VS- 21DQ04 ， VS- 21DQ04 -M3
www.vishay.com
威世半导体
肖特基整流器，2 A
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
阴极
阳极
极低的正向电压降
高纯度，耐高温环氧树脂
封装提高机械
强度和防潮性
保护环，增强耐用性和
长期可靠性
DO-204AL
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
DO- 204AL （DO- 41）的
2A
40 V
0.5 V
在125℃ 10毫安
150 °C
单芯片
5.0兆焦耳
符合RoHS指令2002/95 / EC
设计和合格的商用水平
无卤素，符合IEC 61249-2-21定义
（ -M3只）
描述
在VS- 21DQ04 ...轴向引线肖特基整流器已
对于非常低的正向压降进行了优化，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源
电源，转换器，续流二极管和逆向
电池保护。
主要额定值及特点
符号
I
F（ AV ）
V
RRM
V
F
T
J
2 APK ，T
J
= 125 °C
范围
特征
方波
值
2
40
V
0.5
- 40150
°C
单位
A
电压额定值
参数
最大直流反向电压
最大工作峰值反向电压
符号
V
R
V
RWM
VS-21DQ04
40
VS-21DQ04-M3
40
单位
V
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 112 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
2
420
70
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
修订： 21 09月11
文档编号： 93279
1
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VS- 21DQ04 ， VS- 21DQ04 -M3
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威世半导体
电气规格
参数
符号
2A
最大正向电压降
V
调频（1）
4A
2A
4A
最大反向漏电流
典型结电容
典型的串联电感
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
值
典型值。
0.49
0.60
0.42
0.56
0.01
5.2
130
8.0
马克斯。
0.55
0.65
0.5
0.62
0.50
10
mA
pF
nH
V
单位
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
见图。 4
R
thJA
R
thJL
100
° C / W
25
0.33
0.012
g
盎司
21DQ04
机箱样式DO - 204AL （ D- 41 ）
dP
合计
1
------------ ------------- <热失控条件对自己的散热器二极管
-
-
dT
J
R
thJA
修订： 21 09月11
文档编号： 93279
2
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VS- 21DQ04 ， VS- 21DQ04 -M3
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威世半导体
150
I
F
- 正向电流（A ）
10
含铅允许温度（ ℃）
DC
120
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
90
方
波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
60
30
= 1/8英寸
SEE
注（1）
0
0
1
2
3
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
93279_04
93279_01
V
FM
- 正向压降（ V）
图。 1 - 最大正向压降特性
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2
100
I
R
- 反向电流（mA ）
平均功耗（ W）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
T
J
= 150° C
T
J
= 125° C
T
J
= 100° C
T
J
= 75° C
T
J
= 50° C
T
J
= 25° C
1.6
1.2
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
0.8
RMS限制
0.4
0
10
20
30
40
93279_05
0
1
2
3
93279_02
V
R
- 反向电压（ V）
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
1000
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
C
T
- 结电容（pF ）
T
J
= 25°C
100
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下
浪涌
10
0
93279_03
10
10
100
1000
10 000
10
20
30
40
V
R
- 反向电压（ V）
图。 3 - 典型结电容与反向电压
93279_06
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。钯
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
修订： 21 09月11
文档编号： 93279
3
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VS- 21DQ04 ， VS- 21DQ04 -M3
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订购信息表
器件代码
威世半导体
VS-
1
1
2
3
4
5
6
-
-
-
-
-
-
21
2
D
3
Q
4
04
5
TR
6
-M3
7
威世半导体产品
21 =电流额定值2 A
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
04 =额定电压： 40 V
TR =磁带和卷轴包装
TB =卷带弹药盒包装
无=散包
7
-
环境位数
无=铅（ Pb），并且符合RoHS标准
-M3 =无卤素，符合RoHS标准，并终止铅（Pb ） - 免费
订购信息
（例）
首选的P / N
VS-21DQ04
VS-21DQ04TR
VS-21DQ04TB
VS-21DQ04-M3
VS-21DQ04TR-M3
VS-21DQ04TB-M3
QUANTITY PER T / R
1000
5000
3000
1000
5000
3000
最小起订量
1000
5000
3000
1000
5000
3000
包装说明
体积
磁带和卷轴
磁带和弹药盒
体积
磁带和卷轴
磁带和弹药盒
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尺寸
最热资讯
包装信息
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www.vishay.com/doc?95304
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修订： 21 09月11
文档编号： 93279
4
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外形尺寸
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威世半导体
轴向DO- 204AL （ DO- 41 ）
尺寸
毫米（英寸）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
阴极带
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
27.0 （ 1.06 ）最低。
（ 2处）
5.21 (0.205)
马克斯。
5.21 (0.205)
马克斯。
1.27 （ 0.050 ）最大。
闪存（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
0.86 (0.034)
DIA 。
0.72 (0.028)
（ 2处）
2.70 (0.106)
DIA 。
2.29 (0.090)
修订： 8月29日11
文档编号： 95241
1
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公告PD- 20707转。 03/03
21DQ04
肖特基整流器器
2 AMP
DO-41
主要额定值及特点
特征
I
F（ AV ）
矩形
波形
V
RRM
V
F
T
J
@ 2 APK ，T
J
= 125°C
范围
描述/功能
单位
A
V
V
°C
该21DQ04轴向引线肖特基整流器已opti-
而得到优化为非常低的正向电压降，具有中等
泄漏。典型的应用是在开关电源支持
层，转换器，续流二极管，反向电池
保护。
低调，轴向引线外形
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
极低的正向电压降
高频率运行
保护环，增强耐用性和长期
可靠性
21DQ04
2
40
0.5
- 40150
封装类型和尺寸
符合JEDEC外形DO- 204AL （ DO- 41 ）
尺寸在毫米和英寸
www.irf.com
1
21DQ04
公告PD- 20707转。 03/03
电压额定值
产品型号
V
R
马克斯。 DC反向电压（ V）
V
RWM
马克斯。工作峰值反向电压（ V）
21DQ04
40
绝对最大额定值
参数
I
F（ AV ）
马克斯。平均正向电流
*请参阅图。 4
I
FSM
E
AS
I
AR
马克斯。峰值一个周期非重复性
浪涌电流*请参阅图。 6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
420
70
5.0
1.0
A
mJ
A
5μs的正弦或3μs的矩形。脉冲
以下任何额定
载荷条件和
10ms的正弦或6ms的矩形。脉冲额定V
RRM
应用的
21DQ04
2
单位
A
条件
占空比为50％ @ T
C
= 112 ° C，矩形波的形式
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0安培， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大。 V
A
= 1.5× V
R
典型
电气规格
参数
V
FM
马克斯。正向电压降
(1)
21DQ04
典型值。
0.49
0.60
0.42
0.56
0.01
5.2
130
8.0
马克斯。
0.55
0.65
0.5
0.62
0.50
10
单位
V
V
V
V
mA
mA
pF
nH
@ 2A
@ 4A
@ 2A
@ 4A
条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
I
RM
C
T
L
S
马克斯。反向漏电流
(1)
典型结电容
典型的串联电感
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
= 5V
DC
（测试信号范围100kHz至1MHz ） 25℃
测铅铅从封装体5毫米
（1 ）脉冲宽度： LT ; 300μS ，占空比和2 ％
热机械规格
参数
T
J
T
英镑
马克斯。结温范围（ * ）
马克斯。储存温度范围
21DQ04单位
-40至150
-40至150
100
25
°C
°C
条件
R
thJA
马克斯。热阻结
到环境
R
thJL
典型热阻结
铅
wt
大约重量
机箱样式
（ * ） dPtot
DTJ
＆ LT ;
1
Rth的第（j-一）
° C / W DC操作
无散热片
° C / W DC操作（ *请参阅图4）
0.33 （ 0.012 ）， G（盎司）。
DO-204AL(DO-41)
热失控条件对自己的散热器二极管
2
www.irf.com
21DQ04
公告PD- 20707转。 03/03
100
反C光凭目前 - 我
R
（M A）
10
10
1
0.1
0.01
T
J
= 150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
0.0 01
在站NTA NE的OU FORW ARD光凭目前 - 我
F
(A)
0.000 1
0
10
20
30
40
T = 150℃
J
J
倒V oltage - V
R
(V)
T = 125°C
1
T
J
= 25°C
图。 2 - 典型值反向电流
与反向电压
1 000
接口C apacitan CE - C
T
（PF ）
T
J
= 25°C
100
0.1
0
0.3
0 .6
0.9
1.2
FORW ARD电压D ROP - V
FM
(V)
10
0
10
20
30
40
反向电压 - V
R
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
图。 3 - 典型结电容
与反向电压
www.irf.com
3
21DQ04
公告PD- 20707转。 03/03
1 50
Allowa BLE铅碲米PE重新拉图 - （ ° C）
2
平均功耗 - （W的ATT ）
DC
1 20
1.6
90
广场瓦特AVE （ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
1.2
D
D
D
D
D
=
=
=
=
=
0.20
0.25
0.33
0.50
0.75
DC
60
RM S廉它
0.8
30
= 1/8英寸
见说明（ 2 ）
0.4
0
0
1
2
3
平均FORW ARD urren吨 - 我
F（ AV ）
(A)
0
0
1
2
3
平均FORW ARD urren吨 - 我
F（ AV ）
(A)
图。 4 - 最大允许焊接温度
与平均正向电流
图。 5 - 正向功率损耗特性
1000
没有正众议员etitiv （E S）敦促光凭目前 - 我
FSM
(A)
100
在任何额定载荷C ondition
和W i个为V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10000
广场W AVE脉冲 uration - T的P （M icrosec ）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
(2)
公式中使用：T已
L
= T
J
- （ PD +钯
转
）个R
thJL
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
@ (I
F（ AV ）
/
D） （参照图5） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
@ V
R1
= 80 ％额定V
R
4
www.irf.com
21DQ04
公告PD- 20707转。 03/03
订购信息表
器件代码
21
1
D
2
Q
3
04
4
TR
5
1
2
3
4
5
-
-
-
-
-
21 = 2.1A （轴向和小包装 - 当前是X10 ）
D = DO- 41封装
Q =肖特基Q系列..
04 =额定电压： 40V
TR =带&卷轴包（ 5000个）
TB =磁带&箱包（弹药-3000个）
-
=箱包（1000个）
数据和规格如有变更，恕不另行通知。
该产品的设计和工业级合格。
资质标准可在IR的网站上找到。
IR全球总部：
233堪萨斯街El Segundo的加州90245 ， USA电话： （ 310 ） 252-7105
TAC传真： （ 310 ） 252-7309
请访问我们的www.irf.com销售联系人信息。 03/03
www.irf.com
5
MP1591
2A ， 32V ，为330kHz
降压转换器
模拟IC技术的未来
描述
该MP1591是一个高电压降压
转换器非常适用于汽车电源适配器
电池充电器。其广泛的6.5V至32V输入
电压范围涵盖汽车电池
要求，能达到2A
输出快速充电功能。
电流模式能提供快速的瞬态
响应和简化环路稳定性。故障
保护包括逐周期的电流
限流和热关断。在关断模式
模式下，转换器汲取的供应仅20μA
电流。
该MP1591需要的最小数量
一应俱全的外部组件
完成2A降压型DC -DC转换器
的解决方案。
特点
广泛的6.5V至32V输入工作范围
34V绝对最大输入
2A输出电流
120MΩ内部功率MOSFET开关
稳定的低ESR陶瓷输出
电容器
高达95％的英法fi效率
20μA关断模式
固定频率为330kHz
热关断
逐周期过流保护
输出可调从1.23V至21V
欠压锁定
参考电压输出
采用8引脚SOIC封装
汽车电源适配器
PDA和移动电话电池充电器
分布式电源系统
汽车后市场电子
应用
评估板参考
局数
EV0020
尺寸
2.1 “X ×1.4 ” Y X 0.5 “Z
“ MPS ”和“模拟IC技术的未来”的注册商标。
单片电源系统有限公司
典型用途
输入
6.5V至32V
C2
10nF
效率与
负载电流
100
90
V
OUT
=5V
V
OUT
=3.3V
2
1
OFF ON
开放
未使用
7
EN
效率（％）
IN
BS
3
SW
8
MP1591
REF
GND
4
FB
COMP
6
5
D1
产量
2.5V
2A
80
70
60
50
40
30
20
0
C3
开放
C4
4.7nF
V
IN
=12V
0.5
1
1.5
负载电流（A ）
2
MP1591修订版2.3
9/27/2006
www.monolithicpower.com
MPS专有信息。未经授权影印和复制禁止的。
2006 MPS 。版权所有。
1
MP1591 - 2A ， 32V ，为330kHz降压转换器
包装说明
顶视图
BS
IN
SW
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
REF
EN
COMP
FB
绝对最大额定值
(1)
电源电压........................ -0.3V至+ 34V
SW电压............................. -1V至V
IN
+ 0.3V
BS电压.................... V
SW
- 0.3V至V
SW
+ 6V
所有其他引脚................................. -0.3V到+ 6V
结温............................... 150℃
焊接温度.................................... 260℃
储存温度..............- 65 ° C至+ 150°C
推荐工作条件
(2)
裸露焊盘
在背面
（ SOIC8N ONLY）
CONNECT TO PIN 4
输入电压................................... 6.5V至32V
工作温度.............- 40 ° C至+ 85°C
热阻
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
(3)
零件号*
MP1591DN
MP1591DS
*
包
SOIC8E
SOIC8
SOIC8 （ W /裸露焊盘） ...... 50 ...... 10 ......
° C / W
SOIC8 ..................................... 90 ...... 45 ......
° C / W
注意事项：
1 ）超过这些额定值可能会损坏设备。
2 ）该设备是不能保证功能以外的其
操作条件。
3 ）测得的1盎司铜约1“方。
θ
JA
θ
JC
对于带卷轴& ，加后缀-Z （如MP1591DN -Z ）
对于符合RoHS标准的包装，加后缀-LF
（例如MP1591DN -LF- Z）的
电气特性
V
IN
= 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
参数
关断电源电流
电源电流
反馈电压
误差放大器的电压增益
误差放大器跨导器
高侧开关导通电阻
(4)
低边开关导通电阻
(4)
高侧开关漏电流
电流限制
(5)
电流检测到COMP
跨
振荡频率
短路振荡频率
最大占空比
(4)
最小占空比
(4)
EN关断阈值电压
使能上拉电流
EN UVLO阈值
EN UVLO阈值迟滞
I
C
=
±10A
500
符号条件
V
EN
=
0V
V
EN
= 5V, V
FB
= 1.4V
6.5V
≤
V
IN
≤
32V, V
COMP
＆ LT ; 2V
民
典型值
20
1.0
1.230
400
700
120
8.5
0
3.6
3.5
280
V
FB
= 0V
V
FB
= 1.0V
V
FB
= 1.5V
0.8
V
EN
= 0V
V
EN
升起
2.4
330
35
90
1.2
1.8
2.6
250
380
1100
最大
35
1.2
1.258
单位
A
mA
V
V/V
μA / V
m
A
A
A / V
千赫
千赫
%
%
V
A
V
mV
1.202
V
EN
= 0V, V
SW
= 0V
2.5
10
4.9
0
1.6
2.8
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2
MP1591 - 2A ， 32V ，为330kHz降压转换器
电气特性
（续）
V
IN
= 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。
参数
热关断
(4)
REF电压
REF负载调整
(4)
REF线路调整
(4)
I
REF
= 0
I
REF
= 0至1mA
I
REF
= 100μA ，V
IN
= 6.5 32V
符号条件
民
典型值
160
5.0
100
30
最大
单位
°C
V
mV
mV
注意事项：
4 ）这些参数由设计保证，未经生产测试。
5 ）等效输出电流= 1.5A
≥
占空比为50％
2.0A
≤
占空比为50％
假定负载电流的纹波电流= 30％ 。
斜率补偿改变电流限制。
引脚功能
针＃
1
2
名称说明
BS
IN
高边栅极驱动升压输入。 BS提供了驱动高侧N沟道MOSFET
开关。连接一个10nF的或更大的电容，从软件到BS的高边开关供电。
电源输入。在提供电源给IC ，以及所述降压转换器的开关。
驱动器具有6.5V至32V的电源。旁路至GND一个适当大的电容
消除对输入到IC的噪声。看
输入电容。
电源开关输出。 SW为提供功率输出的交换节点。连
输出LC滤波器从SW到输出负载。需要注意的是电容需要从SW到BS
来驱动高侧开关。
地面上。对于MP1591DN ，裸露焊盘连接到引脚4 。
反馈输入。 FB的检测输出电压来调节该电压。驱动与FB电阻
分压器的输出电压。反馈的阈值是1.230V 。看
设置
输出电压。
3
SW
4
5
GND
FB
6
COMP补偿节点。 COMP用于补偿调节控制回路。连接
一系列的RC网络从COMP到GND ，以补偿调节控制回路。在一些
情况下，一个额外的电容器从COMP到GND是必需的。看
补偿。
EN
REF
启用/ UVLO 。比2.8V的电压大于允许的操作。有关完整的低电流
关闭EN引脚电压必须低于为800mV 。
参考输出。 REF为5V基准电压输出。它可提供高达1mA至外部
电路。如果使用旁路REF和GND之间的10nF或更大的电容。离开REF无关
如果不使用。
7
8
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3
MP1591 - 2A ， 32V ，为330kHz降压转换器
手术
该MP1591是一个电流模式降压型
调节器。它调节从6.5V的输入电压
至32V下降到一个输出电压低至
1.230V ，并且能够提供高达负载2A
电流。
该MP1591采用电流模式控制
调节输出电压。输出电压
通过电阻的电压测量FB
除法器，并通过内部误差放大
放大器。的输出电流
误差放大器呈现在
COMP ，其中网络补偿
调节控制系统。
在COMP端的电压进行比较，以开关
内部电流测量来控制输出
电压。该转换器采用内部
N沟道MOSFET开关降压的
输入电压调节输出电压。
因为在MOSFET要求栅极电压
大于输入电压，升压电容器
连接SW和BS之间驱动所述栅极。
该电容器内部充电，而SW是
低。从SW内部10Ω开关至GND是
用来确保SW为低电平时，
开关断开时向BS电容充分充电
IN 2
REF 8
5V
国内
稳压器
振荡器
坡
COMP
CLK
当前
SENSE
扩音器
+
--
M1
35/330KHz
+
1
Q
Q
BS
+
S
R
1.2V
EN 7
--
关闭
比较
封锁
比较
--
当前
比较
3
M2
SW
--
2.60V/
2.35V
1.8V
+
热
保护
错误
扩音器
4
GND
+
--
频率
折返
比较
--
0.7V 1.230V
+
5
FB
6
COMP
图1功能框图
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4
MP1591 - 2A ， 32V ，为330kHz降压转换器
应用信息
组件选择
设置输出电压
输出电压通过一个电阻设置
分压器从输出电压到FB上。
电压分频器的输出电压
下来的比率
V
FB
=
V
OUT
×
R2
(R1
+
R2)
的电感值可通过计算
公式：
L1
=
V
OUT
×
( V
IN
V
OUT
)
( V
IN
×
f
×
I)
其中，V
IN
是输入电压， f为开关
频率
I
是峰 - 峰值电感
纹波电流。
表1列出了一些合适的电感器的
来自不同制造商。
表1电感器选择指南
包
尺寸
(mm)
供应商/
CORE
CORE
模型
TYPE
材料W
L
H
墨田区
CR75
CDH74
开放
开放
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
铁素体
7.0
7.3
5.5
5.5
6.7
7.8
8.0
5.7
5.7
6.7
5.5
5.2
5.5
5.5
3.0
其中，V
FB
是反馈电压和V
OUT
is
输出电压。
因而，输出电压为：
V
OUT
=
1.230
×
(R1
+
R2)
R2
R2典型值可高达100kΩ的，
但10kΩ的建议。使用该值， R1
由下式确定：
R1
8.18
×
( V
OUT
1.230 )
CDRH5D28屏蔽
CDRH5D28屏蔽
CDRH6D28屏蔽
CDRH104R屏蔽
TOKO
D53LC
A型
D75C
D104C
D10FL
Coilcraft公司
DO3308
DO3316
开放
开放
屏蔽
屏蔽
屏蔽
开放
例如，对于3.3V的输出电压，R 2是
为10kΩ ，R1是17kΩ 。
电感器（ L1）的
电感器需要提供恒定
到输出负载，同时被驱动的电流
切换输入电压。较大的值
电感器产生较少的纹波电流的结果
在低输出纹波电压。然而，该
数值越大，电感器具有更大的物理尺寸，
较高的串联电阻，和/或下
饱和电流。选择电感器，其
最坏情况下的负载下不饱和
条件。一个很好的规则用于确定
电感是允许的峰 - 峰
在电感器的纹波电流是
最大载荷的30％左右
目前，该集成电路可以提供。此外，请确保
该峰值电感电流（负载电流
再加上一半的峰 - 峰值电感纹波
电流）低于2.3A最小电流
极限。
10.1 10.0 3.0
5.0
7.6
9.7
9.4
9.4
5.0
7.6
1.5
3.0
5.1
4.0
10.0 10.0 4.3
13.0 3.0
13.0 5.1
输入电容（ C1 ）
到降压转换器的输入电流
不连续的，所以电容器需要
提供AC电流以降压
转换器，同时保持DC输入
电压。低ESR电容要求
保持的噪声在IC到最低限度。陶瓷的
电容器是优选的，但钽或低
ESR电解电容也可能就足够了。
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5
0°
θ
180°
导通角
平均正向电流与环境温度
W是H 2 O ü五六邻; R P 。温度。 B○ A R D， V
R M
= 4 0 V
21DQ04
特区
3.0
平均正向电流（ A）
2.5
2.0
半正弦波。
1.5
RECT 120 ° 。
RECT 180°。
RECT 60°。
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
0°
θ
180°
导通角
平均正向电流与环境温度
P 。温度。 B oardmounted （L = 8毫米，打印T L和= 1 0 × 1 0 MM） ，V
R M
= 4 0 V
21DQ04
特区
3.0
平均正向电流（ A）
2.5
2.0
RECT 180°。
半正弦波。
RECT 120 ° 。
1.5
RECT 60°。
1.0
0.5
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
21DQ04
肖特基整流器器
40V
2.0A
特点
薄型，轴向引线外形
??高频工作
极低的正向电压降
高纯度，耐高温环氧树脂进行封装
提高机械强度和耐潮性
??保护环，增强耐用性和长期
可靠性
铅（Pb ） - 免费的电镀
设计和工业级合格
最大额定值和电气特性
绝对最大额定值
参数
最大平均正向电流
见图。 4
最大峰值一个周期
非重复浪涌电流
参照图6
非重复性雪崩能量
重复性雪崩电流
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 112 ℃，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
I
AR
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 1.0 ， L = 10毫亨
在1微秒的电流线性衰减到零
频率限制T
J
最大V
A
= 1.5× V
R
典型
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
2
420
70
5.0
1.0
mJ
A
A
单位
电气规格
参数
符号
2A
最大正向电压降
V
调频（1）
4A
2A
4A
最大反向漏电流
典型结电容
典型的串联电感
I
RM
(1)
测试条件
值
典型值。
0.49
0.60
0.42
0.56
0.01
5.2
130
8.0
马克斯。
0.55
0.65
0.5
0.62
0.50
10
单位
T
J
= 25 °C
V
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
mA
pF
nH
C
T
L
S
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz）的25℃
测量导致引线5毫米封装体
热 - 机械特性
参数
最高结温和存储
温度范围
最大热电阻，
结到环境
典型热阻，
交界处领导
大约重量
打标设备
记
(1)
符号
T
J
(1)
,
测试条件
值
- 40150
单位
°C
T
英镑
直流操作
无散热片
直流操作
见图。 4
R
thJA
R
thJL
100
° C / W
25
0.33
0.012
g
盎司
21DQ04
机箱样式DO - 204AL （ D- 41 ）
dP
合计
1
------------ ------------- <
-
-
dT
J
R
thJA
热失控条件对自己的散热器二极管
电子信箱： sales@taychipst.com
1 2
网站： www.taychipst.com
21DQ04
肖特基整流器器
40V
2.0A
收视率和特性曲线
1000
10
21DQ04
结电容 - C
T
（PF ）
T
J
= 25°C
瞬时正向电流 - I
F
(A)
100
T
T
1
J
J
= 150°C
= 125°C
25°C
T
J
=
10
0
10
20
30
40
R
EVERSE电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
150
0
0.3
0.6
0.9
1.2
Allowa BLE导联T
emperature - （ ° C）
0.1
F
orwa RD沃尔克é下降 - V
F
M
(V)
DC
120
图。 1 - 最大正向压降特性
90
S
单方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定V
R
应用的
100
10
1
0.1
0.01
25°C
0.001
0.0001
0
10
20
30
40
T
J
= 150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
60
反向电流 - I
R
（MA ）
30
= 1/8英寸
见注（ 1 ）
0
0
1
2
3
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 4 - 最大允许焊接温度与
平均正向电流
2
平均功耗 - （瓦特）
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
DC
R
EVERSE电压 - V
R
(V)
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1.6
1.2
非-R etitive浪涌电流 - 我
FS
(A)
ep
M
1000
RMSLimit
0.8
0.4
100
0
0
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
按S
URGE
1
2
3
平均正向电流 - I
F（ AV ）
(A)
图。 5 - 正向功率损耗特性
10
10
100
1000
10000
S
单方波脉冲持续时间 - T的P（微秒）
图。 6 - 最大不重复浪涌电流
电子信箱： sales@taychipst.com
2 2
网站： www.taychipst.com
QQ：2881677436 复制
