了解页模式闪存
存储设备
应用说明
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规格连续性
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订购零件编号的连续性
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欲了解更多信息
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PHPRU \\ VROXWLRQV ？
公开号
23711
调整
A
修订
0
发行日期
2000年5月25日
了解页模式闪存
器件
应用说明
目前AMD的闪存产品具有随机操作
DOM访问时间为45 ns至150的任何地方
纳秒。虽然大多数应用程序都使用AMD的闪存设备
具有约70毫微秒的随机存取时间90毫微秒。该
只提供了45 ns至55 ns的快速访问时间
今天在从1到4兆比特更低的密度的设备。然而
以往，许多新的应用需要高速接入，
高密度，并迁移到较低的电压以
节省电力。但是，更高的密度和更低的电压趋于
以减少在一个标准的随机访问性能
内存架构。因此， AMD是使用不同的
架构方法来表现在增加
几个新的闪存。一种方法被称为
页面模式。
为了帮助描述如何将页面模式设备
工程， Am29PL160C将被用作一个例子。
整个系统。如果有更多的表现仍然需要，
突发模式的设备可以提供的性能。不过，
该系统的复杂性变得更大。
什么是“页？ ”
一个页面是被AC-一小群记忆单词
cessed ，内部的存储器，在并行地而不是
一次一个。到达第一个字的时候
组称为初始接入时间和类似
标准架构的闪存访问时间。
然而，由于该组中的所有单词都存储在
内部缓冲区以下的初始接入时，其他
该组中的字可以有许多重新递送
duced访问时间。
在存储装置中的所有页的大小相同，但
根据设备上的页面的大小而变化。
该Am29PL160C装置的页大小是8个字，
或16个字节，用适当的页面被选择
由较高地址位A3 -A19 。在LSB位A0
A2 （字模式）和A- 1 A2 （字节模式）选择
一个页面中的特定的字/字节。该页面
因此总是排列在一个8字地址bound-
元。表1示出的话对于给定的页面，并
表2示出的字节为一个给定的页面。
器件移植
正如快闪存储器的整体性能IN-
折痕，内部体系结构也变得更
复杂的。通过比较这三个目前AMD闪AR-
chitectures ，标准，页面模式和突发模式，
你可以看到如何的复杂性增加，以
实现更快的访问时间。下图
显示了一个相对性能与复杂关系
船舶。
表1中。
字
突发模式
性能
页模式
WORD 2
标准
WORD 3
WORD 4
复杂性
WORD 5
6字
0
0
1
1
1
1
WORD 0
WORD 1
A2
0
0
文字模式
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
A页面模式设备的引脚与标准兼容
闪光装置。这可确保轻松迁移的bet-
器性能的一部分，几乎增加了复杂性的
7字
出版＃
23711
启：
A
Amendment/0
发行日期：
2000年5月25日
表2中。
字节
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
4个字节
BYTE 5
6字节
7字节
8个字节
9字节
10字节
11字节
12字节
13字节
14字节
15字节
A2
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
字节模式
A1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
A0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
A-1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
一定要去V
IL
和一个有效地址必须放置在
A19 ： A0 。这个第一读具有存取时间t
CE
或T
加
这是典型的标准闪光装置。然而，一
随后的页面读取到一个位置的任何地方
在同一页内的速度要快得多。这个访问时间
被表示为t
PACC
。快页模式访问是转播
通过保持A3- A19恒定和变化的A0 tained
A2到选择特定的词，或改变A-1至A 2 ，以
选择特定的字节，则该页面内。
什么是的益处
工作在页模式？
在页模式下运行的主要优点是
速度。其他的一些好处是在降低的潜力
成本和功耗。这将有可能对
通过使用mul-建立一个快速的内存子系统
在一种叫做银行间tiple存储设备
离开。然而，银行的交错需要多
存储器和外部逻辑，这显著增加
成本相比单页模式存储器设备。
页模式设备还可以降低功率以两种
方式。首先，通过减少时间的功率必须在
更高的主动读取的消费水平。第二，在一些
页模式的设备，通过减少活性读电流
租金要求以下的初始接入时，如
该平均功率的一系列页面的读取是
低。
为了演示的页面模式的速度优势
装置中，我们将比较Am29PL160C的定时
到一个标准的闪光装置。
如何做一个页模式阅读工作？
从页面模式装置中的第一读出相同
从一个标准的闪存设备阅读： CE ＃和OE ＃
A3-A19
同一页面
A-1-A2
Aa
t
加
Ab
t
PACC
Ac
t
PACC
t
PACC
Ad
数据总线
CE＃
OE ＃
Qa
Qb
Qc
Qd
图1.时序图Am29PL160C页面模式读取（字节模式）
该Am29PL160C可伴t
加
来自不同
60纳秒到120纳秒，但我们将看看在其中吨
加
=
90纳秒，而t
PACC
= 30纳秒。图1清楚地描述了
需要90纳秒的初始访问时做的第一
从一个给定页面，但以后每次读取读取
从页面只有30纳秒。从内的每个读取
页面是通过改变A-1至A 2触发。
了解页模式闪存设备
2
例如：比较A页面模式设备
一个标准设备
通过比较一个页面模式器件和标准DE-
副，在速度上的真实优点可以清楚地看出。
比方说，系统A采用页模式闪存存储器
储器装置和系统B采用的是可比的标准
快闪存储器装置。两个系统都使用相同的
处理器和闪存两个设备具有相同的随机
DOM的访问时间。表3示出了有多少时间是重新
通过这两个系统引入来读取连续的8个字节
从内存中。
表3.表比较阅读数页和标准设备之间
系统A ：
Am29PL160C
BYTE 0
1个字节
2字节
BYTE 3
4个字节
BYTE 5
6字节
7字节
总时间
90纳秒（T
加
)
30纳秒（T
PACC
)
30纳秒
30纳秒
30纳秒
30纳秒
30纳秒
30纳秒
300纳秒
系统B ：
可比的标准装置
90纳秒（T
加
)
90纳秒
90纳秒
90纳秒
90纳秒
90纳秒
90纳秒
90纳秒
720纳秒
这两种系统都需要一件T
加
90纳秒做的第一件随机
DOM的访问读取。然而，系统A现在能做子
序贯读取30纳秒，而系统B仍
需要90 ns的完成每一个阅读的COM
命令。通过将所有的访问时间在一起，你可以
看到系统A，使用页模式内存DE-
副，可以读取几乎是2.5倍的速度系统B.
有什么要求上的系统
使用页面模式Flash ？
该系统必须提供内存接口逻辑是
知道页面地址边界和存在差的
ENCE在存取时间的初始接入和A之间
在同一个页面中的后续访问，以使
访问时间（等待状态的数量） ，可以调整
动态。
幸运的是，许多微处理器已经有了这样的
接口逻辑已经融入他们的记忆IN-
terface 。表4描述了这些处理器。
是速度的提高始终
不变？
虽然在前面的例子说明，一个页面
模式存储器设备可以显着地比一个快
标准闪存，改进并不总是CON-
不变。该系统更从同一页读取，
速度越快，平均存取时间。在该系少
TEM从同一页读取速度较慢，平均
访问时间。为了获得最佳性能
从页面模式设备，系统的程序
的结构应使得尽可能多的连续
内容可能是来自同一个页面中。这
可能涉及调整频繁访问的数据结构
Tures的或环跳标签开始页bound-
白羊座。
表4处理器系列和示例从
每个家庭
处理器系列
摩托罗拉的PowerPC
摩托罗拉的Coldfire
夏普ARM
日立的SuperH RISC
示例
MPC850
MCF5307 ， MCF5206e ， MCF5206
LH77790
SH7709 （SH -3）的
怎么样编程和擦除
操作？
程序命令的一个字/字节的工作，和擦除
命令在一个扇区的时间工作，就像他们
做标准闪存存储器。
软件启示
为了充分利用性能恩的
页面模式功能的hancement ，初始访问
需要被最小化，并且页模式访问需要
被最大化，使得平均存取时间为
3
了解页模式闪存设备
低越好。理想情况下，在代码中，所有分支目标某些地区可能
系统蒸发散将在页面的开始对齐，
转移指令将设在所述端
页，在两者之间使用SE-的所有位置
quentially执行的指令。理想情况下，所有的数据结构
Tures的将是页边界对齐。
然而，几乎没有任何代码编译器已经opti-
得到优化的点对准亲上所有分支目标
语法定义的边界。一些优化
编译器支持类似指令的具体技术
重新排序和循环展开，将产生较长
顺序指令序列从而重新
达斯代码分支，但在较低的码树突的成本
sity 。代码链接器还可以启动代码模块在
具体地址或边界强制对齐。
转移目标位置广泛的优化会
无论是需要手动优化代码或某种
的代码后处理器算法，将重新排列IN-
structions或插入空操作，并重新计算相对
为了迫使分支目标对齐分公司地址
换货。
数据结构取向更容易控制，因为sev-
ERAL编译器都支持该功能。一个例子是
随Visual Studio的微软编译器
6.0 。其中的编译选项是
/ ZP [N ] ，
或“结构体
成员对齐“，其中
n
以字节为单位，并且可以是1 ，
2，4 ，8，或16 ，具体取决于什么
n
设置为，的COM
编译器将调整数据结构，以给定的页面bound-
元。例如，
/Zp16
会把结构上16
字节，或8字边界。然而，这可能导致
需要为未使用增加存储空间
空间可以具有在每个数据之间插入
为了记录对准每个记录的开始。
摘要
页模式存储器装置已发展到
提高系统的性能，尽管市场执行解
mands为更高的密度和更低的电压，即会
否则，往往会降低内存的性能。通过
改变内部架构中，页模式
内存允许在每个更快的读取访问时间
页。使用页面模式存储器设备可以提高
性能，同时保持或降低了成本和功耗
消费。但是，该系统必须使用页面模式
为了充分利用其优点适当配
提供的性能优势。
商标
版权所有2000 Advanced Micro Devices公司， Inc.保留所有权利。
AMD ，AMD标识及其组合是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
ExpressFlash是Advanced Micro Devices公司的商标。
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