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STL26NM60N
N沟道600 V ， 0.160
Ω
19的PowerFLAT 8x8的HV
,
超低栅极电荷的MDmesh II 功率MOSFET
特点
订货编号
STL26NM60N
V
DSS
@
T
JMAX
650 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.185
Ω
I
D
19 A
(1)
1.值根据R级
THJ情况
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这个设备是一个N沟道的MDmesh V功率
基于创新的专利MOSFET
垂直处理技术，它是组合
与意法半导体的知名
的PowerMESH 水平布局结构。该
所得产品具有极低的导通
电阻，这是其中硅无与伦比
基于功率MOSFET ，使其特别
适合应用需要卓越
功率密度和效率出众。
表1中。
设备简介
记号
26NM60N
包
PowerFLAT 的8x8 HV
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL26NM60N
2011年11月
文档ID 18472第2版
1/14
www.st.com
14
目录
STL26NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
文档ID 18472第2版
STL26NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D(2)
P
TOT （2）
P
TOT(1)
I
AR
E
AS
dv / dt的
(3)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
AMB
= 25 °C
漏电流（连续）在T
AMB
= 100 °C
价值
600
± 25
19
12
2.7
1.7
10.8
3
125
7.5
400
15
- 55 150
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
A
mJ
V / ns的
°C
°C
I
DM(2),(3)
漏电流（脉冲）
总功耗在T
AMB
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
1.值根据R级
THJ情况
2.当安装在FR-4板英寸2的， 2盎司铜
3. I
SD
≤
19 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DS高峰
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
热数据
参数
热阻结案件最大
价值
0.83
45
单位
° C / W
° C / W
R
thj-amb(1)
热阻结- AMB最大
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
文档ID 18472第2版
3/14
电气特性
STL26NM60N
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
600
1
100
100
3
4
0.160
5
0.185
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
V
DS
= 600 V
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 600 V ，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
oss(eq)(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
1800
115
1.1
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 480 V ，V
GS
= 0
-
310
-
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 19 A,
V
GS
= 10 V
（见
图14）
-
2.8
60
8.5
30
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
1. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/14
文档ID 18472第2版
STL26NM60N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 10 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图15），
（见
图18）
分钟。
典型值。
13
25
85
50
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 19 A，V
GS
= 0
I
SD
= 19 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V（见
图15）
I
SD
= 19 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（见
图15）
测试条件
分钟。
-
-
-
370
5.8
31.5
450
7.5
32.5
典型值。
MAX 。 UNIT
19
76
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 18472第2版
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