s
s
s
ns
100
s
典型
备注
对于方案，方案验证
和编程禁止模式
参数
地址建立时间
数据建立时间
数据保持时间
地址保持时间
浮动延迟（ 2 ）
V
CC
建立时间
节目脉冲宽度（ 1 ）
CE建立时间
OE建立时间
V
PP
建立时间
数据有效的OE
注1 ：对于快递的算法，最初的规划宽度公差为100
s ±5%.
2 ：该参数只采样，而不是100 ％测试。输出FL燕麦是德网络定义为点数据不
不再被驱动（见时序图） 。
DS11001N第4页
2004年Microchip的科技公司
QQ：2880707522 复制
