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BSM 25 GB 120 DN2
IGBT功率模块
半桥
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
TYPE
BSM 25 GB 120 DN2
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
V
CE
I
C
包
半桥1
订购代码
C67076-A2109-A70
1200V 38A
符号
V
CE
V
CGR
值
1200
1200
单位
V
V
GE
I
C
± 20
A
38
25
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
I
Cpuls
76
50
P
合计
200
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
+ 150
-40 ... + 125
≤
0.6
≤
1
2500
20
11
F
40 / 125 / 56
美国证券交易委员会
VAC
mm
K / W
°C
W
1
Oct-20-1997
BSM 25 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 1毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
V
CE
= 20 V,
I
C
= 25 A
输入电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
C
RSS
-
0.11
-
C
OSS
-
0.25
-
C
国际空间站
-
1.65
-
g
fs
10
-
-
nF
S
I
GES
-
-
180
I
CES
-
-
0.5
2
0.8
-
nA
V
CE （ SAT ）
-
-
2.5
3.1
3
3.7
mA
V
GE （日）
4.5
5.5
6.5
V
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Oct-20-1997
BSM 25 GB 120 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A
R
坤
= 47
上升时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 25 A
R
坤
= 47
打开-O FF延迟时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 25 A
R
高夫
= 47
下降时间
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 25 A
R
高夫
= 47
续流二极管
二极管的正向电压
I
F
= 25 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 25 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
I
F
= 25 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
I
F
= 25 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -800 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
-
-
2.3
6
-
-
Q
rr
-
0.13
-
C
t
rr
V
F
-
-
2.3
1.8
2.8
-
s
V
-
50
75
t
f
-
420
600
t
D（关闭）
-
65
130
t
r
-
75
150
t
D（上）
ns
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Oct-20-1997
BSM 25 GB 120 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
220
W
P
合计
180
160
140
120
100
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
2
t
= 10.0s
p
A
I
C
10
1
100 s
1毫秒
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
0
10毫秒
10
-1
DC
0
10
10
1
10
2
10
3
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
45
A
I
C
35
30
25
20
15
10
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
K / W
Z
thJC
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
0.10
0.05
0.02
单脉冲
0.01
5
0
0
10
-3
-5
10
-4
-3
-2
-1
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
10
10
10
s 10
T
C
t
p
4
Oct-20-1997
BSM 25 GB 120 DN2
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
50
A
I
C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
V
V
CE
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
50
A
I
C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
V
V
CE
5
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
50
A
I
C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
5
Oct-20-1997
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275U324R103A1A1
22-43-8130
24AA02BT-I/SN
2N4861
2N2325AS
2N4870
2SB647CTZ-E
228LBB080M2DC
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    -
    -
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