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STL24NM60N
N沟道600 V ， 0.200
Ω
16 A PowerFLAT 8x8的HV
,
的MDmesh II 功率MOSFET
特点
TYPE
STL24NM60N
V
DSS
@
T
JMAX
650 V
R
DS （ ON）
最大
< 0.215
Ω
I
D
16 A
(1)
1.值根据R级
THJ情况
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这个设备是一个N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局，产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此，适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
24NM60N
包
PowerFLAT 的8x8 HV
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL24NM60N
2011年11月
文档ID 18363第2版
1/14
www.st.com
14
目录
STL24NM60N
目录
1
2
3
4
5
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
.............................................. 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/14
文档ID 18363第2版
STL24NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D (1)
I
D (1)
I
D(2)
I
D(2)
P
TOT （2）
P
TOT(1)
I
AR
E
AS
dv / dt的
(4)
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（连续）在T
AMB
= 25 °C
漏电流（连续）在T
AMB
= 100 °C
价值
600
± 25
16
10
3.3
1.5
13.2
3
125
4
300
15
- 55 150
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
W
A
mJ
V / ns的
°C
°C
I
DM(2),(3)
漏电流（脉冲）
总功耗在T
AMB
= 25 °C
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
1.值根据R级
THJ情况
2.当安装在FR-4板英寸2的， 2盎司铜
3.脉冲宽度有限的安全工作区
4. I
SD
≤
16 A ， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DSpeak
≤
V
（ BR ） DSS
, V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
热数据
参数
热阻结案件最大
价值
1
45
单位
° C / W
° C / W
R
thj-amb(1)
热阻结- AMB最大
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
文档ID 18363第2版
3/14
电气特性
STL24NM60N
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
600
1
100
±100
3
4
0.2
5
0.215
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
Ω
零栅极电压
V
DS
= 600 V
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 600 V ，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（1）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
1400
44
7.4
190
5
46
7
23
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 480 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V，I
D
= 16 A,
V
GS
= 10 V
（见
图3）
-
-
-
-
-
-
1. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DS
.
表6 。
符号
t
D（关闭）
t
r
t
c
t
f
开关时间
参数
打开-O FF延迟时间
上升时间
跨时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 8 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图4）
分钟。
典型值。
11.5
16.5
73
37
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
4/14
文档ID 18363第2版
STL24NM60N
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 16 A，V
GS
= 0
I
SD
= 16 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V（见
图4）
I
SD
= 16 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 100 V，T
j
= 150 °C
（见
图4）
测试条件
分钟。
-
-
-
340
4.6
27
4.4
5.7
28
典型值。
MAX 。 UNIT
16
64
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
文档ID 18363第2版
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