T
ANCERAM
c
HIP
c
APACITORS
Tanceram
贴片电容可以替代钽电容
在许多应用中，并提供几个关键优势
传统的钽电容。由于Tanceram
电容展
极低的ESR ，等效电路的性能往往能
使用相当低的电容值来实现。
低直流漏电流降低消耗，延长了电池
生命便携式产品。 Tancerams
高直流击穿
额定电压提供了更高的可靠性，并消除大
与钽电容设计时的电压降额普遍。
A
DVANTAGES
低ESR
更高的浪涌电压
缩小芯片尺寸
高绝缘电阻
低直流泄漏
非偏振器件
提高可靠性
更高的纹波电流
A
PPLICATIONS
开关电源平滑（输入/输出）
DC / DC转换器平滑（输入/输出）
背光逆变器
通用数字电路
典型ESR比较
10
100%
典型击穿电压的比较
1.0
F
/ 16V
钽
1.0
F
/ 16V钽
％分布
ESR（欧姆）
1
75%
50%
1.0
F
/ 16V TANCERAM
0.1
1.0
F
/ 16V TANCERAM
25%
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0%
0
100
200
300
400
500
频率（MHz）
直流击穿电压
H
以流
o
的rDer
Tanceram
250
电压
500 = 50 V
250 = 25 V
160 = 16 V
100 = 10 V
6R3 = 6.3 V
R18
表壳尺寸
见下图
Y
电介质
W = X7R
X = X5R
Y = Y5V
105
电容
第一两位数
显著;第三位
表示数
零。
474 = 0.47 F
105 = 1.00 F
Z
公差
Y5V
Z = +80% -20%
X7R/X5R
K = ±10%
M = ±20%
V
终止
V =镍阻挡层W /
100 ％镀锡
记号
4 =无标记
4
E
带修饰符
代码类型卷
E
塑料7 “
T
纸
7”
带规格
符合EIA RS481
P / N写着： 250R18Y105ZV4E
14
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T
ANCERAM
c
HIP
c
APACITORS
C
APACITANCE
s
选举
pF
0.10
F
0.22
F
0.33
F
0.47
F
1.0
F
C
日月光
s
IZE
0402
R07
0603
R14
0805
R15
1206
R18
1210
S41
1812
S43
L
W
T
E / B
英寸
.040 ±.004
.020 ±.004
0.025最大。
.008 ±.004
英寸
.063 ±.008
.032 ±.008
0.035最大。
.010±.005
英寸
.080 ±.010
.050 ±.010
.060最大。
.020±.010
(mm)
(1.02 ±.10)
(0.51 ±.10)
(0.64)
(0.20±.10)
(mm)
(1.60 ±.20)
(0.81 ±.20)
(0.89)
(.25±.13)
(mm)
(2.03 ±.25)
(1.27 ±.25)
(1.52)
(0.51±.25 )
L
W
T
E / B
L
W
T
E / B
英寸
(mm)
(3.17 ±.25)
L .125 ±.010
(1.57 ±.25)
W .062 ±.010
.070 MAX 。
(1.78)
T
E / B 0.020 + .015-0.10 （ 0.51 + 0.38 - 0.25 ）
英寸
(mm)
(3.18 ±.25)
L .125 ±.010
(2.41 ±.25)
W .095 ±.010
0.110最大。
(2.8)
T
E / B 0.020 + .015-0.10 （ 0.51 + 0.38 - 0.25 ）
英寸
.175 ±.010
.125 ±.010
0.110最大。
.035±.020
.140最大。
(mm)
(4.45 ±.25)
(3.17 ±.25)
(2.8)
(0.89±.51)
(3.55)
L
W
T
E / B
*
T
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
电介质
X7R
X5R
Y5V
W
L
T
E / B
e
LECTRICAL
C
极特
X7R
温度COEF网络cient ：
耗散因数：
绝缘电阻
（最小25°C时，直流工作电压）
介电强度：
测试条件：
其他：
± 15 ％ （ -55至+ 125° C）
为
≥
50 VDC ： 5 ％以下。
为
≤
25 VDC ： 10 ％以下。
X5R
± 15 ％ （ -55至+ 85° C）
为
≥
50 VDC ： 5 ％以下。
为
≤
25 VDC ： 10 ％以下。
500
F
或10 GΩ ，以较低者为准
2.5 X直流工作电压， 25 ° C，最大50mA 。
电容值
≤
22 μF ： ± 1.0kHz @ 50Hz的1.0 ± 0.2 Vrms的
电容值> 22 μF ： 120Hz的± 10Hz的@ 0.5V ± 0.1 Vrms的
额外的介质规格请参阅第20页。
Y5V
+ 22 ％ ， -82 ％ （ -30至+ 85°C ）
为
≥
10 VDC ： 16 ％以下。
6.3 VDC ： 20 ％以下。
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100
F
2.2
F
3.3
F
4.7
F
10
F
22
F
47
F
.047
*
15
T
ANCERAM
c
HIP
c
APACITORS
Tanceram
贴片电容可以替代钽电容
在许多应用中，并提供几个关键优势
传统的钽电容。由于Tanceram
电容展
极低的ESR ，等效电路的性能往往能
使用相当低的电容值来实现。
低直流漏电流降低消耗，延长了电池
生命便携式产品。 Tancerams
高直流击穿
额定电压提供了更高的可靠性，并消除大
与钽电容设计时的电压降额普遍。
A
DVANTAGES
低ESR
更高的浪涌电压
缩小芯片尺寸
高绝缘电阻
低直流泄漏
非偏振器件
提高可靠性
更高的纹波电流
A
PPLICATIONS
开关电源平滑（输入/输出）
DC / DC转换器平滑（输入/输出）
背光逆变器
通用数字电路
典型ESR比较
10
100%
典型击穿电压的比较
1.0
F
/ 16V
钽
1.0
F
/ 16V钽
％分布
ESR（欧姆）
1
75%
50%
1.0
F
/ 16V TANCERAM
0.1
1.0
F
/ 16V TANCERAM
25%
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0%
0
100
200
300
400
500
频率（MHz）
直流击穿电压
H
以流
o
的rDer
Tanceram
250
电压
500 = 50 V
250 = 25 V
160 = 16 V
100 = 10 V
6R3 = 6.3 V
R18
表壳尺寸
见下图
Y
电介质
W = X7R
X = X5R
Y = Y5V
105
电容
第一两位数
显著;第三位
表示数
零。
474 = 0.47 F
105 = 1.00 F
Z
公差
Y5V
Z = +80% -20%
X7R/X5R
K = ±10%
M = ±20%
V
终止
V =镍阻挡层W /
100 ％镀锡
记号
4 =无标记
4
E
带修饰符
代码类型卷
E
塑料7 “
T
纸
7”
带规格
符合EIA RS481
P / N写着： 250R18Y105ZV4E
14
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ANCERAM
c
HIP
c
APACITORS
C
APACITANCE
s
选举
pF
0.10
F
0.22
F
0.33
F
0.47
F
1.0
F
C
日月光
s
IZE
0402
R07
0603
R14
0805
R15
1206
R18
1210
S41
1812
S43
L
W
T
E / B
英寸
.040 ±.004
.020 ±.004
0.025最大。
.008 ±.004
英寸
.063 ±.008
.032 ±.008
0.035最大。
.010±.005
英寸
.080 ±.010
.050 ±.010
.060最大。
.020±.010
(mm)
(1.02 ±.10)
(0.51 ±.10)
(0.64)
(0.20±.10)
(mm)
(1.60 ±.20)
(0.81 ±.20)
(0.89)
(.25±.13)
(mm)
(2.03 ±.25)
(1.27 ±.25)
(1.52)
(0.51±.25 )
L
W
T
E / B
L
W
T
E / B
英寸
(mm)
(3.17 ±.25)
L .125 ±.010
(1.57 ±.25)
W .062 ±.010
.070 MAX 。
(1.78)
T
E / B 0.020 + .015-0.10 （ 0.51 + 0.38 - 0.25 ）
英寸
(mm)
(3.18 ±.25)
L .125 ±.010
(2.41 ±.25)
W .095 ±.010
0.110最大。
(2.8)
T
E / B 0.020 + .015-0.10 （ 0.51 + 0.38 - 0.25 ）
英寸
.175 ±.010
.125 ±.010
0.110最大。
.035±.020
.140最大。
(mm)
(4.45 ±.25)
(3.17 ±.25)
(2.8)
(0.89±.51)
(3.55)
L
W
T
E / B
*
T
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
50 V
25 V
16 V
10 V
6.3 V
电介质
X7R
X5R
Y5V
W
L
T
E / B
e
LECTRICAL
C
极特
X7R
温度COEF网络cient ：
耗散因数：
绝缘电阻
（最小25°C时，直流工作电压）
介电强度：
测试条件：
其他：
± 15 ％ （ -55至+ 125° C）
为
≥
50 VDC ： 5 ％以下。
为
≤
25 VDC ： 10 ％以下。
X5R
± 15 ％ （ -55至+ 85° C）
为
≥
50 VDC ： 5 ％以下。
为
≤
25 VDC ： 10 ％以下。
500
F
或10 GΩ ，以较低者为准
2.5 X直流工作电压， 25 ° C，最大50mA 。
电容值
≤
22 μF ： ± 1.0kHz @ 50Hz的1.0 ± 0.2 Vrms的
电容值> 22 μF ： 120Hz的± 10Hz的@ 0.5V ± 0.1 Vrms的
额外的介质规格请参阅第20页。
Y5V
+ 22 ％ ， -82 ％ （ -30至+ 85°C ）
为
≥
10 VDC ： 16 ％以下。
6.3 VDC ： 20 ％以下。
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100
F
2.2
F
3.3
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10
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22
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