21DQ06
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，2 A
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
极低的正向电压降
阴极
阳极
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） - 免费的电镀
设计和工业级合格
DO-204AL
产品概述
I
F（ AV ）
V
R
2A
60 V
描述
该21DQ06轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
V
F
T
J
2 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
2
60
V
0.55
- 40150
°C
单位
A
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
21DQ06
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 106 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 8毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
2
340
60
4.0
0.5
mJ
A
A
单位
文档编号： 93280
修订日期：06- NOV- 08
如有技术问题，请联系： diodes-tech@vishay.com
www.vishay.com
1
21DQ06
日前，Vishay高功率产品
电气规格
参数
符号
2A
最大正向电压降
V
调频（1）
4A
2A
4A
最大反向漏电流
典型结电容
典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
典型值。
0.53
0.67
0.49
0.61
0.02
7.0
120
8.0
马克斯。
0.60
0.75
0.55
0.67
0.50
10
mA
pF
nH
V
单位
肖特基整流器，2 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
见图。 4
R
thJA
R
thJL
100
° C / W
25
0.33
0.012
g
盎司
21DQ06
机箱样式DO - 204AL （ D- 41 ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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2
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文档编号： 93280
修订日期：06- NOV- 08
21DQ06
肖特基整流器，2 A
日前，Vishay高功率产品
10
结电容 - C
T
（PF ）
1000
100
中T = 25℃
J
瞬时正向电流 - I
F
(A)
T = 150℃
J
J
10
0
20
40
60
R
EVERSE沃尔特GE - V
R
(V)
T = 125°C
1
T
J
= 25°C
图。 3 - 典型结电容与反向电压
150
Allowa BLE导联T
emperature - （ ° C）
DC
120
90
S
单方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
60
30
= 1/8英寸
见注（ 1 ）
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
正向电压下降 - V
FM
(V)
0
0
1
2
3
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2
平均功耗 - （瓦特）
100
10
1
0.1
0.01
25°C
0.001
0.0001
0
20
40
60
反向Voltag ê - V
R
(V)
T = 150℃
J
125°C
100°C
75°C
50°C
R
EVERSE电流 - 我
R
（MA ）
1.6
1.2
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
0.8
R LIMIT
MS
0.4
0
0
1
2
3
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
图。 5 - 正向功率损耗特性
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
L
J
转
）个R
thJL
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图5） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
文档编号： 93280
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3
21DQ06
日前，Vishay高功率产品
肖特基整流器，2 A
非-R
epetitive S
督促电流 - 我
FS
(A)
M
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
按S
URGE
10
10
100
1000
10000
S
单方波脉冲持续时间 - T的P（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
订购信息表
器件代码
21
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
D
2
Q
3
06
4
TR
5
21 = 2.1 A（轴向和小包装 - 电流×10 ）
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
06 =额定电压： 60 V
TR =磁带和卷轴包装（ 5000个）
TB =卷带包装盒（弹药 - 3000个）
无=箱包（1000个）
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http://www.vishay.com/doc?95304
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
公告PD- 20714转。 03/03
21DQ06
肖特基整流器器
2 AMP
DO-41
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
V
F
T
J
@ 2 APK ，T
J
= 125°C
范围
描述/功能
单位
A
V
V
°C
该21DQ06轴向引线肖特基整流器已opti-
而得到优化为非常低的正向电压降，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源支持
层，转换器，续流二极管，反向电池
保护。
低调，轴向引线外形
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
极低的正向电压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期
可靠性
21DQ06
2
60
0.55
- 40150
封装类型和尺寸
符合JEDEC外形DO- 204AL （ DO- 41 ）
尺寸在毫米和英寸
www.irf.com
1
21DQ06
公告PD- 20714转。 03/03
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
21DQ06
60
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。 4
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
340
60
4.0
0.5
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
为V
RRM
应用的
21DQ06
2
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 106 ° C，矩形波的形式
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1安培中，L = 8毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
21DQ06
典型值。
0.53
0.67
0.49
0.61
0.02
7.0
120
8.0
马克斯。
0.60
0.75
0.55
0.67
0.50
10
单位
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
@ 2A
@ 4A
@ 2A
@ 4A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流
(1)
典型结电容
典型的串联电感
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号range100Khz至1MHz） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围
马克斯。储存温度范围
21DQ06单位条件
-40至150
-40至150
100
25
°C
°C
° C / W DC操作
无散热片
°C / W DC操作（参见图4）
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境
R
thJL
典型热阻结
铅
wt
大约重量
机箱样式
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
0.33 （ 0.012 ）， G（盎司）。
DO-204AL(DO-41)
热失控条件对自己的散热器二极管
2
www.irf.com
21DQ06
公告PD- 20714转。 03/03
1 00
10
1
0 .1
0.01
25°C
0 .001
Instantan eous FORW ARD光凭目前 - 我
F
(A)
T
J
= 150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
反C光凭目前 - 我
R
（M A）
10
0 .000 1
0
T = 150℃
J
J
20
40
60
倒V oltag ê - V
R
(V )
T = 125°C
1
T
J
= 25°C
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
100 0
（PF ）
君ction apacitan CE - C
T
10 0
T
J
= 25°C
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1 .2
前锋V olta GE ROP - V
FM
(V)
10
0
20
40
60
倒V olta GE - V
R
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
www.irf.com
3
21DQ06
公告PD- 20714转。 03/03
1 50
Allowa BLE铅碲米PE重新拉图 - （ ° C）
2
平均功耗 - （W的ATT ）
DC
1 20
1.6
90
广场瓦特AVE （ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
1.2
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0.20
0.25
0.33
0.50
0.75
DC
60
0.8
RM S廉它
30
= 1/8英寸
见说明（ 2 ）
0.4
0
0
1
2
3
平均FORW ARD urren吨 - 我
F（ AV）
(A)
0
0
1
2
3
平均FORW ARD urren吨 - 我
F（ AV ）
(A)
图。 4 - 最大允许焊接温度
与平均正向电流
图。 5 - 正向功率损耗特性
1000
非REPE titive浪涌 urren吨 - 我
FSM
(A)
100
在任何额定载荷C ondition
和W i个为V
RRM
应用的
按照荷兰国际集团浪涌
10
10
100
1000
10000
广场W AVE脉冲 uration - T的P （M icrosec ）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
(2)
公式中使用：T已
L
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJL
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图5） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
www.irf.com
21DQ06
公告PD- 20714转。 03/03
订购信息表
器件代码
21
1
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
D
2
Q
3
06
4
TR
5
21 = 2.1A （轴向和小包装 - 当前是X10 ）
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
06 =额定电压： 60V
TR =带&卷轴包（ 5000个）
TB =磁带&箱包（弹药-3000个）
-
=箱包（1000个）
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和工业级合格。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7309
请访问我们的www.irf.com销售联系人信息。 03/03
www.irf.com
5
VS- 21DQ06 ， VS- 21DQ06 -M3
www.vishay.com
威世半导体
肖特基整流器，2 A
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
阴极
阳极
极低的正向电压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和长期
长期可靠性
DO-204AL
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO- 204AL （DO- 41）的
2A
60 V
0.55 V
在125℃ 10毫安
150 °C
单芯片
4.0兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- 21DQ06 ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
V
F
T
J
2 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
2
60
V
0.55
- 40150
°C
单位
A
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-21DQ06
60
VS-21DQ06-M3
60
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 106 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1 ， L = 8毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
2
340
60
4.0
0.5
mJ
A
A
单位
修订： 21 09月11
文档编号： 93280
1
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
www.vishay.com/doc?91000
VS- 21DQ06 ， VS- 21DQ06 -M3
www.vishay.com
威世半导体
电气规格
参数
符号
2A
最大正向电压降
V
调频（1）
4A
2A
4A
最大反向漏电流
典型结电容
典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
典型值。
0.53
0.67
0.49
0.61
0.02
7.0
120
8.0
马克斯。
0.60
0.75
0.55
0.67
0.50
10
mA
pF
nH
V
单位
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
见图。 4
R
thJA
R
thJL
100
° C / W
25
0.33
0.012
g
盎司
21DQ06
机箱样式DO - 204AL （ D- 41 ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
修订： 21 09月11
文档编号： 93280
2
您所在区域内的技术问题：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档
受到特定的免责声明，阐明的AT
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VS- 21DQ06 ， VS- 21DQ06 -M3
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威世半导体
150
I
F
- 正向电流（A ）
10
含铅允许温度（ ℃）
DC
120
1
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
90
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
60
30
= 1/8英寸
SEE
注（1）
0
0
1
2
3
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
93280_04
93280_01
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2
100
I
R
- 反向电流（mA ）
平均功耗（ W）
10
1
0.1
0.01
T
J
= 150° C
T
J
= 125° C
T
J
= 100° C
T
J
= 75° C
T
J
= 50° C
T
J
= 25° C
1.6
1.2
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
0.8
RMS限制
0.001
0.0001
0
20
40
60
0.4
0
0
93280_05
1
2
3
93280_02
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - - 反向电流与典型值
反向电压
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
1000
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
100
T
J
= 25 °C
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
0
93280_03
10
10
100
1000
10 000
20
40
60
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - - 典型结电容与
反向电压
93280_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
(1)
记
公式中使用：T已
L
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJL
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图5） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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修订： 21 09月11
VS- 21DQ06 ， VS- 21DQ06 -M3
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
21
2
D
3
Q
4
06
5
TR
6
-M3
7
威世半导体产品
21 =额定电流，2 A
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
06 =额定电压： 60 V
TR =磁带和卷轴包装
TB =卷带弹药盒包装
无=散包
7
-
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-21DQ06
VS-21DQ06TR
VS-21DQ06TB
VS-21DQ06-M3
VS-21DQ06TR-M3
VS-21DQ06TB-M3
QUANTITY PER T / R
1000
5000
3000
1000
5000
3000
最小起订量
1000
5000
3000
1000
5000
3000
包装说明
体积
磁带和卷轴
磁带和弹药盒
体积
磁带和卷轴
磁带和弹药盒
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO- 204AL （ DO- 41 ）
尺寸
毫米（英寸）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
阴极带
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
5.21 (0.205)
马克斯。
5.21 (0.205)
马克斯。
1.27 （ 0.050 ）最大。
闪存（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
修订： 8月29日11
文档编号： 95241
1
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