23A256/23K256

256K SPI总线的低功耗串行SRAM

器件选型表

产品型号

23K256

23A256

V

CC

范围

2.7-3.6V

1.5-1.95V

PAGE SIZE

32字节

32字节

温度。范围

I，E

I

套餐

P， SN ， ST

P， SN ， ST

产品特点：

马克斯。时钟20MHz的

低功耗CMOS技术：

- 读电流： 3毫安在1 MHz

- 待机电流： 4

A

马克斯。在+ 85°C

32,768 ×8位的组织

32字节页

HOLD引脚

灵活的操作模式：

- 字节读写

- 页面模式（ 32字节页）

- 顺序模式

连续读/写

高可靠性

温度范围内支持：

- 工业级（I ） ：

-40 ° C至+ 85°C

-40°C至+ 125°C

- 汽车（ E） ：

无铅和符合RoHS ，无卤素

描述：

Microchip Technology Inc.的23X256是256千

串行SRAM器件。该存储器通过一个访问

简单的串行外设接口（ SPI ）兼容

串行总线。所需的总线信号的时钟输入

（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）

线。对设备的访问是通过一个芯片控制

选择（ CS ）输入。

通信设备可以通过暂停

HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，

对输入信号的变化都将被忽略，与

除片选，允许主机服务

高优先级中断。

该23X256是标准的封装

包括8引脚PDIP和SOIC封装，以及先进

包装包括8引脚TSSOP封装。

封装类型（不按比例）

引脚功能表

名字

CS

SO

V

SS

SI

SCK

HOLD

V

CC

功能

片选输入

串行数据输出

地

串行数据输入

串行时钟输入

HOLD输入

电源电压

PDIP / SOIC / TSSOP

（P ， SN ， ST ）

CS

SO

NC

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

HOLD

SCK

SI

2010 Microchip的技术公司

DS22100E第1页

23X256

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

V

CC

.............................................................................................................................................................................4.5V

所有输入和输出w.r.t. V

SS

......................................................................................................... -0.3V到V

CC

+0.3V

储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下

在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的

所有引脚的ESD保护...........................................................................................................................................2kV

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏

装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述

本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的

在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。

表1-1：

DC特性

工业级（I ） ：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

汽车（ E） ：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C

分钟。

1.5

2.7

.7 V

CC

-0.3

—

V

CC

-0.5

—

—

—

—

—

—

待机电流

—

—

1

5

4

10

7

—

1.2

—

典型值

(1)

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.2

马克斯。

1.95

3.6

V

CC

+0.3

0.2xV

CC

0.2

—

±0.5

±0.5

3

6

10

1

单位

V

V

V

V

V

V

A

A

mA

mA

mA

A

A

A

pF

V

I

OL

= 1毫安

I

OH

= -400

A

CS = V

CC

, V

IN

= V

SS或

V

CC

CS = V

CC

, V

OUT

= V

SS或

V

CC

F

CLK

= 1 MHz的; SO = O

F

CLK

= 10 MHz的; SO = O

F

CLK

= 20 MHz的; SO = O

CS = V

CC

= 1.8V ，输入连接到V

CC

或V

SS

CS = V

CC

= 3.6V ，输入连接到V

CC

或V

SS

CS = V

CC

= 3.6V ，输入连接到V

CC

或V

SS

@ 125°C

V

CC

= 0V ， F = 1 MHz时，TA = 25℃

（注

1)

测试条件

23A256 （ I-温度）

23K256 （ I， E-温度）

DC特性

参数。

号

D001

D001

D002

D003

D004

D005

D006

D007

D008

符号。

V

CC

V

CC

V

IH

V

IL

V

OL

V

OH

I

LI

I

LO

I

CC

读

工作电流

D009

I

CCS

特征

电源电压

电源电压

高级别输入

电压

低电平输入

电压

低电平输出

电压

高电平的输出

电压

输入漏

当前

输出漏

当前

D010

D011

注1 ：

2:

C

INT

V

DR

输入电容

RAM数据保持

电压

(2)

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。在室温采取典型的测量

温度（25 ℃）。

这是极限到V

DD

可以在不丢失RAM数据被降低。此参数是周期性

采样，而不是100 ％测试。

DS22100E第2页

2010 Microchip的技术公司

23X256

表1-2：

AC特性

工业级（I ） ：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

汽车（ E） ：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C

分钟。

—

—

—

—

50

32

32

25

50

50

50

50

50

32

32

25

10

10

10

10

10

10

10

10

—

—

50

32

32

25

50

32

32

25

50

32

32

25

—

—

—

—

0

马克斯。

10

16

16

20

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2

2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

50

32

32

25

—

单位

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

us

us

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

测试条件

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

注1

注1

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

注1

AC特性

参数。

符号。

号

1

F

CLK

特征

时钟频率

2

T

CSS

CS建立时间

3

T

CSH

CS保持时间

4

T

惩教署

CS禁用时间

5

TSU

数据建立时间

6

T

HD

数据保持时间

7

8

9

T

R

T

F

T

HI

CLK上升时间

CLK下降时间

时钟高电平时间

10

T

LO

时钟低电平时间

11

T

CLD

时钟延迟时间

12

T

V

时钟输出低电平有效。

13

注1 ：

T

HO

输出保持时间

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

2010 Microchip的技术公司

DS22100E第3页

23X256

表1-2：

AC特性（续）

工业级（I ） ：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

汽车（ E） ：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C

分钟。

—

—

—

—

10

10

10

—

马克斯。

20

20

20

20

—

—

—

50

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

测试条件

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

—

—

—

—

AC特性

参数。

符号。

号

14

T

DIS

特征

输出禁止时间

15

16

17

18

注1 ：

T

HS

T

HH

T

HZ

T

HV

HOLD建立时间

HOLD保持时间

HOLD低到输出高阻

高举到输出有效

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

表1-3：

AC波形：

AC测试条件

0.1 V

CC

0.9 V

CC

5纳秒

-40°C至+ 125°C

—

0.5 V

CC

0.5 V

CC

输入脉冲电平

输入的上升/下降时间

工作温度

C

L

= 100 pF的

输入

产量

定时测量参考电平：

DS22100E第4页

2010 Microchip的技术公司

23X256

图1-1：

CS

15

SCK

17

SO

n+2

n+1

n

高阻抗

17

n

5

n

n-1

n-1

保持时间

16

16

15

不在乎

SI

HOLD

n+2

n+1

n

图1-2：

串行输入时序

4

CS

2

SCK

5

SI

6

在LSB

7

8

3

11

在MSB

SO

高阻抗

图1-3：

串行输出时序

CS

9

SCK

12

SO

MSB OUT

不在乎

13

14

LSB OUT

10

3

SI

2010 Microchip的技术公司

DS22100E第5页

23A256/23K256

256K SPI总线的低功耗串行SRAM

器件选型表

产品型号

23K256

23A256

V

CC

范围

2.7-3.6V

1.5-1.95V

PAGE SIZE

32字节

32字节

温度。范围

I，E

I

套餐

P， SN ， ST

P， SN ， ST

产品特点：

马克斯。时钟20MHz的

低功耗CMOS技术：

- 读电流： 3毫安在1 MHz

- 待机电流： 4

A

马克斯。在+ 85°C

32,768 ×8位的组织

32字节页

HOLD引脚

灵活的操作模式：

- 字节读写

- 页面模式（ 32字节页）

- 顺序模式

连续读/写

高可靠性

温度范围内支持：

- 工业级（I ） ：

-40 ° C至+ 85°C

-40°C至+ 125°C

- 汽车（ E） ：

无铅和符合RoHS ，无卤素

描述：

Microchip Technology Inc.的23X256是256千

串行SRAM器件。该存储器通过一个访问

简单的串行外设接口（ SPI ）兼容

串行总线。所需的总线信号的时钟输入

（SCK ），加上在（SI）的单独的数据和数据输出（SO ）

线。对设备的访问是通过一个芯片控制

选择（ CS ）输入。

通信设备可以通过暂停

HOLD引脚（ HOLD ） 。当设备被暂停，

对输入信号的变化都将被忽略，与

除片选，允许主机服务

高优先级中断。

该23X256是标准的封装

包括8引脚PDIP和SOIC封装，以及先进

包装包括8引脚TSSOP封装。

封装类型（不按比例）

引脚功能表

名字

CS

SO

V

SS

SI

SCK

HOLD

V

CC

功能

片选输入

串行数据输出

地

串行数据输入

串行时钟输入

HOLD输入

电源电压

PDIP / SOIC / TSSOP

（P ， SN ， ST ）

CS

SO

NC

V

SS

1

2

3

4

8

7

6

5

V

CC

HOLD

SCK

SI

2010 Microchip的技术公司

DS22100E第1页

23X256

1.0

电气特性

绝对最大额定值

()

V

CC

.............................................................................................................................................................................4.5V

所有输入和输出w.r.t. V

SS

......................................................................................................... -0.3V到V

CC

+0.3V

储存温度.................................................................................................................................-65°C至150℃下

在偏置环境温度...............................................................................................................-40°C至125℃的

所有引脚的ESD保护...........................................................................................................................................2kV

注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损坏

装置。这只是额定和器件运行在超过或任何其他条件超出上述

本说明书中的操作列表表示是不是暗示。暴露在极限条件下的

在相当长时间内可能会影响器件的可靠性。

表1-1：

DC特性

工业级（I ） ：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

汽车（ E） ：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C

分钟。

1.5

2.7

.7 V

CC

-0.3

—

V

CC

-0.5

—

—

—

—

—

—

待机电流

—

—

1

5

4

10

7

—

1.2

—

典型值

(1)

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

0.2

马克斯。

1.95

3.6

V

CC

+0.3

0.2xV

CC

0.2

—

±0.5

±0.5

3

6

10

1

单位

V

V

V

V

V

V

A

A

mA

mA

mA

A

A

A

pF

V

I

OL

= 1毫安

I

OH

= -400

A

CS = V

CC

, V

IN

= V

SS或

V

CC

CS = V

CC

, V

OUT

= V

SS或

V

CC

F

CLK

= 1 MHz的; SO = O

F

CLK

= 10 MHz的; SO = O

F

CLK

= 20 MHz的; SO = O

CS = V

CC

= 1.8V ，输入连接到V

CC

或V

SS

CS = V

CC

= 3.6V ，输入连接到V

CC

或V

SS

CS = V

CC

= 3.6V ，输入连接到V

CC

或V

SS

@ 125°C

V

CC

= 0V ， F = 1 MHz时，TA = 25℃

（注

1)

测试条件

23A256 （ I-温度）

23K256 （ I， E-温度）

DC特性

参数。

号

D001

D001

D002

D003

D004

D005

D006

D007

D008

符号。

V

CC

V

CC

V

IH

V

IL

V

OL

V

OH

I

LI

I

LO

I

CC

读

工作电流

D009

I

CCS

特征

电源电压

电源电压

高级别输入

电压

低电平输入

电压

低电平输出

电压

高电平的输出

电压

输入漏

当前

输出漏

当前

D010

D011

注1 ：

2:

C

INT

V

DR

输入电容

RAM数据保持

电压

(2)

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。在室温采取典型的测量

温度（25 ℃）。

这是极限到V

DD

可以在不丢失RAM数据被降低。此参数是周期性

采样，而不是100 ％测试。

DS22100E第2页

2010 Microchip的技术公司

23X256

表1-2：

AC特性

工业级（I ） ：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

汽车（ E） ：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C

分钟。

—

—

—

—

50

32

32

25

50

50

50

50

50

32

32

25

10

10

10

10

10

10

10

10

—

—

50

32

32

25

50

32

32

25

50

32

32

25

—

—

—

—

0

马克斯。

10

16

16

20

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

2

2

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

50

32

32

25

—

单位

兆赫

兆赫

兆赫

兆赫

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

us

us

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

测试条件

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

注1

注1

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

注1

AC特性

参数。

符号。

号

1

F

CLK

特征

时钟频率

2

T

CSS

CS建立时间

3

T

CSH

CS保持时间

4

T

惩教署

CS禁用时间

5

TSU

数据建立时间

6

T

HD

数据保持时间

7

8

9

T

R

T

F

T

HI

CLK上升时间

CLK下降时间

时钟高电平时间

10

T

LO

时钟低电平时间

11

T

CLD

时钟延迟时间

12

T

V

时钟输出低电平有效。

13

注1 ：

T

HO

输出保持时间

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

2010 Microchip的技术公司

DS22100E第3页

23X256

表1-2：

AC特性（续）

工业级（I ） ：

T

A

= -40 ° C至+ 85°C

汽车（ E） ：T已

A

= -40 ° C至+ 125°C

分钟。

—

—

—

—

10

10

10

—

马克斯。

20

20

20

20

—

—

—

50

单位

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

测试条件

V

CC

½1.5V

（工业级温度）

V

CC

½1.8V

（工业级温度）

V

CC

½3.0V

（ E-温度）

V

CC

½3.0V

（工业级温度）

—

—

—

—

AC特性

参数。

符号。

号

14

T

DIS

特征

输出禁止时间

15

16

17

18

注1 ：

T

HS

T

HH

T

HZ

T

HV

HOLD建立时间

HOLD保持时间

HOLD低到输出高阻

高举到输出有效

此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。

表1-3：

AC波形：

AC测试条件

0.1 V

CC

0.9 V

CC

5纳秒

-40°C至+ 125°C

—

0.5 V

CC

0.5 V

CC

输入脉冲电平

输入的上升/下降时间

工作温度

C

L

= 100 pF的

输入

产量

定时测量参考电平：

DS22100E第4页

2010 Microchip的技术公司

23X256

图1-1：

CS

15

SCK

17

SO

n+2

n+1

n

高阻抗

17

n

5

n

n-1

n-1

保持时间

16

16

15

不在乎

SI

HOLD

n+2

n+1

n

图1-2：

串行输入时序

4

CS

2

SCK

5

SI

6

在LSB

7

8

3

11

在MSB

SO

高阻抗

图1-3：

串行输出时序

CS

9

SCK

12

SO

MSB OUT

不在乎

13

14

LSB OUT

10

3

SI

2010 Microchip的技术公司

DS22100E第5页