23A1024/23LC1024

为1Mbit SPI串行SRAM与SDI和SQI接口

器件选型表

部分

数

23A1024

23LC1024

V

CC

范围

1.7-2.2V

2.5-5.5V

双I / O

（ SDI）的

是的

是的

四I / O

（ SQI ）

是的

是的

最大时钟

频率

20兆赫

20兆赫

套餐

SN ， ST ，P

SN ， ST ，P

产品特点：

SPI兼容总线接口：

- 20 MHz的时钟速率

- SPI / SDI / SQI模式

低功耗CMOS技术：

- 读电流：3毫安5.5V ， 20MHz的

- 待机电流： 4

A

在+ 85°C

无限的读写次数

零写入时间

128K ×8位的组织：

- 32字节的页

字节，页和连续模式和读取

写到

高可靠性

温度范围支持：

- 工业级（I ） ：

-40 ° C至+ 85°C

无铅和符合RoHS ，无卤素

8引脚SOIC ， TSSOP和PDIP封装

描述：

Microchip Technology Inc.的23A1024 / 23LC1024

是1兆位串行SRAM器件。内存

通过一个简单的串行外设接口访问（ SPI ）

兼容的串行总线。所需的总线信号是一个

时钟输入（SCK）加在（SI）的单独的数据和数据

输出（SO ）线。对设备的访问控制

通过片选（ CS ）输入。此外， SDI

（串行双接口）和SQI （串行接口四）

支持，如果你的应用需要更快的数据速率。

该器件还支持无限的读取和写入操作

存储器阵列。

该23A1024 / 23LC1024是提供标准

套餐包括8引脚SOIC ， PDIP和先进

8引脚TSSOP封装。

封装类型（不按比例）

引脚功能表

名字

CS

SO/SIO1

SIO2

VSS

SI/SIO0

SCK

HOLD/SIO3

VCC

功能

片选输入

串行输出/ SDI / SQI引脚

SQI引脚

地

串行输入/ SDI / SQI引脚

串行时钟

保持/ SQI引脚

电源

CS

SO/SIO1

SIO2

VSS

SOIC / TSSOP / PDIP

1

2

3

4

8

7

6

5

VCC

HOLD/SIO3

SCK

SI/SIO0

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23A1024/23LC1024

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

V

CC

.............................................................................................................................................................................6.5V

所有输入和输出w.r.t. V

SS

......................................................................................................... -0.3V到V

CC

+0.3V

储存温度...............................................................................................................................-65°C至+ 150°C

在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至+ 85°C

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏

装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述

本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的

在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。

表1-1：

DC特性

工业级（I ） ：

分钟。

1.7

2.5

.7 V

CC

-0.3

—

V

CC

-0.5

—

—

—

—

—

—

典型值

(1)

—

—

—

—

—

—

—

1

3

1

4

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

马克斯。

2.2

5.5

V

CC

+0.3

0.2xV

CC

0.10xV

CC

0.2

—

±1

±1

10

10

4

10

7

—

1.0

—

单位

V

V

V

V

V

A

A

mA

mA

A

A

pF

V

23A1024

23LC1024

I

OL

= 1毫安

I

OH

= -400

A

CS = V

CC

, V

IN

= V

SS或

V

CC

CS = V

CC

, V

OUT

= V

SS或

V

CC

F

CLK

= 20 MHz的; SO = O ， 2.2V

F

CLK

= 20 MHz的; SO = O ， 5.5V

CS = V

CC

= 2.2V ，输入绑

V

CC

或V

SS

CS = V

CC

= 5.5V ，输入绑

V

CC

或V

SS

V

CC

= 0V ， F = 1 MHz时，TA = 25℃

（注

1)

测试条件

23A1024

23LC1024

DC特性

参数。

号

D001

D002

D003

D004

D005

D006

D007

D008

D009

符号。

V

CC

V

IH

V

IL

V

OL

V

OH

I

LI

I

LO

特征

电源电压

高级别输入

电压

低电平输入

电压

低电平输出

电压

高电平的输出

电压

输入漏

当前

输出漏

当前

I

CC

阅读工作电流

I

CCS

待机电流

D010

D011

注1 ：

2:

C

INT

V

DR

输入电容

RAM数据保持

电压

(2)

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。在室温采取典型的测量

温度（25 ℃）。

这是极限到V

DD

可以在不丢失RAM数据被降低。此参数是周期性

采样，而不是100 ％测试。

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表1-2：

AC特性

工业级（I ） ：

分钟。

—

25

50

25

10

10

—

—

25

25

25

—

0

—

10

10

10

—

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

马克斯。

20

—

—

—

—

—

20

20

—

—

—

25

—

20

—

—

—

50

单位

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

—

—

—

—

注1

注1

注1

测试条件

AC特性

参数。

符号。

号

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

注1 ：

F

CLK

T

CSS

T

CSH

T

惩教署

TSU

T

HD

T

R

T

F

T

HI

T

LO

T

CLD

T

V

T

HO

T

DIS

T

HS

T

HH

T

HZ

T

HV

特征

时钟频率

CS建立时间

CS保持时间

CS禁用时间

数据建立时间

数据保持时间

CLK上升时间

CLK下降时间

时钟高电平时间

时钟低电平时间

时钟延迟时间

时钟输出低电平有效。

输出保持时间

输出禁止时间

HOLD建立时间

HOLD保持时间

HOLD低到输出高阻

高举到输出有效

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

表1-3：

AC波形：

AC测试条件

0.1 V

CC

0.9 V

CC

5纳秒

-40 ° C至+ 85°C

—

0.5 V

CC

0.5 V

CC

输入脉冲电平

输入的上升/下降时间

工作温度

C

L

= 30 pF的

输入

产量

定时测量参考电平：

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图1-1：

CS

15

SCK

17

SO

n+2

n+1

n

高阻抗

18

n

5

n

n-1

n-1

16

15

16

保持时间

不在乎

SI

HOLD

n+2

n+1

n

图1-2：

串行输入时序（ SPI模式）

4

CS

2

7

11

8

3

SCK

5

SI

6

在LSB

在MSB

SO

高阻抗

图1-3：

串行输出时序（ SPI模式）

CS

9

SCK

12

13

SO

MSB OUT

14

LSB OUT

10

3

SI

不在乎

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2.0

2.1

功能说明

操作原理

经过正确的

读

指令和地址被发送，

在所选择的地址存储在存储器中的数据

被移出SO引脚。

如果在顺序模式下运行时，存储在所述数据

存储在存储器的一个地址可以顺序读取

通过继续提供时钟脉冲。内部

地址指针自动递增到

下一个较高的地址数据的每个字节被移位后

出。当最高地址到达（ 1FFFFH ）

地址计数器翻转到地址00000H ，

允许读周期无限期延续。

在读操作被拉高CS终止

引脚。

该23A1024 / 23LC1024是1兆位串行SRAM

被设计为与串行外围设备直接连接

众多的接口（ SPI ）端口当今流行

微控制器系列，包括Microchip的PIC

微控制器。它也可以与单片机接口

不采用具有内置的SPI端口制器

在固件中正确编程以离散量I / O线

符合SPI协议。此外， 23A1024 /

23LC1024还能够在SDI经营/ SQI高

加快SPI模式。

该23A1024 / 23LC1024包含一个8位指令

注册。该器件通过SI引脚访问，与

数据是在SCK时钟信号的上升沿。该

CS引脚必须为低电平整个操作。

表2-1

包含可能的指令的列表

字节和格式进行设备操作。所有的指令，

地址和数据传输MSB科幻RST ，低位在后。

2.4

写序

之前的任何企图将数据写入到所述23A1024 /

23LC1024 ，设备必须通过将CS选择

低。

一旦设备被选中，写命令

可通过发出启动

写

指令，后跟

24位的地址，与所述第一7位最高值的

处理是一个“不关心”的位，然后使数据不能

写的。写由CS终止被带到

高。

如果在页模式下操作，在初始数据字节是

移入后，其他字节可移入

装置。地址指针会自动

递增。该操作可以继续用于整个

数据之前页（32字节）将开始被覆盖。

如果在连续模式工作时，初始数据后

字节移入后，其他字节可移入

该设备。内部地址指针automati-

加美云。当地址指针到达

最高地址（ 1FFFFH ）时，地址计数器

翻转到（ 00000H ） 。这允许操作

无限期地持续下去，但是，以前的数据将

覆盖。

2.2

操作模式

该23X1024有三种操作模式是

通过设置模式寄存器的位7和6中选择。

操作模式是字节，页和连拍。

字节操作

- 被选择时，在比特7和6

模式寄存器设置为

00.

在此模式中，读/

写操作被限制为只有一个字节。该

命令后面的24位地址被锁存到

该设备和从设备中的数据到/传送

在接下来的8个时钟（图

2-1 ，图2-2）。

页面操作

- 被选择时，在比特7和6

模式寄存器设置为

10.

该23X1024拥有4096

的32字节的页面。在这种模式下，读取和写入能操作

ations被限制到被寻址的页内（该

地址内部自动递增） 。如果

数据被读取或写入达到页边界，

然后内部地址计数器将递增到

开始页（图

2-3 ，图2-4）。

顺序操作

- 被选择时，位7和6

在模式寄存器设置为

01.

连续操作

灰允许整个阵列进行写入和读

从。内部地址计数器将自动为

递增和页边界将被忽略。当

内部地址计数器到达的结束

阵，地址计数器将翻转到

0x00000

（图

2-5 ，图2-6） 。

2.3

阅读顺序

该器件被选中当CS为低电平。 8位

读

指令被发送到23A1024 /

23LC1024其次是24位的地址，与所述第一

7 MSB的地址是一个“无关”位。

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