25AA02E48
2K SPI总线串行EEPROM与EUI- 48 节点标识
器件选型表
产品型号
25AA02E48
V
CC
范围
1.8-5.5V
PAGE SIZE
16个字节
温度。范围
I
套餐
SN ， OT
产品特点：
预编程的全局唯一的48位节点
地址
与EUI -48 和EUI -64
10 MHz的最大。时钟频率
低功耗CMOS技术：
- 最大。写电流5mA电压为5.5V
- 读取电流5mA电压为5.5V ， 10MHz的
- 待机电流： 1
μA
在2.5V
256 ×8位的组织
写页模式（最多16个字节）
连续读
自定时擦写周期（ 5 ms以下。 ）
块写保护：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
高可靠性：
- 耐力：100万次擦/写
- 数据保存： >200年
- ESD保护： >4000V
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
无铅并符合RoHS标准
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA02E48是2千位
串行电可擦除可编程只读
存储器（EEPROM） 。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口（ SPI ）兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。
该25AA02E48可在标准的8引脚
SOIC和6引脚SOT- 23封装。
封装类型（不按比例）
SOT-23
（ OT ）
SCK
V
SS
SI
1
2
3
6
5
4
V
DD
CS
SO
SOIC
（ SN ）
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
注意：
引脚功能表
名字
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
功能
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
HOLD输入
电源电压
这份文件是由补充
“25AA020A
数据表“
（ DS21833 ） 。看
第2.0节“功能说明” 。
2008 Microchip的技术公司
初步
DS22123A第1页
25AA02E48
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度.................................................................................................................-40°C至85℃
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
分钟。
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
—
—
—
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
马克斯。
V
CC
+1
0.3 V
CC
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
μA
μA
pF
V
CC
≥
2.7V
（注1 ）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注1 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
= -400
μA
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注1 ）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 10.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 5.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, T
A
= +85°C
V
CC
= 1.8V至5.5V
测试条件
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
符号。
V
IH1
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D010
I
CC
读
工作电流
—
—
—
—
待机电流
—
5
2.5
5
3
1
mA
mA
mA
mA
μA
D011
D012
注意：
I
CC
写
I
CCS
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS22123A第2页
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2008 Microchip的技术公司
25AA02E48
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
分钟。
—
—
—
50
100
150
100
200
250
50
10
20
30
20
40
50
—
—
50
100
150
50
100
150
50
50
—
—
—
0
—
—
—
20
40
80
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
马克斯。
10
5
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
100
—
—
—
—
—
—
—
—
50
100
160
—
40
80
160
—
—
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 1.8V至5.5V
测试条件
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
—
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
（注1 ）
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
—
—
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
（注1 ）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
（注1 ）
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
AC特性
参数。
符号。
号
1
F
CLK
特征
时钟频率
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
TSU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出有效
低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
3:
T
WC
开始在CS的后一个有效的写序列的上升沿和结束该内部写入周期时
就完成了。
2008 Microchip的技术公司
初步
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25AA02E48
表1-2：
AC特性（续）
工业级（I ） ：
分钟。
20
40
80
30
60
160
30
60
160
—
1M
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
V
CC
= 1.8V至5.5V
测试条件
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
（注1 ）
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
（注1 ）
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
（注1 ）
4.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
5.5V
2.5V
≤
V
CC
＆ LT ;
4.5V
1.8V
≤
V
CC
＆ LT ;
2.5V
（注3）
AC特性
参数。
符号。
号
17
T
HH
特征
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期时间
（字节或者页面）
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
东/西
(N
OTE
2)
周期
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
3:
T
WC
开始在CS的后一个有效的写序列的上升沿和结束该内部写入周期时
就完成了。
表1-3：
AC波形：
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
—
（注1 ）
（注2 ）
—
0.5 V
CC
0.5 V
CC
V
HI
= V
CC
- 0.2V
V
HI
= 4.0V
C
L
= 100 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：
对于V
CC
≤
4.0V
2:
对于V
CC
＆ GT ;
4.0V
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2008 Microchip的技术公司
25AA02E48
2K SPI总线串行EEPROM与EUI- 48 节点标识
器件选型表
产品型号
25AA02E48
V
CC
范围
1.8-5.5V
PAGE SIZE
16个字节
温度。范围
I
套餐
SN ， OT
产品特点：
预编程的全局唯一的48位节点
地址
与EUI -48 和EUI -64
10 MHz的最大。时钟频率
低功耗CMOS技术：
- 最大。写电流5mA电压为5.5V
- 读取电流5mA电压为5.5V ， 10MHz的
- 待机电流： 1
A
在2.5V
256 ×8位的组织
写页模式（最多16个字节）
连续读
自定时擦写周期（ 5 ms以下。 ）
块写保护：
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护：
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
高可靠性：
- 耐力：100万次擦/写
- 数据保存： >200年
- ESD保护： >4000V
温度范围内支持：
- 工业级（I ） ：
-40 ° C至+ 85°C
无铅并符合RoHS标准
描述：
Microchip Technology Inc.的25AA02E48是2千位
串行电可擦除可编程只读
存储器（EEPROM） 。该存储器通过一个访问
简单的串行外设接口（ SPI ）兼容
串行总线。所需的总线信号的时钟输入
（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（ CS ）输入。
通信设备可以通过暂停
HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，跃迁
在其输入上系统蒸发散将被忽略，除
片选，允许主机优先级更高
中断。
该25AA02E48可在标准的8引脚
SOIC和6引脚SOT- 23封装。
封装类型（不按比例）
SOT-23
（ OT ）
SCK
V
SS
SI
1
2
3
6
5
4
V
DD
CS
SO
SOIC
（ SN ）
CS
SO
WP
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
引脚功能表
名字
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
HOLD
V
CC
功能
片选输入
串行数据输出
写保护
地
串行数据输入
串行时钟输入
HOLD输入
电源电压
2010 Microchip的技术公司
DS22123B第1页
25AA02E48
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................6.5V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下
在偏置环境温度.................................................................................................................-40°C至85℃
所有引脚的ESD保护..........................................................................................................................................4千伏
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的
在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。
表1-1：
DC特性
工业级（I ） ：
分钟。
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
—
V
CC
-0.5
—
—
—
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
马克斯。
V
CC
+1
0.3 V
CC
0.2 V
CC
0.4
0.2
—
±1
±1
7
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
V
CC
2.7V
（注1 ）
V
CC
＆ LT ; 2.7V
（注1 ）
I
OL
= 2.1毫安
I
OL
= 1.0毫安， V
CC
＆ LT ; 2.5V
I
OH
= -400
A
CS = V
CC
, V
IN
= V
SS TO
V
CC
CS = V
CC
, V
OUT
= V
SS TO
V
CC
T
A
= 25°C ， CLK = 1.0 MHz时，
V
CC
= 5.0V
（注1 ）
V
CC
= 5.5V ; F
CLK
= 10.0兆赫;
SO =打开
V
CC
= 2.5V ; F
CLK
= 5.0 MHz的;
SO =打开
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 2.5V
CS = V
CC
= 2.5V ，输入连接到V
CC
or
V
SS
, T
A
= +85°C
V
CC
= 1.8V至5.5V
测试条件
DC特性
参数。
号
D001
D002
D003
D004
D005
D006
D007
D008
D009
符号。
V
IH1
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
特征
高级别输入
电压
低电平输入
电压
低电平输出
电压
高电平的输出
电压
输入漏
当前
输出漏
当前
内部电容
（所有输入和
输出）
D010
I
CC
读
工作电流
—
—
—
—
待机电流
—
5
2.5
5
3
1
mA
mA
mA
mA
A
D011
D012
注意：
I
CC
写
I
CCS
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS22123B第2页
2010 Microchip的技术公司
25AA02E48
表1-2：
AC特性
工业级（I ） ：
分钟。
—
—
—
50
100
150
100
200
250
50
10
20
30
20
40
50
—
—
50
100
150
50
100
150
50
50
—
—
—
0
—
—
—
20
40
80
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
马克斯。
10
5
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
100
—
—
—
—
—
—
—
—
50
100
160
—
40
80
160
—
—
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 1.8V至5.5V
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
—
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
（注1 ）
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
—
—
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
（注1 ）
2.5V
V
CC
4.5V
（注1 ）
1.8V
V
CC
2.5V
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
AC特性
参数。
符号。
号
1
F
CLK
特征
时钟频率
2
T
CSS
CS建立时间
3
T
CSH
CS保持时间
4
5
T
惩教署
TSU
CS禁用时间
数据建立时间
6
T
HD
数据保持时间
7
8
9
T
R
T
F
T
HI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
10
T
LO
时钟低电平时间
11
12
13
T
CLD
T
CLE
T
V
时钟延迟时间
时钟使能时间
时钟输出有效
低
输出保持时间
输出禁止时间
14
15
T
HO
T
DIS
16
T
HS
HOLD建立时间
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
3:
T
WC
开始在CS的后一个有效的写序列的上升沿和结束该内部写入周期时
就完成了。
2010 Microchip的技术公司
DS22123B第3页
25AA02E48
表1-2：
AC特性（续）
工业级（I ） ：
分钟。
20
40
80
30
60
160
30
60
160
—
1M
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
V
CC
= 1.8V至5.5V
测试条件
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
4.5V
V
CC
5.5V
（注1 ）
2.5V
V
CC
4.5V
（注1 ）
1.8V
V
CC
2.5V
（注1 ）
4.5V
V
CC
5.5V
2.5V
V
CC
4.5V
1.8V
V
CC
2.5V
（注3）
AC特性
参数。
符号。
号
17
T
HH
特征
HOLD保持时间
18
T
HZ
HOLD低到输出
高-Z
高举到输出
有效
内部写周期时间
（字节或者页面）
耐力
19
T
HV
20
21
T
WC
—
东/西
(N
OTE
2)
周期
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序，请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
3:
T
WC
开始在CS的后一个有效的写序列的上升沿和结束该内部写入周期时
就完成了。
表1-3：
AC波形：
V
LO
= 0.2V
AC测试条件
—
（注1 ）
（注2 ）
—
0.5 V
CC
0.5 V
CC
V
HI
= V
CC
- 0.2V
V
HI
= 4.0V
C
L
= 100 pF的
定时测量参考电平
输入
产量
注1 ：
对于V
CC
4.0V
2:
对于V
CC
4.0V
DS22123B第4页
2010 Microchip的技术公司
串行存储器产品
高性能的广泛产品组合，最好的一流的串行存储器产品
满足您所有的设计要求。
Microchip提供了最广泛的串行EEPROM器件（从128位到1兆位），在最广泛的操作系统
电压（ 1.7 5.5V）和温度范围（高达150℃ ） 。创新的低功耗设计和广泛的测试
已确保行业领先的耐用性和最佳的一流的质量成本低。
SPI兼容串行SRAM器件采用64和256 Kbit的选择提供高达20 MHz 。这些低功耗
器件提供高速性能的额外外部串行RAM为标准的8引脚
包。
Microchip的支持您的设计在整个产品生命周期
2
串行存储器产品
串行存储器的优点
串行存储器产品
卓越品质
创新产品
串行EEPROM
■
■
■
■
SPI ，我
2
C ，MICROWIRE UNI
/
O总线
非易失性存储器
128位，为1Mbit
1.7V-5.5V
可靠的供应
串行SRAM
■
■
■
■
SPI总线， 20 MHz的
易失性存储器
8 ， 32字节
1.5V-1.95V; 2.7V-3.6V
■
1M周期东/西耐力
■
快速读/写次数
■
低功耗
■
无限耐力
■
零写入速度
■
低功耗
主要特点
串行体系结构 - 我
2
C， SPI ， UNI
/
O，微丝
密度范围宽
微小3 ，5， 6和8引脚封装，模具&晶圆
创新，低功耗设计
业界领先的耐力
宽的温度和电压范围
快速读取和写入时间
灵活：
–
字节写能力
–
封装选项
–
自定义编程选项
–
应用特定网络连接C串行内存
■
Microchip的拥有晶圆厂，在内部测试
■
汽车溢流所有产品
■
■
■
■
■
■
■
■
重点班妮科幻TS
■
更低的系统成本 - 创新产品，小型封装，
低功耗，更少的I
/
O引脚小外形
■
我保存
/
在MCU O引脚 - 更紧凑的设计，加上
附加功能
■
安全的数据写保护选项
■
最高品质的EEPROM
–
零PPM举措 - 三重考验溢流
–
＆ GT ;
1M周期东/西耐力
■
更快的产品上市时间
–
交货周期短
–
全面的工具支持
■
强大的设计 - 广泛的操作条件
■
较长的产品生命周期
■
全球销售&技术支持
串行总线EEPROM的比较
参数
密度范围
速度
I / O引脚
封装选项
安全选项
定价
I
2
C
128B - 1兆位
高达1 MHz
2 ：时钟，数据
PDIP ， SOIC ， SOIJ ， TSSOP ，
MSOP和2X3 T- DFN ， 8引脚6x5 DFN ，
SOT -23 ， SC70封装， WLCSP
HW
最便宜的
微丝
1 KB ， 16 KB
高达3兆赫
4 ：时钟， CS ， DI ， DO
PDIP ， SOIC ， TSSOP ，
MSOP和2X3 T- DFN ，
SOT-23
HW
UNI / O
1 KB- 16 Kbit的
高达100千赫
1 ：时钟/数据
PDIP ， SOIC ， TSSOP ，
MSOP和2X3 T- DFN ，
SOT -23 ， TO92 ， WLCSP
SW
SPI
1K位- 1兆位
高达20MHz
4 ： SCK ， CS ， DI ， DO
PDIP ， SOIC ， SOIJ ， TSSOP ，
MSOP和2X3 T- DFN ，
引脚6x5 DFN ， SOT- 23
HW ， SW
最便宜的
串行存储器产品
3
串行EEPROM
新颖的设计加之内部制作和出色的测试
方法已经帮助创造了行业的最高品质的串行EEPROM 。
Microchip提供了广阔的选择是在现有标准和应用特定网络连接C串行EEPROM器件
所有的标准串行总线 - I
2
C， SPI ，MICROWIRE和新单I / O UNI
/
O总线。
串行EEPROM
标准
EEPROM的
专业/应用
具体的EEPROM
I
2
C
128B - 1 Mb的; 1.7V - 5.5V
UNI / O
公共汽车
1 KB ， 16 KB ; 1.8V - 5.5V
MAC地址芯片
EUI -48 & EUI -64 节点地址
微丝
1 KB ， 16 KB ; 1.8V - 5.5V
SPI
1 KB - 1 Mb的; 1.8V - 5.5V
部分阵列写保护
＆ frac12 ;，
而整个阵列WP选项
DIMM-DDR2/3
套餐
可逆的S / W写保护;我
2
C
扩展温度
.
5-SC70
（ LT ）
2 ×2mm的
.
3-SOT
(TT)
3× 2.5毫米
5 & 6 - SOT
（ OT ）
3 ×3mm的
.
8-TDFN
（ MC / MNY ）
2 ×3mm的
.
8-MSOP
（女士）
3 ×5mm的
.
8-TSSOP
（ST）的
3× 6.5毫米
-55℃至150℃
VESA显示器
DDC1 / DDC2 接口
非常低的电压
8 - SOIC （ SN ）
5 ×6mm的
8引脚DFN （ MF ）
5 ×6mm的
8 - SOIC （ SM ）
5毫米x 8毫米
8 - PDIP （ P）
8× 9.5毫米
模具/晶圆
WL- CSP
1.5V EEPROM
坚固耐用的设计
■
ESD保护
> 4000V人体模型（ HBM ）
> 400V机器模型（ MM ）
> 1000V带电器件模型
■
闭锁保护> 200毫安上的所有引脚
■
静电感应闭锁> 100V （ MM ）上的V
DD
; >400V所有我
/
O
> 1M周期耐力和> 200年数据保留
■
高达150 ° C操作（读取和写入）
■
上电复位（ POR）和欠压复位（ BOR ）
–
有效地防止嘈杂的汽车环境
–
消除错误的写
■
施密特触发器输入滤波器进行降噪
■
完整的可追溯性，包括晶圆芯片的位置
质量
■
微芯片可提供最高质量
在世界上的EEPROM
■
世界一流的生产线成品率（ 99％以上）
■
ISO/TS16949-compliant
■
行业中的佼佼者三重测试流程 -
每一个部分的每一个细胞被测试
三次
■
接近零PPM场位失败
■
统计过程控制和
持续改进过程
在所有设施
■
鲁棒性和可靠性而设计的
■
汽车级/流
4
串行存储器产品
内存包装矩阵
内存封装 - 在更小的空间更多的内存！
可在各种微小的，创新的封装，以帮助减少从Microchip的串行EEPROM器件
您的设计 - 节省电路板空间和成本！
■
WLCSP - 模具大小的包 - 最小的外形尺寸封装的EEPROM的世界！
■
SC70 - 最小的5引脚封装的EEPROM ！
■
5引脚SOT -23提供多达64 Kbit的; 8 - TDFN高达128千比特， 8-SOIC高达1兆比特（我
2
C)
密度
最大
速度
SOIC
SN
5x6
SOT-23
OT / TT
3x3
TSSOP
TS
3x6.5
TDFN
MNY / MC
2x3
PDIP
P
8x9.5
MSOP
MS
3x5
SOIJ
SM
5x8
DFN
MF
5x6
SC70
LT
2x2
TO92
TO
晶圆
W / S / WF
DIE
WLCSP
CS
DIE
I
2
C总线1.7V - 5.5V
128bit-2K
4K-32K
64K
128K
256K
512K
1兆位
400千赫
400千赫
1兆赫
1兆赫
1兆赫
1兆赫
1兆赫
X
X
X
X
X
X
X
5
5
5
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
5
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
与Microwire总线1.8V - 5.5V
1K-16K
3兆赫
X
6
X
X
X
X
X
SPI总线1.8V - 5.5V
1K-4K
8K-64K
128K, 256K
512K
1兆位
10兆赫
10兆赫
10兆赫
20兆赫
20兆赫
X
X
X
X
6
X
X
X
14
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
UNI / O
单线总线1.8V - 5.5V
1K-16K
100千赫
X
3
X
X
X
X
X
X
封装尺寸
.
5-SC70
（ LT ）
2 ×2mm的
.
3-SOT
(TT)
3× 2.5毫米
.
.
.
8-TDFN
（ MC / MNY ）
2 ×3mm的
.
8-MSOP
（女士）
3 ×5mm的
.
8-TSSOP
（ST）的
3× 6.5毫米
8 - SOIC （ SN ）
5 ×6mm的
8引脚DFN （ MF ）
5 ×6mm的
8 - SOIC （ SM ）
5毫米x 8毫米
8 - PDIP （ P）
8× 9.5毫米
模具/晶圆
WL- CSP
5 & 6 - SOT
（ OT ）
3 ×3mm的
WLCSP - 世界上最小的封装的EEPROM
WLCSP从Microchip的是凸点芯片与分布层路由
的键合焊盘的颠簸。
■
真正的“模具尺寸的”套餐
■
业界最小的封装，外形尺寸
■
最低廓包
■
可在我
2
C， UNI / O总线
■
兼容标准的表面贴装装配生产线
■
适合大的密度成一个狭小的空间
■
应用：移动电话，安全摄像机，传感器，服务器，
网络，射频，医疗，便携式电子设备
晶圆级
芯片级封装
实际尺寸
放大，以显示
详细信息
WLCSP 4 Kbit的我
2
C
<1 ×1毫米
串行存储器产品
5
QQ：2881677436 复制
