NK2216
南科
双N沟道增强型MOSFET
特征
16V/6A,
R
DS ( ON)
= 22毫欧(MAX) @V
GS
= 4.5V.
R
DS ( ON)
= 27毫欧(最大值) @V
GS
= 2.5V.
超级高密度电池设计极低R
DS ( ON) 。
可靠,坚固耐用。
TSSOP - 8表面贴装封装。
TSSOP-8
A
PPLICATIONS
●
锂离子电池保护电路
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流连续
T
A
= 25° ,除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
极限
16
±10
6
单位
V
V
A
电气特性
参数
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流,正向
门体漏电流,反向
BVDSS
IDSS
IGSSF
IGSSR
T
A
= 25° ,除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值。
最大
单位
VGS = 0V ,ID = 250μA
VDS = 6V , VGS = 0V
VGS = 10V , VDS = 0V
VGS = -10V , VDS = 0V
16
-
-
-
-
-
-
-
-
1
100
-100
V
A
nA
nA
基本特征
栅极阈值电压
静态漏源
RDS ( ON)
导通电阻
VGS = 2.5V ,ID = 5.2A
-
22
27
mΩ
VGS ( TH)
VGS = VDS , ID = 250μA
VGS = 4.5V ,ID = 6.0A
0.4
-
-
16
1.3
22
V
mΩ
漏源二极管的特性和最大额定值
漏源二极管的正向电压
VSD
VGS = 0V, IS = 1.5A
1.2
V
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2006年9月6日
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