24C02C
2K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
产品特点:
至5.5V单电源供电,工作在4.5
低功耗CMOS技术:
- 读取电流为1 mA ,典型
- 待机电流10
μA,
典型
2线串行接口,我
2
C兼容
可级联多达八个装置
施密特触发器输入以抑制噪声
输出斜率控制以消除接地反弹
100 kHz和400 kHz时钟的兼容性
快速页或字节写入时间1毫秒,典型的
自定时擦/写周期
16字节页写缓冲
硬件写保护对数组的上半
(80h-FFh)
ESD保护>4,000V
超过百万的擦除/写周期
数据保留>200年
工厂编程可用
套餐包括8引脚PDIP , SOIC , TSSOP ,
DFN和MSOP
无铅并符合RoHS标准
温度范围:
- 工业级(I ) :
-40 ° C至+ 85°C
- 汽车( E) :
-40°C至+ 125°C
封装类型
PDIP , MSOP
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
A0
A1
A2
SOIC , TSSOP
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
WP
SCL
SDA
SDA V
SS
DFN
A0 1
A1 2
A2 3
V
SS
4
8 V
CC
7 WP
6 SCL
5 SDA
框图
A0 A1 A2
WP
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ,SCL
VCC
写保护
电路
YDEC
感测放大器。
R / W控制
描述:
Microchip Technology Inc.的24C02C是一个2K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
256× 8位存储器与2线串行块
界面。低电流设计,允许与操作
典型待机和10只工作电流
μA
1
毫安,分别。该装置具有一个页面的写capabil-
性高达16字节的数据,并且具有快速的写入周期
仅1两个字节页写毫秒时间。
功能性地址线允许最多的连接
高达16K在同一总线上8 24C02C设备
连续的EEPROM存储器位。该装置是
在标准的8引脚PDIP可用, 8引脚SOIC ( 3.90
毫米) , 8引脚2×3 DFN , 8引脚MSOP和TSSOP
包。
VSS
I
2
C是飞利浦公司的商标。
2007 Microchip的技术公司
DS21202G第1页
24C02C
1.0
电气特性
绝对最大额定值
()
V
CC
.............................................................................................................................................................................7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
......................................................................................................... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C
环境温度与功耗应用................................................................................................-40°C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护......................................................................................................................................
≥
4千伏
注:上述“绝对最大额定值”,可能会造成永久性损坏
装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
表1-1:
DC特性
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
符号
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
I
CC
读
I
CC
写
I
CCS
分钟。
0.7 V
CC
—
0.05 V
CC
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
—
0.3 V
CC
—
0.40
±1
±1
10
1
3
50
单位
V
V
V
V
μA
μA
pF
mA
mA
μA
(注)
I
OL
= 3.0毫安, V
CC
= 4.5V
V
IN
= V
SS
或V
CC
, WP = VSS
V
OUT
= V
SS
或V
CC
V
CC
= 5.0V
(注)
T
A
= 25 ° C,F = 1兆赫
V
CC
= 5.5V , SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V , SDA ,SCL = = V
CC
WP = V
SS
条件
所有参数均适用于
规定的工作范围,除非
另有说明。
参数
SCL和SDA引脚:
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容(所有输入/输出)
工作电流
待机电流
注意:
此参数是周期性采样,而不是100 %测试。
DS21202G第2页
2007 Microchip的技术公司
24C02C
表1-2:
AC特性
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
工业级(I ) :
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
汽车( E) :
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
& GT ;
+85°C
分钟。
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
时钟输出有效
总线空闲时间
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
T
SU
:
STA
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
T
AA
T
BUF
—
4000
4700
—
—
4000
4700
0
250
4000
—
4700
马克斯。
100
—
—
1000
300
—
—
—
—
—
3500
—
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
分钟。
—
600
1300
—
—
600
600
0
100
600
—
1300
马克斯。
400
—
—
300
300
—
—
—
—
—
900
—
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
所有参数均适用于
规定的工作范围,除非
另有说明。
参数
符号
单位
备注
(注1 )
(注1 )
在此之后的第一个科幻
产生时钟脉冲
仅与重复
启动条件
(注2 )
T
OF
输出下降时间从V
IH
最低至V
IL
最大
输入滤波器尖峰抑制牛逼
SP
( SDA和SCL引脚)
写周期时间
T
WR
耐力
注1 :
2:
3:
4:
—
—
—
1M
250
50
1.5
—
20 + 0.1 C
B
—
—
1M
250
50
1
—
ns
ns
(注2 )
时间总线必须是自由的
新传输之前
可以启动
(注1 ) ,
C
B
≤
100 pF的
(注3)
MS字节或页模式
周期25 ° C,V
CC
= 5.0V ,座
模式
(注4 )
未经100%测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
作为发送器,器件必须提供内部最小延迟时间,以弥补理解过程把网络定义区域
(最低300纳秒) SCL的下降沿,以避免产生意外的启动或停止条件。
合并牛逼
SP
和V
HYS
规格有因施密特触发器输入,提供改进
噪声尖峰抑制。这省去了一个TI的特定网络连接的阳离子为标准操作。
该参数没有进行测试,但性能可以保证。对于一个具体的估计耐用
应用程序,请参阅可从Microchip网站获得的Total Endurance模型
从www.microchip.com 。
图1-1:
总线时序数据
T
F
T
高
T
R
SCL
T
SU
:
STA
T
低
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
SDA
IN
T
SP
T
HD
:
STA
T
AA
SDA
OUT
T
BUF
2007 Microchip的技术公司
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