不建议用于新设计 -
请使用25AA640A或25LC640A 。
25AA640/25LC640
64K SPI总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA640
25LC640
25LC640
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3 / 2.5兆赫
温度
范围
I
I
I,E
描述:
Microchip Technology Inc.的25AA640 / 25LC640
(25XX640
*
)是一个64千位串行电可擦除
PROM [ EEPROM ] 。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口( SPI )兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
(SCK ),加上在(SI)的单独的数据和数据输出(SO )
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择( CS )输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚( HOLD ) 。当设备被暂停,
对输入信号的变化都将被忽略,与
除片选,允许主机服务
高优先级中断。
产品特点:
低功耗CMOS技术
- 写电流:3 mA,典型值
- 读电流: 500
μ
A,典型的
- 待机电流: 500 nA的典型
8192 ×8位的组织
32字节页
写周期时间: 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护, 1/4,1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 数据保存: > 200年
- ESD保护: > 4000V
8引脚PDIP , SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持:
- 工业级(I ) : -40°C至+ 85°C
- 汽车( E) : -40°C至+ 125°C
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
ARRAY
页面
锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
Y译码
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25XX640
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
TSSOP
25XX640
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
* 25XX640使用本文档中作为25AA640 / 25LC640器件的通用零件编号。
2008 Microchip的技术公司
DS21223H第1页
25AA640/25LC640
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注:上述“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1:
DC特性
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
- 0.5
—
—
—
最大
V
CC
+ 1
V
CC
+ 1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
条件
V
CC
≥
2.7V
(注1 )
V
CC
& LT ; 2.7V
(注1 )
V
CC
≥
2.7V
(注1 )
V
CC
& LT ; 2.7V
(注1 )
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安, V
CC
=
& LT ;
2.5V
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C , CLK = 1.0 MHz时,
V
CC
= 5.0V
(注1 )
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ,输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ,输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
(所有输入和
输出)
D10
I
CC
阅读工作电流
—
—
1
500
mA
μA
D11
D12
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
5
3
5
1
mA
mA
μA
μA
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
DS21223H第2页
2008 Microchip的技术公司
25AA640/25LC640
表1-2:
AC特性
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
特征
时钟频率
民
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
(注3)
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注2 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
AC特性
参数。
号
1
符号
F
CLK
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期
时间
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2:
F
CLK
最大。 = 2.5兆赫对于T
A
> 85 ℃。
3:
该参数没有进行测试,但性能可以成立。对于在特定应用中估计耐用性,
请参考可从Microchip网站获得的Total Endurance模型: www.microchip.com 。
2008 Microchip的技术公司
DS21223H第3页
25AA640/25LC640
64K SPI
总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA640
25LC640
25LC640
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3 / 2.5兆赫
温度
范围
I
I
I,E
描述
Microchip Technology Inc.的25AA640 / 25LC640
(25XX640
*
)是一个64千位串行电可擦除
PROM [ EEPROM ] 。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口( SPI )兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
(SCK ),加上在(SI)的单独的数据和数据输出(SO )
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择( CS )输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚( HOLD ) 。当设备被暂停,
对输入信号的变化都将被忽略,与
除片选,允许主机服务
高优先级中断。
特点
低功耗CMOS技术
- 写电流:3 mA典型
- 读电流: 500
一个典型的
- 待机电流: 500 nA的典型
8192 ×8位的组织
32字节页
写周期时间: 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护, 1/4,1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 数据保存: > 200年
- ESD保护: > 4000V
8引脚PDIP , SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持:
- 工业级(I ) : -40°C至+ 85°C
- 汽车( E) : -40°C至+ 125°C
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
ARRAY
页面
锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
Y译码
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25XX640
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
TSSOP
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
25XX640
* 25XX640使用本文档中作为25AA640 / 25LC640器件的通用零件编号。
SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
2004年Microchip的科技公司
DS21223G第1页
25AA640/25LC640
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注:上述“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1:
DC特性
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
- 0.5
—
—
—
最大
V
CC
+ 1
V
CC
+ 1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
V
CC
≥
2.7V
(注1 )
V
CC
& LT ; 2.7V
(注1 )
V
CC
≥
2.7V
(注1 )
V
CC
& LT ; 2.7V
(注1 )
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安, V
CC
= < 2.5V
I
OH
= -400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C , CLK = 1.0 MHz时,
V
CC
= 5.0V
(注1 )
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ,输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ,输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
(所有输入和
输出)
D10
I
CC
阅读工作电流
—
—
1
500
mA
A
D11
D12
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
5
3
5
1
mA
mA
A
A
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
DS21223G第2页
2004年Microchip的科技公司
25AA640/25LC640
表1-2:
AC特性
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
特征
时钟频率
民
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
(注3)
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注1 )
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注2 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
AC特性
参数。
号
1
符号
F
CLK
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期
时间
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2:
F
CLK
最大。 = 2.5兆赫对于T
A
> 85 ℃。
3:
该参数没有进行测试,但性能可以成立。对于在特定应用中估计耐用性,
请参考这可以从我们的网站上获得的Total Endurance模型。
2004年Microchip的科技公司
DS21223G第3页
M
器件选型表
部分
数
25AA640
25LC640
25LC640
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
25AA640/25LC640
描述
温度
范围
I
I
I,E
Microchip Technology Inc.的25AA640 / 25LC640
(25XX640
*
)是一个64K位串行电可擦除
PROM [ EEPROM ] 。该存储器通过一个SIM-访问
的PLE串行外设接口(SPI)兼容的串行
总线。所需的总线信号的时钟输入(SCK)
加在(SI)的单独的数据输入和数据输出( SO)线。
对设备的访问是通过一个片选控制
( CS )输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚( HOLD ) 。当设备被暂停,跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略,除
片选,允许主机优先级更高
中断。
64K SPI 总线串行EEPROM
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3 / 2.5兆赫
特点
低功耗CMOS技术
- 写电流:3 mA典型
- 读电流: 500
一个典型的
- 待机电流: 500 nA的典型
8192 ×8位的组织
32字节页
写周期时间: 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护, 1/4,1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 数据保存: > 200年
- ESD保护: > 4000V
8引脚PDIP , SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持:
- 工业级(I ) : -40°C至+ 85°C
- 汽车( E) : -40°C至+ 125°C
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
ARRAY
DEC
页锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
Y译码
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25XX640
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
TSSOP
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
25XX640
* 25XX640使用本文档中作为25AA640 / 25LC640器件的通用零件编号。
2001年Microchip的科技公司
DS21223E第1页
25AA640/25LC640
1.0
电气特性
绝对最大额定值?
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
.......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
引线焊接温度( 10秒) .......................................................................................................+300°C
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注:上述“绝对最大值”,可能对器件造成永久性损坏。这
是一个额定值,设备的功能操作在这些或任何其他条件超过上述表示
本规范的运作上市,是不是暗示。暴露在极限条件下的扩展
一段时间内可能会影响器件的可靠性。
DS21223E第2页
2001年Microchip的科技公司
25AA640/25LC640
1.2
AC特性
工业级(I ) :
T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :T已
AMB
= -40 ° C至+ 125°C
特征
时钟频率
民
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
100 k
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
AC特性
参数。
号
1
符号
F
CLK
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
(注2 )
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注
1)
(注
1)
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
(注
1)
V
CC
= 4.5V至5.5V (注
1)
V
CC
= 2.5V至5.5V (注
1)
V
CC
= 1.8V至5.5V (注
1)
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V (注
1)
V
CC
= 2.5V至5.5V (注
1)
V
CC
= 1.8V至5.5V (注
1)
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期
时间
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
(注
3)
注1 :
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2:
F
CLK
最大。 = 2.5兆赫对于T
AMB
> 85 ℃。
3:
该参数没有进行测试,但性能可以成立。对于在特定应用中估计耐用性,
请参考这可以在我们的网站上获得的总耐力模式。
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