28C04A
4K （ 512 ×8 ）的CMOS EEPROM
特点
快速读取访问时间150纳秒
CMOS技术的低功耗
- 30毫安活动
- 100
待机
快速字节写入时间-200
s或1毫秒
数据保留>200年
耐力 - 最低10
4
擦/写周期
- 自动写操作
- 内部控制定时器
- 自动清除写入操作之前
- 片内地址和数据锁存器
- 数据查询
芯片清零操作
增强的数据保护
- V
CC
探测器
- 脉冲滤波器
- 写保护
5伏，只有操作
有组织512x8 JEDEC标准引脚
- 24引脚双列直插式封装
- 32引脚PLCC封装
可扩展工作温度范围：
- 商业： 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
封装类型
DIP
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
A8
NC
WE
OE
NC
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
32
VCC
31
WE
18
19
28C04A
2
NC
1
NU
4
A7
3
NC
PLCC
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
30
NC
29
A8
28
NC
27
NC
26
NC
25
OE
24
NC
23
CE
22
I/O7
21
I/O6
20
28C04A
14
15
16
引脚1指示灯PLCC封装在顶部
框图
I/O0
I/O7
描述
Microchip Technology Inc.的28C04A是CMOS 4K
非易失性电可擦除可编程
只读存储器（EEPROM） 。该28C04A是
如同一个静态RAM的读或写周期的存取
无需外部元件的需要。在一
“写字节” ，地址和数据被内部锁存，
释放微处理器的地址和数据总线，用于
其他操作。下面写周期的开始，
该设备将进入忙碌状态，并自动
清楚和使用内部CON-写入锁存的数据
控制定时器。要确定当写周期完成，
在28C04A使用数据轮询。数据轮询允许
用户读取上次写入时的写入位置的
操作完成。 CMOS的设计和加工
使得能够在系统中使用该部分，其中减少
电力消耗和可靠性是必需的。一个COM
完整的家庭套餐中提供提供最大
灵活性的应用。
V
SS
V
CC
CE
OE
WE
数据保护
电路
CHIP ENABLE /
OUTPUT ENABLE
控制逻辑
自动擦除/写
定时
I/O1
I/O2
VSS
NU
I/O3
I/O4
I/O5
17
数据
调查
输入/输出
缓冲器
编程电压
GENERATION
A0
L
a
t
c
h
e
s
A8
Y
解码器
门控
X
解码器
4K位
细胞矩阵
1996年Microchip的科技公司
DS11126F第1页
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
28C04A
1.0
1.1
电气特性
最大额定值*
表1-1：
名字
A0 - A8
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
V
CC
V
SS
NC
NU
引脚功能表
功能
地址输入
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
+ 5V电源
地
无连接;无内部连接
未使用;无需外部连接是
允许
V
CC
与输入电压w.r.t. V
SS
....... -0.6V至+ 6.25V
在OE w.r.t.电压V
SS
...................... -0.6V至+ 13.5V
输出电压w.r.t. V
SS
.................- 0.6V至V
CC
+0.6V
储存温度.......................... -65C至+ 125C
环境温度。电源采用....... -50℃至+ 95℃
*注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件的操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值CON-
ditions长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
读/写操作直流特性
V
CC
= +5V
±
10%
商业（ C） ：环境温度Tamb =
产业
（Ⅰ） ：环境温度Tamb =
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
条件
参数
输入电压
输入漏
输入电容
输出电压
输出漏
输出电容
电源电流，有功功率
电源电流，待机
状态
逻辑“1”的
逻辑“0”的
符号
V
IH
V
IL
I
LI
C
IN
民
2.0
-0.1
-10
最大
V
CC
+1
0.8
10
10
单位
V
V
A
pF
V
V
A
pF
mA
mA
mA
A
V
IN
= -0.1V到V
CC
+1
V
IN
= 0V ;环境温度Tamb = 25°C ;
F = 1 MHz的
I
OH
= -400
A
I
OL
= 2.1毫安
V
OUT
= -0.1V
TO
V
CC
+ 0.1V
V
IN
= 0V ;牛逼
AMB
= 25C;
F = 1 MHz的
F = 5兆赫（注1）
V
CC
= 5.5V
CE = V
IH
（ 0 ° C至+ 70 ° C）
CE = V
IH
（ -40 ° C至+ 85°C ）
CE = V
CC
-0.3 VCC + 1
逻辑“1”的
逻辑“0”的
V
OH
V
OL
I
LO
C
OUT
2.4
0.45
-10
10
12
30
2
3
100
TTL输入
I
CC
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
TTL输入
I
CC
(
S
)
TTL
CMOS输入I
CC
(
S
)
CMOS
注1 ：交流电源电流5MHz以上; 1毫安/ MHz的。
DS11126F第2页
1996年Microchip的科技公司
28C04A
表1-3：
读操作交流特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升和下降时间：
环境温度：
28C04A-15
参数
地址输出延迟
CE到输出延迟
OE为输出延迟
行政长官OE高输出的浮动
从地址，CE输出保持
或OE ，先到为准科幻RST
耐力
符号
民
t
加
t
CE
t
OE
t
关闭
t
OH
—
0
0
1M
—
最大
150
150
70
50
0
0
1M
—
民
最大
200
200
80
55
0
0
1M
—
民
最大
250
250
100
70
ns
ns
ns
ns
ns
25次
°
C， VCC =
5.0V座
模式（注）
OE = CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至+ 85°C
28C04A-20
28C04A-25
单位
条件
注：此参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
化，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
图1-1：
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE
V
IL
读操作波形
地址有效
t
CE(2)
V
IH
OE
V
IL
V
OH
数据
V
OL
WE
V
IH
V
IL
注：（1 ）T
关闭
被指定为OE或CE ，以先到为准
（ 2 ） OE可能会延迟到t
CE
- t
OE
CE没有对T的影响下降沿后
CE
（3 ）该参数进行采样，不是100 ％的测试
t
加
t
OFF(1,3)
t
OE(2)
高Z
t
OH
有效的输出
高Z
1996年Microchip的科技公司
DS11126F第3页
28C04A
表1-4：
字节写AC特性
AC测试波形：
输出负载：
输入上升/下降时间：
环境温度：
参数
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
把脉冲宽度
写脉冲高电平时间
OE保持时间
OE建立时间
数据有效时间
写周期时间（ 28C04A ）
写周期时间（ 28C04AF ）
符号
t
AS
t
AH
t
DS
t
DH
t
WPL
t
WPH
t
OEH
t
OES
t
DV
t
WC
t
WC
民
10
50
50
10
100
50
10
10
1000
1
200
V
IH
= 2.4V; V
IL
= 0.45V; V
OH
= 2.0V; V
OL
= 0.8V
1 TTL负载+ 100 pF的
20纳秒
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0 ° C至70℃
产业
（ I） ：环境温度Tamb = -40 ° C至85°C
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
s
注2
0.5毫秒的典型
100
典型
注1
备注
注1 ：在写周期可以启动具有CE或WE变低，最后的为准。该数据被锁存的POS-
CE或WE的可持续的竞争优势，以先到为准科幻RST 。
2 ：数据必须在最大1000ns最大有效。之后开始写周期，并且必须是稳定的，至少直到吨
DH
后
WE或CE的上升沿，以先到为准科幻RST 。
图1-2：
编程波形
V
IH
地址
V
IL
V
IH
CE， WE
V
IL
t
DV
DATA IN
V
IH
V
IL
t
OES
V
IH
OE
V
IL
t
OEH
t
DS
t
AS
t
AH
t
WPL
t
DH
DS11126F第4页
1996年Microchip的科技公司
