不建议用于新设计 -
请使用25AA640A或25LC640A 。
25AA640/25LC640
64K SPI总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA640
25LC640
25LC640
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3 / 2.5兆赫
温度
范围
I
I
I，E
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA640 / 25LC640
(25XX640
*
）是一个64千位串行电可擦除
PROM [ EEPROM ] 。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口（ SPI ）兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，
对输入信号的变化都将被忽略，与
除片选，允许主机服务
高优先级中断。
产品特点：
低功耗CMOS技术
- 写电流：3 mA，典型值
- 读电流： 500
μ
A，典型的
- 待机电流： 500 nA的典型
8192 ×8位的组织
32字节页
写周期时间： 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000V
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ： -40°C至+ 85°C
- 汽车（ E） ： -40°C至+ 125°C
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
ARRAY
页面
锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
Y译码
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25XX640
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
TSSOP
25XX640
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
* 25XX640使用本文档中作为25AA640 / 25LC640器件的通用零件编号。
2008 Microchip的技术公司
DS21223H第1页
25AA640/25LC640
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
- 0.5
—
—
—
最大
V
CC
+ 1
V
CC
+ 1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
条件
V
CC
≥
2.7V
（注1 ）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注1 ）
V
CC
≥
2.7V
（注1 ）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注1 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
=
＆ LT ;
2.5V
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注1 ）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D10
I
CC
阅读工作电流
—
—
1
500
mA
μA
D11
D12
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
5
3
5
1
mA
mA
μA
μA
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21223H第2页
2008 Microchip的技术公司
25AA640/25LC640
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
特征
时钟频率
民
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
μs
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
（注3）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注2 ）
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
AC特性
参数。
号
1
符号
F
CLK
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期
时间
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
F
CLK
最大。 = 2.5兆赫对于T
A
> 85 ℃。
3:
该参数没有进行测试，但性能可以成立。对于在特定应用中估计耐用性，
请参考可从Microchip网站获得的Total Endurance模型： www.microchip.com 。
2008 Microchip的技术公司
DS21223H第3页
25AA640/25LC640
64K SPI
总线串行EEPROM
器件选型表
部分
数
25AA640
25LC640
25LC640
V
CC
范围
1.8-5.5V
2.5-5.5V
4.5-5.5V
最大时钟
频率
1兆赫
2兆赫
3 / 2.5兆赫
温度
范围
I
I
I，E
描述
Microchip Technology Inc.的25AA640 / 25LC640
(25XX640
*
）是一个64千位串行电可擦除
PROM [ EEPROM ] 。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口（ SPI ）兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，
对输入信号的变化都将被忽略，与
除片选，允许主机服务
高优先级中断。
特点
低功耗CMOS技术
- 写电流：3 mA典型
- 读电流： 500
一个典型的
- 待机电流： 500 nA的典型
8192 ×8位的组织
32字节页
写周期时间： 5 ms以下。
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
连续读
高可靠性
- 数据保存： > 200年
- ESD保护： > 4000V
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ： -40°C至+ 85°C
- 汽车（ E） ： -40°C至+ 125°C
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
ARRAY
页面
锁存器
SI
SO
CS
SCK
HOLD
WP
V
CC
V
SS
感测放大器。
R / W控制
Y译码
封装类型
PDIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
1
25XX640
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
HOLD
V
CC
CS
SO
1
2
3
4
TSSOP
8
7
6
5
SCK
SI
V
SS
WP
25XX640
* 25XX640使用本文档中作为25AA640 / 25LC640器件的通用零件编号。
SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
2004年Microchip的科技公司
DS21223G第1页
25AA640/25LC640
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
........................................................................................................ -0.6V到V
CC
+ 1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度...............................................................................................................-65°C至125℃的
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注：上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C V
CC
= 1.8V至5.5V
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C V
CC
= 4.5V至5.5V
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
- 0.5
—
—
—
最大
V
CC
+ 1
V
CC
+ 1
0.8
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
条件
V
CC
≥
2.7V
（注1 ）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注1 ）
V
CC
≥
2.7V
（注1 ）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注1 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
= < 2.5V
I
OH
= -400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注1 ）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 3.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 2.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 5.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
DC特性
参数。
号
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D8
D9
符号
V
IH
1
V
IH
2
V
IL
1
V
IL
2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏电流
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D10
I
CC
阅读工作电流
—
—
1
500
mA
A
D11
D12
I
CC
写
I
CCS
待机电流
—
—
—
—
5
3
5
1
mA
mA
A
A
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21223G第2页
2004年Microchip的科技公司
25AA640/25LC640
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车（ E） ：T已
A
= -40 ° C至+ 125°C
特征
时钟频率
民
—
—
—
100
250
500
150
250
475
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
230
475
150
230
475
50
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
1M
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
—
150
230
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
（注3）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 2.5V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
（注1 ）
（注1 ）
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
（注2 ）
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至5.5V
V
CC
= 1.8V至5.5V
AC特性
参数。
号
1
符号
F
CLK
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
T
SU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
17
T
HH
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期
时间
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
F
CLK
最大。 = 2.5兆赫对于T
A
> 85 ℃。
3:
该参数没有进行测试，但性能可以成立。对于在特定应用中估计耐用性，
请参考这可以从我们的网站上获得的Total Endurance模型。
2004年Microchip的科技公司
DS21223G第3页
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