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25LC320
32K 2.5V SPI
总线串行EEPROM
特点
SPI模式0,0和1,1
3.0 MHz的时钟速率
单电源与编程操作下来
到2.5V
低功耗CMOS技术
- 最大写入电流: 5.0毫安
- 读电流: 5.5V 1毫安, 3兆赫
- 待机电流: 1
一个典型的
4096 ×8组织
32字节页
连续读
自定时擦除和写入周期
块写保护
- 无保护, 1/4,1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写使能锁存器
- 写保护引脚
高可靠性
- 耐力: 100万次(保证)
- 数据保存: >200年
- ESD保护: >4000V
8引脚PDIP / SOIC , 14引脚TSSOP
支持的温度范围
- 商业( C) :
0
°
C至+70
°
C
- 工业级(I ) :
-40
°
C至+ 85
°
C
封装类型
DIP / SOIC
CS
SO
WP
V
SS
TSSOP
CS 1
SO 2
NC 3
NC 4
NC 5
WP 6
V
SS
7
14 V
CC
13 HOLD
12 NC
11 NC
10 NC
9 SCK
8 SI
1
25LC320
25LC320
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
HOLD
SCK
SI
框图
状态
注册
高压发生器
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
页锁存器
WP
SI
SO
CS
SCK
HOLD
感测放大器。
R / W控制
Y译码
ARRAY
描述
Microchip Technology Inc.的25LC320是一个32K位
串行电可擦除PROM(EEPROM) 。该
记忆是通过一个简单的串行外设访问
接口(SPI)兼容的串行总线。总线信号
需要有一个时钟输入端(SCK)加在单独的数据
(SI)和数据输出(SO )线。对设备的访问是
通过芯片选择(CS )输入进行控制,从而任何
器件的数目,以共享相同的总线。
还有其他两个输入,提供最终用户
额外的灵活性。通信设备
可以通过保持引脚( HOLD)暂停。而
设备被暂停,在输入信号的变化将是
忽略不计,与异常的芯片选择的,允许主机
优先级更高的中断。还写操作
系统蒸发散的状态寄存器可以通过禁用
写保护引脚( WP ) 。
VCC
VSS
SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
DS21158B第1页
25LC320
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值
*
图1-1: AC测试电路
VCC
2.25 K
V
CC
........................................................................ 7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
....... -0.6V到V
CC
+1.0V
存储温度-65 ............................
°
C至150
°
C
在偏置环境温度-65 ..........
°
C至125
°
C
引线焊接温度
( 10秒) .............................................. ...... 300
°
C
所有引脚的ESD保护..................................... 4千伏
*注意:
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力额定
荷兰国际集团的设备仅运行在超过或任何
上述其他条件,在操作列表说明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
的时间会影响器件的可靠性较长时间内条件
SO
1.8 K
100 pF的
1.2
AC测试条件
表1-1:
名字
CS
SO
SI
SCK
WP
V
SS
V
CC
HOLD
NC
引脚功能表
功能
片选输入
串行数据输出
串行数据输入
串行时钟输入
写保护引脚
电源电压
HOLD输入
无连接
AC波形:
V
LO
= 0.2V
V
HI
= VCC - 0.2V
V
HI
= 4.0V
(注1 )
(注2 )
定时测量参考电平
输入
0.5 V
CC
产量
0.5 V
CC
注1 :对于V
CC
4.0V
2 :对于V
CC
& GT ; 4.0V
表1-2:
DC特性
可适用于如下建议的工作范围,除非另有说明:
V
CC
= 2.5V至5.5V
商业( C) :环境温度Tamb = 0
°
C至+70
°
C
工业级(I ) :
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
内部电容
(所有输入和输出)
工作电流
符号
V
IH1
V
IH2
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
I
CC写
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
V
CC
-0.5
-10
-10
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
10
10
7
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
测试条件
V
CC
2.7V
V
CC
& LT ; 2.7V
V
CC
2.7V
V
CC
& LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=-400
A
CS = V
IH
, V
IN
= GND到V
CC
CS = V
IH
, V
OUT
= GND到V
CC
Tamb=25
°
C,F
CLK
= 1.0 MHz时,
V
CC
= 5.5V (注)
V
CC
= 5.5V ; SO =打开
V
CC
= 2.5V ; SO =打开
V
CC
= 5.5V ; SO =开,女
CLK
= 3.0兆赫
V
CC
= 2.5V ; SO =开,女
CLK
-2.0兆赫
CS = V
CC
=5.5V; V
IN
= GND或V
CC
CS = V
CC
=2.5V; V
IN
= GND或V
CC
5
mA
3
mA
I
CC读
1
mA
500
A
A
待机电流
I
CCS
5
2
A
注意:
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
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初步
1996年Microchip的科技公司
25LC320
图1-2:串行输入时序
t
惩教署
CS
t
CSS
SCK
t
SU
SI
在MSB
t
HD
在LSB
t
R
t
CLD
t
F
t
CSH
SO
高阻抗
图1-3:串行输出时序
CS
t
HI
SCK
t
V
SO
MSB OUT
t
HO
t
DIS
LSB OUT
t
LO
t
CSH
SI
不在乎
图1-4:保持时间
CS
t
HS
SCK
t
HZ
SO
n+2
n+1
n
高阻抗
t
HV
n
t
SU
n
n-1
n-1
t
HH
t
HS
t
HH
不在乎
SI
HOLD
n+2
n+1
n
1996年Microchip的科技公司
初步
DS21158B第3页
25LC320
表1-3:
AC特性
可适用于如下建议的工作范围,除非另有说明:
V
CC
= 2.5V至5.5V
商业( C) :环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
工业级(I ) :
环境温度Tamb = -40°C至+ 85°C
符号
f
SCK
t
CSS
t
CSH
t
惩教署
t
SU
t
HD
t
R
t
F
t
HI
t
LO
t
CLD
t
V
t
HO
t
DIS
t
HS
t
HH
t
HZ
t
HV
t
WC
参数
时钟频率
CS建立时间
CS保持时间
CS禁用时间
数据建立时间
数据保持时间
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟延迟时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
HOLD建立时间
HOLD保持时间
HOLD低到输出高阻
高举到输出有效
内部写周期时间
耐力
100
250
100
250
250
500
30
50
50
100
150
250
150
250
50
0
100
100
100
100
100
150
100
150
1M
最大
3
2
2
2
150
250
200
250
5
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
测试条件
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
(注1 )
(注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V (注1 )
V
CC
= 2.5V至4.5V (注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V
V
CC
= 2.5V至4.5V
V
CC
= 4.5V至5.5V (注1 )
V
CC
= 2.5V至4.5V (注1 )
V
CC
= 4.5V至5.5V (注1 )
V
CC
= 2.5V至4.5V (注1 )
ms
(注2 )
东/西环25 ° C, VCC = 5.0V ,块模式
(注3)
注1:此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
2: t
WC
开始于CS的后一次有效的写序列上升沿和结束时的内部自定时写
循环完成。
3:该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子,请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
DS21158B第4页
初步
1996年Microchip的科技公司
25LC320
2.0
操作原理
2.2
读状态寄存器( RDSR )
该25LC320是4096字节EEPROM设计
直接与串行外设接口接口
许多当今流行的微控制器的( SPI )端口
家庭,包括Microchip的中档PIC16CXX
微控制器。它也可以与microcontrol-接口
没有制器内置的SPI接口通过使用显示
混凝土I /软件正确编程O线。
该25LC320包含一个8位指令寄存器。该
部分是通过SI引脚访问,数据通过时钟
在SCK的上升沿。如果在桩号WPEN位
土族寄存器被设置, WP引脚必须保持高
允许写入到非易失性位在状态寄存器
之三。
表2-1列出了可能的指令字节名单
和格式的设备操作。所有的指令,
地址和数据传输MSB科幻RST ,低位在后。
采样数据在SCK的CS后的第一个科幻上升沿
变低。如果时钟线与其他外围设备共享
在SPI 总线上的设备,用户可以断言
HOLD输入,并放置在“ HOLD ”模式的25LC320 。
释放HOLD引脚后,操作将恢复
从点时, HOLD有人断言。
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取,
即使在一个写周期。状态寄存器是格式化
泰德如下:
7
WPEN
6 5 4
X X X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
写在制品(WIP )
位指示是否
25LC320正忙于写操作。当设置为
“1”写入过程中,当设置为'0'没有写在
进展情况。该位是只读的。
写使能锁存器( WEL )
位指示状态
写使能锁存器。当设置为“1”的锁
允许写入阵列和状态寄存器,设置时
到一个“0”锁存器禁止写入阵列和状态
注册。该位的状态总是可以通过更新
国家无论WREN或WRDI命令
对写保护的状态寄存器。该位是只读
只。
块保护( BP0和BP1 )
位指示
哪些块当前写保护状态。这些位
通过发出WRSR指令用户设置。
这些位是非易失性的。
写保护使能( WPEN )
位是一个非易失
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。该
写保护( WP)引脚和写保护启用
在状态( WPEN )位寄存器控制
可编程硬件写保护功能。
硬件写保护时启用WP引脚
低, WPEN位为高。硬件写
当任的WP引脚为高电平或保护被禁用
WPEN位为低。当芯片硬件写
受保护的,只写入非易失性中的位状态
寄存器被禁用。见表2-2矩阵
在WPEN位和图2-1为功能
FL owchart表2-2中。参见图3-5 RDSR时序
序列。
2.1
写使能( WREN)和写
禁用( WRDI )
该25LC320包含一个写使能锁存器。该锁存器
必须设置之前的任何写操作会
在内部完成。 WREN指令将设置
锁存器,以及WRDI将复位锁存器。以下是
的条件列表下,写使能锁存器
将被复位:
上电
WRDI指令成功执行
WRSR指令成功执行
写指令成功执行
表2-1:
指令集
描述
将写使能锁存器(允许写操作)
复位写使能锁存器(禁止写操作)
读状态寄存器
写状态寄存器(写保护启用和块写保护位)
读存储器阵列的数据开始在选定的地址
将数据写入到存储阵列在选定的地址开始
指令名称指令格式
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
表2-2:
WPEN
0
0
1
1
X
X
写保护功能矩阵
WP
X
X
WEL
0
1
0
1
0
1
保护块
保护
保护
保护
保护
保护
保护
未受保护的块
保护
可写
保护
可写
保护
可写
状态寄存器
保护
可写
保护
保护
保护
可写
1996年Microchip的科技公司
初步
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