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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第694页 > 24N60C3
SPW24N60C3
的CoolMOS
特点
TM
功率晶体管
产品概述
V
DS
@
T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
I
D
650
0.16
24.3
V
A
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
定期额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P-TO247
TYPE
SPW24N60C3
包
P-TO247
订购代码
Q67040-S4640
记号
24N60C3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
1)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR1),2)
雪崩电流，重复性
t
AR1)
漏源电压斜率
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
GS
功耗
工作和存储温度
1.0版
P
合计
T
j
,
T
英镑
第1页
I
D
=24.3 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
STATIC
AC （F >1赫兹）
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=12.1 A,
V
DD
=50 V
I
D
=24.3 A,
V
DD
=50 V
价值
24.3
15.4
72.9
780
1.5
24.3
50
±20
±30
240
-55 ... 150
W
°C
2004-04-27
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
SPW24N60C3
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
0.52
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
V
GS
=0 V,
I
D
=24.3 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
-1.2毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=15.4 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=15.4 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
f
= 1 MHz时，漏极开路
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=15.4 A
600
-
2.1
-
700
3
-
-
3.9
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
0.1
1
A
-
-
-
-
-
0.14
100
100
0.16
nA
-
-
-
0.34
0.7
24
-
-
-
S
1.0版
第2页
2004-04-27
SPW24N60C3
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
V
GS
=0 V,
V
DS
=0 V
伏至480伏
-
-
V
DD
=480 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=24.3 A,
R
G
=3.3
-
-
-
204
13
21
73
6
-
-
-
-
-
ns
2800
930
66
114
-
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
有效输出电容，能量
C
O（ ER ）
相关
3)
有效的输出电容，时间
相关
4)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
1)
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=24.3 A,
V
GS
= 0到10伏
-
-
-
-
15
49
105
5.4
-
-
137
-
nC
V
脉冲宽度有限的最高温度
T
， MAX
只
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
1.0版
第3页
2004-04-27
SPW24N60C3
参数
符号条件
分钟。
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=480 V,
I
F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
C
=25 °C
V
GS
=0 V,
I
F
=24.3 A,
T
j
=25 °C
-
-
-
-
-
-
-
-
0.96
600
13
70
24.3
72.9
1.2
-
-
-
V
ns
C
A
A
值
典型值。
马克斯。
单位
典型的瞬态热特性
符号
价值
典型值。
R
th1
R
th2
R
th3
R
th4
R
th5
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0.00972
0.0546
0.0906
0.133
K / W
C
th1
C
th2
C
th3
C
th4
C
th5
C
th6
单位
符号
价值
典型值。
0.000231
0.0014
0.00197
0.0112
0.0612
4.4
5)
WS / K
单位
C
th6
模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果
R
THCA
= 0 K / W 。
5)
1.0版
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SPW24N60C3
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
C
=25 °C;
D
=0
参数：
t
p
250
10
2
限于由导通状态
阻力
1 s
10 s
200
100 s
10
1
150
P
合计
[W]
1毫秒
I
D
[A]
DC
10毫秒
100
10
0
50
0
0
40
80
120
160
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T
C
[°C]
V
DS
[V]
3最大。瞬态热阻抗
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
D =吨
p
/T
10
0
4典型。输出特性
I
D
= F（V
DS
);
T
j
=25 °C
参数：
V
GS
80
20 V
7V
6.5 V
70
0.5
60
10
-1
0.2
50
6V
Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
D
[A]
0.05
0.02
40
30
5.5 V
10
-2
0.01
单脉冲
20
10
10
-3
5V
4.5 V
4V
0
-6
10
10
-5
10
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-1
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0
5
10
15
20
t
p
[s]
V
DS
[V]
1.0版
第5页
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SPW24N60C3
的CoolMOS
特点
TM
功率晶体管
产品概述
V
DS
@
T
， MAX
R
DS （ ON） ，最大
I
D
650
0.16
24.3
V
A
新的革命高电压技术
超低栅极电荷
定期额定雪崩
至尊的dv / dt评分
超低电容有效
改进的跨导
P-TO247
TYPE
SPW24N60C3
包
P-TO247
订购代码
Q67040-S4640
记号
24N60C3
最大额定值，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
连续漏电流
符号条件
I
D
T
C
=25 °C
T
C
=100 °C
漏电流脉冲
1)
雪崩能量，单脉冲
雪崩能量，重复
t
AR1),2)
雪崩电流，重复性
t
AR1)
漏源电压斜率
门源电压
I
D，脉冲
E
AS
E
AR
I
AR
的dV / dt
V
GS
V
GS
功耗
工作和存储温度
1.0版
P
合计
T
j
,
T
英镑
第1页
I
D
=24.3 A,
V
DS
=480 V,
T
j
=125 °C
STATIC
AC （F >1赫兹）
T
C
=25 °C
T
C
=25 °C
I
D
=12.1 A,
V
DD
=50 V
I
D
=24.3 A,
V
DD
=50 V
价值
24.3
15.4
72.9
780
1.5
24.3
50
±20
±30
240
-55 ... 150
W
°C
2004-04-27
A
V / ns的
V
mJ
单位
A
SPW24N60C3
参数
符号条件
分钟。
热特性
热阻，结 - 案
热阻，结 -
环境
焊接温度
R
thJC
R
thJA
含铅
1.6毫米（ 0.063英寸）
从案例10秒
-
-
-
-
0.52
62
K / W
值
典型值。
马克斯。
单位
T
出售
-
-
260
°C
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
静态特性
漏源击穿电压
雪崩击穿电压
栅极阈值电压
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0 V,
I
D
=250 A
V
（ BR ） DS
V
GS （ TH）
V
GS
=0 V,
I
D
=24.3 A
V
DS
=V
GS
,
I
D
-1.2毫安
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=25 °C
V
DS
=600 V,
V
GS
=0 V,
T
j
=150 °C
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
=20 V,
V
DS
=0 V
V
GS
=10 V,
I
D
=15.4 A,
T
j
=25 °C
V
GS
=10 V,
I
D
=15.4 A,
T
j
=150 °C
栅极电阻
跨
R
G
g
fs
f
= 1 MHz时，漏极开路
|V
DS
|>2|I
D
|R
DS （ ON）最大值
,
I
D
=15.4 A
600
-
2.1
-
700
3
-
-
3.9
V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
0.1
1
A
-
-
-
-
-
0.14
100
100
0.16
nA
-
-
-
0.34
0.7
24
-
-
-
S
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SPW24N60C3
参数
符号条件
分钟。
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
=0 V,
V
DS
=25 V,
f
= 1兆赫
-
-
-
-
V
GS
=0 V,
V
DS
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伏至480伏
-
-
V
DD
=480 V,
V
GS
=10 V,
I
D
=24.3 A,
R
G
=3.3
-
-
-
204
13
21
73
6
-
-
-
-
-
ns
2800
930
66
114
-
-
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
有效输出电容，能量
C
O（ ER ）
相关
3)
有效的输出电容，时间
相关
4)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷特性
门源费
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
1)
C
O（ TR ）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=24.3 A,
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= 0到10伏
-
-
-
-
15
49
105
5.4
-
-
137
-
nC
V
脉冲宽度有限的最高温度
T
， MAX
只
重复雪崩使得可以计算为额外的功率损耗
P
AV
=E
AR
*f.
C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为
C
OSS
而
V
DS
上升，从0至80％
V
DSS 。
2)
3)
4)
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SPW24N60C3
参数
符号条件
分钟。
反向二极管
二极管连续正向电流
二极管脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
I
S
I
S，脉冲
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
R
=480 V,
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F
=I
S
,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
T
C
=25 °C
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GS
=0 V,
I
F
=24.3 A,
T
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-
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72.9
1.2
-
-
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V
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C
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典型值。
马克斯。
单位
典型的瞬态热特性
符号
价值
典型值。
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R
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R
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C
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C
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单位
符号
价值
典型值。
0.000231
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4.4
5)
WS / K
单位
C
th6
模型的包的情况下的非理想冷却的附加热容量。它是不需要的，如果
R
THCA
= 0 K / W 。
5)
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SPW24N60C3
1功耗
P
合计
= F （T
C
)
2安全工作区
I
D
= F（V
DS
);
T
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=25 °C;
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p
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阻力
1 s
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I
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DS
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j
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参数：
D =吨
p
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10
0
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I
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DS
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参数：
V
GS
80
20 V
7V
6.5 V
70
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Z
thJC
〔 K / W〕
0.1
I
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0.05
0.02
40
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10
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20
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4.5 V
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0
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t
p
[s]
V
DS
[V]
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第5页
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2SK664
2N5551BU
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2SA921R
273J25PP580R
245801060003829
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    24N60C3
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    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
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