HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2.0 GHz的
设计者工具包
可用的
典型应用
该HMC226 / HMC226E是理想的：
900 MHz的ISM /蜂窝
1900 MHz的PCS
特点
低插入损耗： 0.6分贝
超小型封装： SOT26
高输入P1dB为+35至+38 dBm的
高输入IP3 ： +55至+61 dBm的
8
开关 - SMT
工作原理图
阳性对照： 0 / + 3V至0 / + 8V
包括在HMC- DK005设计者工具包
概述
该HMC226 & HMC226E是低成本的SPDT
开关6引脚SOT26封装中使用
发射 - 接收应用程序需要非常低的
失真在高信号功率电平。该设备可以
控制信号从DC到2.0 GHz的带宽，尤其是
适用于450兆赫， 900兆赫和1.8 - 2.0 GHz的应用程序
阳离子与0.5 0.8 dB损耗。该设计提供
特殊的P1dB和互调性能;一
+35 dBm的1dB压缩点和+55 dBm的第三
为了拦截在3伏偏置。 RF1和RF2是反射
略去打开时， “关”。片上电路允许单
在非常低的直流电流正电源供电
与CMOS和最TTL兼容控制输入
逻辑系列。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VCTL = 0 / + 3伏， 50欧姆系统
参数
频率
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0.3 - 2.0 GHz的
0.3 - 2.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
70
140
ns
ns
23
17
12
23
21
14
34
31
分钟。
典型值。
0.5
0.6
0.8
26
20
15
27
25
18
38
35
61
55
马克斯。
0.8
0.9
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= 26 dBm的每个音）
开关特性
8 - 48
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2.0 GHz的
插入损耗随温度
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
+25 C
+85 C
-40 C
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
-40
-50
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
RFC
RF1,RF2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 49
开关 - SMT
HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2.0 GHz的
输入0.1和1.0 1dB压缩
与控制电压@ 900 MHz的
40
输入压缩（ DBM）
与压缩
控制电压@ 900 MHz的
控制
输入
输入功率
对于0.1分贝
压缩
（ dBm的）
30
33
35
输入功率
对于1.0分贝
压缩
（ dBm的）
35
38
38.5
35
（ VDC）的
+3
30
+5
+7
8
开关 - SMT
25
0.1分贝压缩
1 dB压缩
注意：不要在功率水平>1分贝连续工作
压缩和不“热切换”的功率水平更高
超过+ 23dBm的（V
CTL
= +有3Vdc ） 。
7
8
20
2
3
4
5
6
控制电压（VDC ）
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A
（ VDC）的
0
+3
0
+5
0
+8
B
（ VDC）的
+3
0
+5
0
+8
0
控制电流
Ia
（ UA）
-5
5
-10
10
-45
45
Ib
（ UA）
5
-5
10
-10
45
-45
信号路径状态
射频到
RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到
RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
DC模块都需要在港口RFC ， RF1和RF2 。
8 - 50
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2.0 GHz的
绝对最大额定值
马克斯。输入功率
(V
CTL
= 0/+3V)
0.05 GHz的
0.5 - 2 GHz的
+27 dBm的
+36 dBm的
-0.2 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
控制电压范围（A & B）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
静电敏感器件
观察处理注意事项
8
开关 - SMT
注意事项：
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
外形绘图
包装信息
产品型号
HMC226
HMC226E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H226
XXXX
226E
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 51
HMC226
/
226E
v03.0505
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2.0 GHz的
典型应用电路
8
开关 - SMT
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入端的A / B可以直接驱动CMOS逻辑（HC）与施加到CMOS逻辑门电路3-8伏特的Vdd 。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口，如图所示。电容值决定了操作的最低频率。
4.最高的射频信号功率能力与V设置为+ 10V达到。该交换机能够正常工作（但在较低的射频功率
能力）的偏置电压低至3V + 。
8 - 52
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC226
/
226E
v03.0505
典型应用
900 MHz的ISM /蜂窝
1900 MHz的PCS
该HMC226 / HMC226E是理想的：
工作原理图
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
特点
低插入损耗： 0.6分贝
超小型封装： SOT26
高输入P1dB为+35至+38 dBm的
高输入IP3 ： +55至+61 dBm的
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
s
IGN
阳性对照： 0 / + 3V至0 / + 8V
s
e
D
设计者工具包
包括在HMC- DK005
新
为
DED
概述
MEN
m
ECO
该HMC226 & HMC226E是低成本的SPDT swit-
OT
CHES 6引脚SOT26封装于和Transmit使用
N
接收应用程序需要非常低的失真
在高信号功率电平。该装置可以控制
信号从DC到2.0GHz的，是特别适合
为450兆赫， 900兆赫和1.8 - 2 GHz的应用
用0.5 0.8 dB损耗。该设计提供了例外
tional的P1dB和互调性能;一
+35 dBm的1dB压缩点和+55 dBm的
第三阶截距为3伏偏置。 RF1和RF2
有反光时打开“关闭” 。片内电路
可以在非常低的直流单正电源供电
目前与CMOS兼容控制输入
最TTL逻辑系列。
11
开关 - SPDT T / R - SMT
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VCTL = 0 / + 3伏， 50欧姆系统
参数
频率
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
DC - 0.5 GHz的
DC - 1.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0 / 5V控制
0 / 3V控制
0.3 - 2.0 GHz的
0.3 - 2.0 GHz的
DC - 2.0 GHz的
TRISE ， TFALL （10 /90％ RF）
的tON ， tOFF的（50％的CTL 10 /90％ RF）的
70
140
ns
ns
23
17
12
23
21
14
34
31
分钟。
典型值。
0.5
0.6
0.8
26
20
15
27
25
18
38
35
61
55
马克斯。
0.8
0.9
1.2
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
插入损耗
隔离
回波损耗
输入功率为1 dB压缩
输入三阶截
（双音输入功率= 26 dBm的每个音）
开关特性
11 - 2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC226
/
226E
v03.0505
插入损耗随温度
0
-0.5
插入损耗（dB ）
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
0
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
隔离
0
-10
隔离度（dB ）
-20
+25 C
+85 C
-40 C
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
-40
-50
2
2.5
0
0.5
1
40
输入压缩（ DBM）
-30
s
IGN
DES
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
回波损耗
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
0
0.5
1
1.5
2
2.5
频率（GHz ）
RFC
RF1,RF2
输入0.1和1.0 1dB压缩
与控制电压@ 900 MHz的
11
开关 - SPDT T / R - SMT
11 - 3
35
30
25
0.1分贝压缩
1 dB压缩
20
2
3
4
5
6
7
8
控制电压（VDC ）
与压缩
控制电压@ 900 MHz的
控制
输入
（ VDC）的
+3
+5
+7
输入功率0.1分贝
压缩
（ dBm的）
30
33
35
输入功率1.0分贝
压缩
（ dBm的）
35
38
38.5
真值表
*控制输入电压容差为± 0.2伏。
控制输入*
A
（ VDC）的
0
+3
0
+5
0
+8
B
（ VDC）的
+3
0
+5
0
+8
0
控制电流
Ia
（ UA）
-5
5
-10
10
-45
45
Ib
（ UA）
5
-5
10
-10
45
-45
信号路径状态
射频到
RF1
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
射频到
RF2
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
注意：不要在功率水平>1分贝的COM连续工作
PRESSION并没有“热切换”的功率电平大于+ 23dBm的
(V
CTL
= +有3Vdc ） 。
绝对最大额定值
马克斯。输入功率
(V
CTL
= 0/+3V)
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
0.05 GHz的
0.5 - 2 GHz的
+27 dBm的
+36 dBm的
-0.2 + 12VDC
-65至+150°C
-40至+85 C
1A级
控制电压范围（A & B）
DC模块都需要在港口RFC ， RF1和RF2 。
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC226
/
226E
v03.0505
外形绘图
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
注意事项：
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
s
IGN
DES
11
开关 - SPDT T / R - SMT
包装信息
产品型号
HMC226
HMC226E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
1.引线框架材料：铜合金
2.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
3.尺寸不包括为0.15mm每边MOLDFLASH 。
4.尺寸不包括为0.25mm每边MOLDFLASH 。
5.所有接地导线必须焊接到PCB RF地面。
无铅封装
锡/铅焊料
100 ％雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H226
XXXX
226E
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
典型应用电路
注意事项：
1.设置逻辑门和开关VDD = + 3V至+ 5V和使用
HCT系列逻辑提供TTL驱动器接口。
2.控制输入A / B ，可直接驱动CMOS
逻辑（HC）为3 8伏的Vdd施加到CMOS
逻辑门。
3.隔直流电容器所需要的每个RF端口
如图所示。电容值决定的最低频率
操作。
4.最高的射频信号功率能力实现了与V
设定为+ 10V 。该交换机能够正常工作（但
较低的射频功率能力）的偏置电压低至3V + 。
11 - 4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC226
/
226E
v03.0505
评估电路板
D
E
U
IN
T
N
O
T
C
C
S
U
I
D
D
O
R
P
新
为
DED
MEN
COM
牛逼RE
No
s
IGN
DES
砷化镓MMIC + 3V SOT26发送/
接收开关， DC - 2 GHz的
11
开关 - SPDT T / R - SMT
11 - 5
材料的评价PBC 101675一览
[1]
项
J1 - J3
J4 - J7
C1 - C3
U1
PCB
[2]
描述
印刷电路板安装SMA射频连接器
DC引脚
330 pF的电容， 0402 PKG 。
HMC226 / HMC226E T / R开关
101659 PCB评价
[1]订购完整的评估电路板时参考此号码
[ 2 ]电路板材质：罗杰斯4350
在网络连接最终应用中的电路板应
用适当的射频电路设计技产生
niques 。在RF端口的信号线应该有50
欧姆阻抗和封装地面动态
包底部应直接连接到所述
接地平面类似于上面所示。的进行评价，
如上所示uation电路板可以从
赫梯Microwave公司索取。
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
QQ：2881677436 复制
