25LC1024
1兆位的SPI总线串行EEPROM
器件选型表
产品型号
25LC1024
V
CC
范围
2.5-5.5V
PAGE SIZE
256字节
温度。范围
I，E
套餐
P， SM ， MF
产品特点：
20 MHz的最大。时钟速度
字节和页级写操作：
- 256字节页
- 6 ms（最大值） 。写周期时间
- 无需页或扇区擦除
低功耗CMOS技术：
- 最大。写电流5mA电压为5.5V ， 20MHz的
- 读电流：7毫安5.5V ， 20MHz的
- 待机电流： 1A在2.5V
（深度掉电）
电子签名的设备ID
自定时擦写周期：
- 页擦除（ 6 ms以下。 ）
- 扇区擦除（最大10 ms ）
- 芯片擦除（最大10 ms ）
扇区写入保护（ 32K字节/扇区） ：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
高可靠性：
- 耐力： 1M擦除/写周期
- 数据保存： >200年
- ESD保护： >4000V
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
无铅并符合RoHS标准
描述：
Microchip Technology Inc.的25LC1024是1024
Kbit的串行EEPROM存储器的字节级和页面级
电平的串行EEPROM功能。此外，它还采用页，
部门和芯片擦除功能通常关联
与基于Flash的产品。这些功能都没有
所需的字节或页写操作。内存
通过一个简单的串行外设接口进行访问
（SPI）兼容的串行总线。所需的总线信号
有一个时钟输入端（SCK） ，独立的数据中（SI）和
数据输出（SO ）线。对设备的访问控制
通过片选（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。
该25LC1024是标准的封装
包括8引脚PDIP和SOIJ ，以及先进的8引脚
DFN封装。所有器件均无铅。
封装类型（不按比例）
DFN
（ MF）
25LC1024
CS 1
SO 2
WP 3
V
SS
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP / SOIJ
（P ， SM ）
25LC1024
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
2008 Microchip的技术公司
DS22064C第1页
25LC1024
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
分钟。
.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
V
CC
-0.2
—
—
—
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
V
CC
+1
0.3 V
CC
0.2 V
CC
0.4
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS
或V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 20.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 10.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
测试条件
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
符号。
V
IH1
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D009
I
CC
读
工作电流
—
—
10
5
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
D010
D011
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
7
5
20
12
D012
I
CCSPD
深度掉电
当前
—
—
1
2
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS22064C第2页
2008 Microchip的技术公司
25LC1024
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
时钟频率
CS建立时间
CS保持时间
CS禁用时间
数据建立时间
数据保持时间
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出低电平有效。
输出保持时间
输出禁止时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出有效
CS高到待机模式
CS高到深加电
下
芯片擦除周期时间
扇区擦除周期时间
内部写周期时间
分钟。
—
—
25
50
50
100
50
5
10
10
20
—
—
25
50
25
50
50
50
—
—
0
—
—
10
20
10
20
15
30
15
30
—
—
—
—
—
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
20
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
20
—
—
—
—
—
—
25
50
—
25
50
—
—
—
—
—
—
—
—
100
100
10
10
6
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ms
ms
ms
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
条件
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
—
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
（注1 ）
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
—
—
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
≤
5.5V （ I）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V （ I， E）
—
—
—
—
字节或页模式和页
抹去
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号。
F
CLK
T
CSS
T
CSH
T
惩教署
TSU
T
HD
T
R
T
F
T
HI
T
LO
T
CLD
T
CLE
T
V
T
HO
T
DIS
T
HS
T
HH
T
HZ
19
20
21
22
23
24
T
HV
T
REL
T
PD
T
CE
T
SE
T
WC
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能和资格确定。对于耐力
估计，一个特定的应用程序，请咨询可以得到的Total Endurance模型
从Microchip网站www.microchip.com 。
2008 Microchip的技术公司
DS22064C第3页
25LC1024
表1-2：
AC特性（续）
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
耐力
分钟。
1M
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
—
单位
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
条件
AC特性
参数。
号
25
符号。
—
东/西
（注2 ）
每页
周期
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能和资格确定。对于耐力
估计，一个特定的应用程序，请咨询可以得到的Total Endurance模型
从Microchip网站www.microchip.com 。
表1-3：
AC波形：
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
—
（注1 ）
（注2 ）
—
0.5 V
CC
0.5 V
CC
V
HI
= V
CC
- 0.2V
V
HI
= 4.0V
C
L
= 30 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：
对于V
CC
≤
4.0V
2:
对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
DS22064C第4页
2008 Microchip的技术公司
25AA1024/25LC1024
1兆位的SPI总线串行EEPROM
器件选型表
产品型号
25LC1024
25AA1024
V
CC
范围
2.5-5.5V
1.8-5.5V
PAGE SIZE
256字节
256字节
温度。范围
I，E
I
套餐
P， SM ， MF
P， SM ， MF
产品特点：
20 MHz的最大。时钟速度
字节和页级写操作：
- 256字节页
- 6 ms（最大值） 。写周期时间
- 无需页或扇区擦除
低功耗CMOS技术：
- 最大。写电流5mA电压为5.5V ， 20MHz的
- 读电流：7毫安5.5V ， 20MHz的
- 待机电流： 1A在2.5V
（深度掉电）
电子签名的设备ID
自定时擦写周期：
- 页擦除（ 6 ms以下。 ）
- 扇区擦除（最大10 ms ）
- 芯片擦除（最大10 ms ）
扇区写入保护（ 32K字节/扇区） ：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
高可靠性：
- 耐力： 1M擦除/写周期
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
无铅封装
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA1024 / 25LC1024
(25XX1024
*
）是1024 Kbit的串行EEPROM存储器
以字节级和页面级串行EEPROM功能
系统蒸发散。此外，它还采用页面，部门与芯片擦除
功能通常与基于Flash的精良相关
UCTS 。不需要用于字节或页这些功能
写操作。该存储器是通过一个简单的访问
串行外设接口（SPI ）兼容的串行总线。
所需的总线信号的时钟输入（SCK）加
在（SI）的单独的数据输入和数据输出（ SO）线。访问
该装置是由一个片选（CS ）输入控制。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。
该25XX1024是标准的封装
包括8引脚PDIP和SOIJ ，以及先进的8引脚
DFN封装。所有器件均无铅。
封装类型（不按比例）
DFN
25LC1024
CS 1
SO 2
WP 3
（ MF）
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP / SOIJ
（P ， SM ）
25LC1024
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
引脚功能表
名字
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
功能
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
HOLD输入
电源电压
V
SS
4
* 25XX1024使用本文档中作为一个通用的零件号
为25AA1024 ， 25LC1024设备。
2007 Microchip的技术公司
初步
DS21836D第1页
25AA1024/25LC1024
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
分钟。
.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
—
—
—
T
A
= -0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
V
CC
+1
0.3 V
CC
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 20.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 10.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 2.0V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
测试条件
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
符号。
V
IH1
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D010
I
CC
读
工作电流
—
—
10
5
mA
mA
mA
mA
μA
μA
μA
μA
D011
D012
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
7
5
20
12
D13
I
CCSPD
深度掉电
当前
—
—
1
2
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21836D第2页
初步
2007 Microchip的技术公司
25AA1024/25LC1024
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
时钟频率
分钟。
—
—
—
25
50
250
50
100
500
50
5
10
50
10
20
100
—
—
25
50
250
25
50
250
50
50
—
—
—
0
—
—
—
10
20
100
10
20
100
T
A
= -0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
20
10
2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
20
—
—
—
—
—
—
—
25
50
250
—
25
50
250
—
—
—
—
—
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.8
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
（注1 ）
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
（注1 ）
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
（注1 ）
（注1 ）
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 2.0V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
条件
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
（注
3)
AC特性
参数。
号
1
符号。
F
CLK
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
TSU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出低电平有效。
14
15
T
HO
T
DIS
输出保持时间
输出禁止时间
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能和资格确定。对于耐力
估计，一个特定的应用程序，请咨询可以得到的Total Endurance模型
从我们的网站www.microchip.com 。
3:
包括吨
HI
时间。
2007 Microchip的技术公司
初步
DS21836D第3页
25AA1024/25LC1024
表1-2：
AC特性（续）
工业级（I ） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
HOLD低到输出
高-Z
分钟。
15
30
150
15
30
150
—
—
—
—
—
1M
T
A
= -0 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
—
—
—
—
—
—
100
100
10
10
6
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ms
ms
ms
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 2.0V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
条件
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
（注1 ）
4.5
≤
V
CC
≤
5.5
2.5
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5
1.8
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
字节或页模式和页
抹去
AC特性
参数。
号
18
符号。
T
HZ
19
T
HV
高举到输出有效
20
21
22
23
24
25
T
REL
T
PD
T
CE
T
SE
T
WC
—
CS高到待机模式
CS高到深加电
下
芯片擦除周期时间
扇区擦除周期时间
内部写周期时间
耐力
东/西
（注2 ）
每页
周期
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能和资格确定。对于耐力
估计，一个特定的应用程序，请咨询可以得到的Total Endurance模型
从我们的网站www.microchip.com 。
3:
包括吨
HI
时间。
表1-3：
AC波形：
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
—
（注1 ）
（注2 ）
—
0.5 V
CC
0.5 V
CC
V
HI
= V
CC
- 0.2V
V
HI
= 4.0V
C
L
= 30 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：
对于V
CC
≤
4.0V
2:
对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
DS21836D第4页
初步
2007 Microchip的技术公司
25LC1024
1兆位的SPI总线串行EEPROM
器件选型表
产品型号
25LC1024
V
CC
范围
2.5-5.5V
PAGE SIZE
256字节
温度。范围
I，E
套餐
P， SM ， MF
产品特点：
20 MHz的最大。时钟速度
字节和页级写操作：
- 256字节页
- 6 ms（最大值） 。写周期时间
- 无需页或扇区擦除
低功耗CMOS技术：
- 最大。写电流5mA电压为5.5V ， 20MHz的
- 读电流：7毫安5.5V ， 20MHz的
- 待机电流： 1A在2.5V
（深度掉电）
电子签名的设备ID
自定时擦写周期：
- 页擦除（ 6 ms以下。 ）
- 扇区擦除（最大10 ms ）
- 芯片擦除（最大10 ms ）
扇区写入保护（ 32K字节/扇区） ：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
高可靠性：
- 耐力： 1M擦除/写周期
- 数据保存： >200年
- ESD保护： >4000V
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车（ E） ：
-40°C至+ 125°C
无铅并符合RoHS标准
描述：
Microchip Technology Inc.的25LC1024是1024
Kbit的串行EEPROM存储器的字节级和页面级
电平的串行EEPROM功能。此外，它还采用页，
部门和芯片擦除功能通常关联
与基于Flash的产品。这些功能都没有
所需的字节或页写操作。内存
通过一个简单的串行外设接口进行访问
（SPI）兼容的串行总线。所需的总线信号
有一个时钟输入端（SCK） ，独立的数据中（SI）和
数据输出（SO ）线。对设备的访问控制
通过片选（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。
该25LC1024是标准的封装
包括8引脚PDIP和SOIJ ，以及先进的8引脚
DFN封装。所有器件均无铅。
封装类型（不按比例）
DFN
25LC1024
CS 1
SO 2
WP 3
V
SS
4
（ MF）
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
PDIP / SOIJ
（P ， SM ）
25LC1024
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
2010 Microchip的技术公司
DS22064D第1页
25LC1024
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
分钟。
.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
V
CC
-0.2
—
—
—
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
V
CC
+1
0.3 V
CC
0.2 V
CC
0.4
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
A
A
pF
V
CC
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS
或V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS
或V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 20.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 10.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 85°C
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, 125°C
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
测试条件
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
符号。
V
IH1
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D009
I
CC
读
工作电流
—
—
10
5
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
D010
D011
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
7
5
20
12
D012
I
CCSPD
深度掉电
当前
—
—
1
2
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS22064D第2页
2010 Microchip的技术公司
25LC1024
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
时钟频率
CS建立时间
CS保持时间
CS禁用时间
数据建立时间
数据保持时间
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出低电平有效。
输出保持时间
输出禁止时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出有效
CS高到待机模式
CS高到深加电
下
芯片擦除周期时间
扇区擦除周期时间
内部写周期时间
分钟。
—
—
25
50
50
100
50
5
10
10
20
—
—
25
50
25
50
50
50
—
—
0
—
—
10
20
10
20
15
30
15
30
—
—
—
—
—
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
20
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
20
—
—
—
—
—
—
25
50
—
25
50
—
—
—
—
—
—
—
—
100
100
10
10
6
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ms
ms
ms
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
条件
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
—
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
（注1 ）
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
—
—
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
(I)
2.5V
V
CC
5.5V
（ I， E）
—
—
—
—
字节或页模式和页
抹去
AC特性
参数。
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
符号。
F
CLK
T
CSS
T
CSH
T
惩教署
TSU
T
HD
T
R
T
F
T
HI
T
LO
T
CLD
T
CLE
T
V
T
HO
T
DIS
T
HS
T
HH
T
HZ
19
20
21
22
23
24
T
HV
T
REL
T
PD
T
CE
T
SE
T
WC
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能和资格确定。对于耐力
估计，一个特定的应用程序，请咨询可以得到的Total Endurance模型
从Microchip网站www.microchip.com 。
2010 Microchip的技术公司
DS22064D第3页
25LC1024
表1-2：
AC特性（续）
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
特征
耐力
分钟。
1M
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
马克斯。
—
单位
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
条件
AC特性
参数。
号
25
符号。
—
东/西页模式， 25 ° C， 5.5V
（注2 ）
周期
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能和资格确定。对于耐力
估计，一个特定的应用程序，请咨询可以得到的Total Endurance模型
从Microchip网站www.microchip.com 。
表1-3：
AC波形：
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
—
（注1 ）
（注2 ）
—
0.5 V
CC
0.5 V
CC
V
HI
= V
CC
- 0.2V
V
HI
= 4.0V
C
L
= 30 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：
对于V
CC
4.0V
2:
对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
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