25AA080/160
8K / 16K 1.8V SPI
总线串行EEPROM
特点
3 MHz的时钟速率
SPI模式0,0和1,1 。
单电源与编程操作下来
到1.8V
低功耗CMOS技术
- 最大写入电流5mA
- 读电流： 1.0毫安
- 待机电流： 1
一个典型的
组织
- 1024× 8 25AA080
- 2048× 8 25AA160
16字节页
自定时擦除和写入周期
连续读
块写保护
- 无保护， 1/4，1/2或所有阵列
内置写保护
- 电源开/关数据保护电路
- 写锁存器
- 写保护引脚
高可靠性
- 耐力： 1000万次（保证）
- 数据保存： >200年
- ESD保护： >4000 V
8引脚PDIP / SOIC封装
支持的温度范围
- 商业（ C） ：
0
°
C至+70
°
C
- 工业级（I ） ：
-40
°
C至+ 85
°
C
封装类型
PDIP
CS
SO
WP
VSS
1
25AA080/160
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD
SCK
SI
SOIC
CS
SO
WP
VSS
1
25AA080/160
2
3
4
8
7
6
5
VCC
HOLD
SCK
SI
框图
状态
注册
高压发生器
描述
Microchip Technology Inc.的25AA080 / 160顷8K
和16K位的串行电可擦除PROM中。该
记忆是通过一个简单的串行外设访问
接口（SPI）兼容的串行总线。总线信号
需要有一个时钟输入端（SCK）加在单独的数据
（SI）和数据输出（SO ）线。对设备的访问是
通过芯片选择（CS ）输入进行控制，从而任何
器件的数目，以共享相同的总线。
还有其他两个输入，提供最终用户
额外的灵活性。通信设备
可以通过保持引脚（ HOLD）暂停。而
设备被暂停，在输入信号的变化将是
忽略，除芯片的选择，从而允许
主机优先级更高的中断。还写
操作状态寄存器可以通过禁用
写保护引脚（ WP ） 。
WP
SI
SO
CS
SCK
HOLD
感测放大器。
R / W控制
Y译码
EEPROM
I / O控制
逻辑
内存
控制
逻辑
X
DEC
页锁存器
ARRAY
VCC
VSS
SPI是摩托罗拉公司的注册商标。
1996年Microchip的科技公司
初步
本文档与FrameMaker的4 0 4创建
DS21146D第1页
25AA080/160
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
图1-1：
AC测试电路
VCC
V
CC
....................................................................... 7.0V
所有输入和输出w.r.t. ...... V
SS
-0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度.............................- 65 150C
下偏压...........- 65C环境温度至125℃
引线焊接温度（ 10秒） ... + 300°C
所有引脚的ESD保护......................................为4kV
*
注意：
条件超过上述“绝对最大值”上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
等级只与所述设备的那些功能的操作，或
上面的任何其他条件下的作战指示
本规范的上市是不是暗示。置身于马克西 -
妈妈额定条件下，在相当长时间内可能会影响
器件的可靠性。
2.25 K
SO
1.8 K
100 pF的
1.2
AC测试条件
表1-1：
名字
CS
SO
SI
SCK
WP
V
SS
V
CC
HOLD
引脚功能表
功能
片选输入
串行数据输出
串行数据输入
串行时钟输入
写保护引脚
地
电源电压
HOLD输入
AC波形：
V
LO
= 0.2V
V
HI
= VCC - 0.2V
V
HI
= 4.0V
（注1 ）
（注2 ）
定时测量参考电平
输入
0.5 V
CC
产量
0.5 V
CC
注1 ：对于V
CC
≤
4.0V
2 ：对于V
CC
＆ GT ; 4.0V
表1-2：
DC特性
可适用于如下图所示，除非另有说明推荐工作范围。
V
CC
= + 1.8V至5.5V
商业（ C） ：环境温度Tamb
= 0 ° C至+ 70°C
工业级（I ） ：环境温度Tamb
= -40
°
C至+ 85
°
C
参数
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输出电压
高电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
内部电容
（所有输入和输出）
工作电流
符号
V
IH1
V
IH2
V
IL1
V
IL2
V
OL
V
OH
I
LI
I
LO
C
INT
I
CC
写
民
2.0
0.7 V
CC
-0.3
-0.3
—
V
CC
-0.5
-10
-10
—
最大
V
CC
+1
V
CC
+1
0.8
0.3 V
CC
0.4
—
10
10
7
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
mA
A
A
A
测试条件
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
V
CC
≥
2.7V
V
CC
＆ LT ; 2.7V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
=-400
A
CS = V
IH
, V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
, V
OUT
=V
SS
到V
CC
TAMB = 25 ，女
CLK
= 3.0 MHz时，
V
CC
= 5.5V （注）
V
CC
=5.5V
V
CC
=2.5V
V
CC
= 5.5V ; 3兆赫
V
CC
= 2.5V ; 2兆赫
CS = V
CC
= 5.5V ; VIN = 0V或V
CC
CS = V
CC
= 2.5V ; VIN = 0V或V
CC
—
5
—
3
I
CC
读
—
1
—
500
待机电流
I
CCS
—
5
—
2
注意：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
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初步
1996年Microchip的科技公司
25AA080/160
表1-3：
AC特性
可适用于如下图所示，除非另有说明推荐工作范围。
VCC = + 1.8V至5.5V
商业（ C） ：环境温度Tamb = 0°C至+ 70°C
工业级（I ） ：
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
符号
fsck的
参数
时钟频率
民
—
—
—
100
250
500
100
250
500
250
500
500
30
50
50
50
100
100
—
—
150
250
475
150
250
475
50
—
—
—
0
—
—
—
100
100
200
100
100
200
100
150
200
100
150
200
—
10M
最大
3
2
1
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
2
2
—
—
—
—
—
—
—
150
250
475
—
200
250
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
东/西
周期
测试条件
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
（注1 ）
（注1 ）
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V （注1 ）
VCC = 2.5V至4.5V （注1 ）
VCC = 1.8V至2.5V （注1 ）
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V
VCC = 2.5V至4.5V
VCC = 1.8V至2.5V
VCC = 4.5V至5.5V （注1 ）
VCC = 2.5V至4.5V （注1 ）
VCC = 1.8V至2.5V （注1 ）
VCC = 4.5V至5.5V （注1 ）
VCC = 2.5V至4.5V （注1 ）
VCC = 1.8V至2.5V （注1 ）
（注2 ）
25
°
C， VCC = 5.0V ，块模式（注3 ）
TCSS
CS建立时间
TCSH
CS保持时间
TCSD
CS禁用时间
TSU
数据建立时间
THD
数据保持时间
tR
tF
THI
CLK上升时间
CLK下降时间
时钟高电平时间
TLO
时钟低电平时间
TCLD
tV
时钟延迟时间
输出有效
时钟低
输出保持时间
输出禁止时间
寿
TDI发动机
THS
HOLD建立时间
THH
HOLD保持时间
太赫兹
HOLD低到输出高阻
THV
高举到输出有效
TWC
—
内部写周期时间
耐力
注1 ：
此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
2:
TWC开始对CS的上升沿之后有效的写序列结束时，内部自定时写周期的COM
完整的。
3：该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的C应用程序中估计耐用性，请
咨询，可以在我们的论坛或网站获得的总耐力模式。
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25AA080/160
2.0
操作原理
2.2
读状态寄存器（ RDSR ）
该25AA080 / 160是一个2048分之1024字节型EEPROM
被设计为与串行外围设备直接连接
当今许多流行的微型接口（ SPI ）端口
控制器系列，包括Microchip的中端
PIC16CXX单片机。它也可能与接口
不通过具有内置的SPI端口的微控制器
使用带软正确编程离散I / O线
洁具。
该25AA080 / 160包含一个8位指令寄存器。
该部分是通过SI引脚访问，数据是
在SCK时钟信号的上升沿。如果WPEN位
状态寄存器被设置， WP引脚必须保持高
以允许写入的非易失性位在状态稳压
存器。
表2-1列出了可能的指令字节名单
和格式的设备操作。所有的指令，
地址和数据传输MSB科幻RST ，低位在后。
采样数据在SCK的CS后的第一个科幻上升沿
变低。如果时钟线与其他外围设备共享
SPI总线上的设备中，用户可将HOLD
输入并放置在“ HOLD ”模式的25AA080 / 160 。
释放HOLD引脚后，操作将恢复
从点时， HOLD有人断言。
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是格式化
泰德如下：
7
WPEN
6 5 4
X X X
3
BP1
2
BP0
1
WEL
0
WIP
该
写在制品（WIP ）
位指示是否
25AA080 / 160正忙于一个写操作。当设置
到“1”的写入过程中，当设置为“0”没有写入
正在进行中。该位是只读的。
该
写使能锁存器（ WEL ）
位指示状态
写使能锁存器。当设置为“1”的锁
允许写入阵列和状态寄存器，设置时
到一个“0”锁存器禁止写入阵列和状态
注册。该位的状态总是可以通过更新
国家无论WREN或WRDI命令
对写保护的状态寄存器。该位是只读
只。
该
块保护（ BP0和BP1 ）
位指示
哪些块当前写保护状态。这些位
通过发出WRSR指令用户设置。
这些位是非易失性的。
该
写保护使能（ WPEN ）
位是一个非易失
这一点可以作为一个使能位为WP引脚。该
写保护（ WP）引脚和写保护启用
（ WPEN ）中的状态位寄存器控制编程
梅布尔硬件写保护功能。硬件写
保护被启用时， WP引脚为低电平，
WPEN位为高。硬件写保护被禁用
当任的WP引脚为高电平或WPEN位为低。
当芯片被硬件写保护时，只有写入
到非易失性位在状态寄存器中被禁用。
请参阅表2-2为功能上的WPEN矩阵
位图2-1表2-2的FL owchart 。
参见图3-5 RDSR时序。
2.1
写使能（ WREN）和写
禁用（ WRDI ）
该25AA080 / 160包含一个写使能锁存器。这
锁存器必须设置之前的任何写操作会
在内部完成。 WREN指令将设置
锁存器，以及WRDI将复位锁存器。以下是
的条件列表下，写使能锁存器
将被复位：
上电
WRDI指令成功执行
WRSR指令成功执行
写指令成功执行
1996年Microchip的科技公司
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