VS- 21DQ04 ， VS- 21DQ04 -M3
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威世半导体
肖特基整流器，2 A
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
阴极
阳极
极低的正向电压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和
长期可靠性
DO-204AL
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO- 204AL （DO- 41）的
2A
40 V
0.5 V
在125℃ 10毫安
150 °C
单芯片
5.0兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- 21DQ04 ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
V
F
T
J
2 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
2
40
V
0.5
- 40150
°C
单位
A
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-21DQ04
40
VS-21DQ04-M3
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 112 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
2
420
70
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 21 09月11
文档编号： 93279
1
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威世半导体
电气规格
参数
符号
2A
最大正向电压降
V
调频（1）
4A
2A
4A
最大反向漏电流
典型结电容
典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
典型值。
0.49
0.60
0.42
0.56
0.01
5.2
130
8.0
马克斯。
0.55
0.65
0.5
0.62
0.50
10
mA
pF
nH
V
单位
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
见图。 4
R
thJA
R
thJL
100
° C / W
25
0.33
0.012
g
盎司
21DQ04
机箱样式DO - 204AL （ D- 41 ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
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2
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威世半导体
150
I
F
- 正向电流（A ）
10
含铅允许温度（ ℃）
DC
120
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
90
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
60
30
= 1/8英寸
SEE
注（1）
0
0
1
2
3
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
93279_04
93279_01
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2
100
I
R
- 反向电流（mA ）
平均功耗（ W）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
T
J
= 150° C
T
J
= 125° C
T
J
= 100° C
T
J
= 75° C
T
J
= 50° C
T
J
= 25° C
1.6
1.2
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
0.8
RMS限制
0.4
0
10
20
30
40
93279_05
0
1
2
3
93279_02
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
1000
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25°C
100
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
0
93279_03
10
10
100
1000
10 000
10
20
30
40
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
93279_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
修订： 21 09月11
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3
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
21
2
D
3
Q
4
04
5
TR
6
-M3
7
威世半导体产品
21 =电流额定值2 A
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
04 =额定电压： 40 V
TR =磁带和卷轴包装
TB =卷带弹药盒包装
无=散包
7
-
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-21DQ04
VS-21DQ04TR
VS-21DQ04TB
VS-21DQ04-M3
VS-21DQ04TR-M3
VS-21DQ04TB-M3
QUANTITY PER T / R
1000
5000
3000
1000
5000
3000
最小起订量
1000
5000
3000
1000
5000
3000
包装说明
体积
磁带和卷轴
磁带和弹药盒
体积
磁带和卷轴
磁带和弹药盒
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文档编号： 93279
4
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO- 204AL （ DO- 41 ）
尺寸
毫米（英寸）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
阴极带
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
5.21 (0.205)
马克斯。
5.21 (0.205)
马克斯。
1.27 （ 0.050 ）最大。
闪存（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
修订： 8月29日11
文档编号： 95241
1
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