20DL2C41A,20FL2C41A,20GL2C41A
东芝高效率二极管堆栈（ HED ）
硅外延型
20DL2C41A ， 20FL2C41A ， 20GL2C41A
开关电源中的应用
转换&斩波应用
反向重复峰值电压
平均输出整流电流
超快速反向恢复时间
: V
RRM
= 200 V, 300 V, 400 V
: I
O
= 20 A
: t
rr
= 35纳秒（最大）
单位：mm
低开关损耗和输出噪声
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
20DL2CZ41A
重复峰值
反向电压
20FL2CZ41A
20GL2CZ41A
平均输出整流电流
峰值一个周期正向浪涌
电流（不重复）
结温
存储温度范围
螺杆转矩
I
O
I
FSM
T
j
T
英镑
V
RRM
符号
等级
200
300
400
20
100 （ 50赫兹）
110 （ 60赫兹）
40~150
40~150
0.8
A
A
°C
°C
N·m的
V
单位
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
JEDEC
JEITA
东芝
重量： 4.85克
―
―
2-16D1A
极性
记号
缩写代码
20DL2C
20FL2C
产品型号
20DL2C41A
20FL2C41A
20GL2C41A
20DL2C
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
20GL2C
特征
指标
1
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20DL2C41A,20FL2C41A,20GL2C41A
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
山顶前进
电压
（注1 ）
20DL2C41A
20FL2C41A
20GL2C41A
（注1 ）
（注1 ）
（注1 ）
I
RRM
t
rr
t
fr
R
日（J -C ）
V
RRM
=额定
I
F
= 2.0A ，的di / dt =
50A /
μs
I
F
= 1A
总的DC ，结到管壳
V
FM
I
FM
= 10A
符号
测试条件
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
最大
0.98
1.3
1.8
50
35
100
1.5
μA
ns
ns
C / W
V
单位
反向重复峰值
当前
反向恢复时间
正向恢复时间
热阻
注1 ：适用于一个单元格的值。
注2 ： TRR测试电路
TRR波形
注3：吨
fr
测试电路
t
fr
波形
操作注意事项
绝对最大额定值表示绝对最大额定值，它们的额定值，并不得
操作过程中超标，甚至瞬间。以下是我们推荐的一般方法降额
当你设计一个装置的电路。
V
RRM
:
我们建议，最坏的情况下的电压，包括浪涌电压，不大于80％的
绝对最大V评级
RRM
对于直流电路，并成为使V不大于50％
RRM
为
交流电路。 V
RRM
为0.1 ％/ ℃的温度系数。借此温度系数为
考虑在低温下设计的装置。
我们建议，最坏的情况下电流不大于80％的绝对最大额定值
我
O
。进行充分的散热设计。如果不能设计出具有良好的散热性能的电路，设置
缘通过使用一个允许的TAMAX -我
O
曲线。
I
O
:
这个等级指定在一个50赫兹的正弦波的一个周期，条件角180的非重复的峰值电流。
因此，这仅适用于异常操作，其中很少的设备的寿命期间发生。
我们推荐的设备来最差负荷和热辐射条件下使用的低于120 ℃，在一个TJ 。
请参阅整流器数据手册了解更多信息。
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限制产品使用
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20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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