NCE20N65T
无铅产品
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
概述
该
系列设备
采用先进的超结
技术和设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
与低
栅极电荷。这种超结MOSFET符合行业
AC-DC开关电源对PFC， AC / DC电源的要求
转换以及工业电源应用。
V
DS
R
DS （ ON）
I
D
650
190
20
V
m
A
特点
新
技术用于高电压装置
ULOW
导通电阻和低的导通损耗
小
包
※超
低门电荷事业更低的驱动要求
●100%
雪崩测试
应用
●
●
●
功率因数校正（ PFC ）
开关模式电源（ SMPS ）
不间断电源（ UPS ）
原理图
包装标志和订购信息
设备
NCE20N65T
器件封装
TO-247
记号
20N65C3
TO-247
绝对最大额定值（T
C
=25℃)
参数
符号
漏源极电压（
V
GS =
0V）
V
DS
栅源电压（
V
DS =
0V)
V
GS
连续漏电流在Tc = 25℃
I
D（ DC）的
连续漏电流在Tc = 100℃
I
D（ DC）的
（注1 ）
I
DM （时脉）
漏电流脉冲
表1中。
漏源电压斜率， VDS = 480 V ， ID = 20 A， TJ =
125 °C
最大功率耗散（TC = 25
℃)
减免上述25
°C
（注2 ）
NCE20N65T
650
±30
20
12.5
60
50
208
1.67
690
20
单位
V
V
A
A
A
dv / dt的
V / ns的
W
W/
°C
P
D
E
AS
I
AR
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
（注1 ）
mJ
A
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NCE20N65T
无铅产品
重复性雪崩能量
，t
AR
限制T
JMAX
（注1 ）
E
AR
1
-55...+150
mJ
°C
工作结存储温度范围
*受最高结温
T
J
,T
英镑
表2中。
热特性
参数
符号
R
thJC
R
thJA
NCE20N65T
0.6
62
单位
° C / W
° C / W
热阻，结至外壳（最大）
热阻，结到环境
（最大）
表3中。
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
条件
BV
DSS
I
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
LSS
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
SD
I
SDM
V
SD
t
rr
Q
rr
V
DD
=380V,I
D
=20A,
R
G
=3.6,V
GS
=10V
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=650V,V
GS
=0V
V
DS
=650V,V
GS
=0V
V
GS
=±30V,V
DS
=0V
V
DS
=V
GS
,I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
= 20V ，我
D
= 10A
V
DS
=100V,V
GS
=0V,
F=1.0MHz
民
650
典型值
最大
单位
V
开/关状态
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流（TC = 25 ℃ ）
零栅压漏电流（T = 125 ℃ ）
门体漏电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
动态特性
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开关时间
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源 - 漏二极管特性
源极 - 漏极电流（体二极管）
脉冲源极 - 漏极电流（体二极管）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
T
C
=25°C
Tj=25°C,I
SD
=20A,V
GS
=0V
Tj=25°C,I
F
=20A,di/dt=100A/μs
0.9
500
11
20
60
1.3
A
A
V
nS
nC
10
5
67
4
100
12
nS
nS
nS
nS
17.5
2300
95
7
85
11
33
114
S
PF
PF
PF
nC
nC
nC
1
100
±100
2.5
3
3.5
190
μA
μA
nA
V
m
V
DS
=480V,I
D
=20A,
V
GS
=10V
注意事项1 。
重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制
2.
TJ = 25 ℃ ， VDD = 50V ， VG = 10V ，R
G
=25
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