VS- 20CUT10 ， VS- 20CWT10FN
威世半导体
高性能肖特基代5.0 ， 2 ×10
特点
175℃高性能肖特基二极管
极低的正向电压降
我朴（ TO- 251AA ）
BASE
常见
阴极
4
D- PAK （ TO- 252AA ）
BASE
常见
阴极
4
极低的反向漏
优化的V
F
与我
R
权衡高效率
增加了耐用性的反向雪崩能力
RBSOA可用
开关损耗极小
亚微米沟槽技术
符合RoHS指令2002/95 / EC
3
1
阳极
2阳极
常见
阴极
2
常见
3
1
阳极阴极阳极
VS-20CUT10
VS-20CWT10FN
应用
高效率开关电源
高频开关
产品概述
包
I
F（ AV ）
V
R
V
F
在我
F
I
RM
马克斯。
T
J
马克斯。
二极管的变化
E
AS
D- PAK （TO- 252AA ） ，
我朴（ TO- 251AA ）
2 ×10
100 V
0.66 V
在125℃下4毫安
175 °C
共阴极
54兆焦耳
输出整流
反向电池保护
续流
DC / DC系统
提高功率密度系统
主要额定值及特点
符号
V
RRM
V
F
T
J
10 APK ，T
J
= 125°C （典型值，每腿）
范围
特征
值
100
0.615
- 55 175
单位
V
V
°C
电压额定值
参数
最大直流反向电压
符号
V
R
测试条件
T
J
= 25 °C
VS-20CUT10
VS-20CWT10FN
100
单位
V
文档编号： 94651
修订： 04 -JAN- 11
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1
VS- 20CUT10 ， VS- 20CWT10FN
威世半导体
高性能肖特基
代5.0 ， 2 ×10
绝对最大额定值
参数
最大平均
正向电流
每腿
每个器件
符号
I
F（ AV ）
测试条件
50％的占空比在T
C
= 159℃ ，矩形波形
5 μs的正弦或3微秒正确。脉冲
I
FSM
10毫秒正弦或6毫秒正确。脉冲
E
AS
T
J
= 25 ° C，I
AS
= 3 A，L = 12毫亨
通过操作和时间脉冲持续时间频率限制
所以那件T
J
＆ LT ;吨
J
马克斯。我
AS
在T
J
最大。随着时间的脉冲的一个功能
（参见图8）
以下任何额定载荷
条件和额定
V
RRM
应用的
值
10
20
610
A
110
54
I
AS
at
T
J
马克斯。
mJ
单位
A
最大峰值一个周期
每腿不重复浪涌电流
非重复性雪崩
每腿能源
每腿重复雪崩电流
I
AR
A
电气规格
参数
符号
10 A
每腿正向电压降
V
调频（1）
20 A
10 A
20 A
每腿反向漏电流
每腿结电容
每腿串联电感
变化最大电压率
记
(1)
脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2 ％
I
RM （ 1 ）
C
T
L
S
dv / dt的
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
V
R
=额定V
R
典型值。
0.735
0.840
0.615
0.730
-
-
400
8.0
-
马克斯。
0.810
0.890
0.660
0.770
50
4
-
-
10 000
μA
mA
pF
nH
V / μs的
V
单位
V
R
= 5 V
DC
（测试信号范围100 kHz至1 MHz时） ，25°C
测量导致引线5毫米封装体
为V
R
热 - 机械特性
参数
最大结点和
存储温度范围
最大热电阻，
结每腿区分
最大热电阻，
每个结点设备外壳
典型热阻，
案件散热器
大约重量
案例式的I- PAK
机箱样式D- PAK
符号
T
J
, T
英镑
测试条件
值
- 55 175
2
R
thJC
直流操作
1
R
乡镇卫生院
0.3
0.3
0.01
20CUT10
20CWT10FN
g
盎司
° C / W
单位
°C
打标设备
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VS- 20CUT10 ， VS- 20CWT10FN
高性能肖特基
代5.0 ， 2 ×10
100
175°C
10
150°C
1
0.1
75°C
0.01
0.001
0.0001
0
20
40
60
80
100
50°C
25°C
125°C
100°C
威世半导体
100
反向电流 - I
R
（MA ）
TJ = 175℃
瞬时正向电流 - I
F
(A)
反向电压 - V
R
(V)
10
图。 2 - 典型的反向电流与价值观
反向电压
1000
结电容 - C
T
（PF ）
TJ = 125°C
100
TJ = 25°C
1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
正向电压下降 - V
FM
(V)
图。 1 - 最大正向压降特性
10
0
20
40
60
80
100
反向电压 - V
R
(V)
图。 3 - 典型结电容与反向电压
10
热阻抗Z
thJC
（ ° C / W）
D = 0.75
1
D = 0.5
D = 0.33
D = 0.25
D = 0.2
0.1
单脉冲
（热电阻）
0.01
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
1E+00
图。 4 - 最大热抗Z
thJC
特征
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威世半导体
180
允许外壳温度（ ℃）
平均功耗 - （瓦特）
高性能肖特基
代5.0 ， 2 ×10
10
180°
120°
90°
60°
30°
175
170
165
160
155
150
见注（ 1 ）
方波（ D = 0.50 ）
80 ％额定Vr的应用
8
DC
6
RMS限制
4
DC
2
145
0
2
4
6
8
10 12 14 16
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
1000
0
0
3
6
9
12
15
平均正向电流 - I
F
（AV）
(A)
图。 6 - 正向功率损耗特性
不重复浪涌电流 - 我
FSM
(A)
100
10
10
100
1000
10000
方波脉冲持续时间 - 吨
p
（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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高性能肖特基
代5.0 ， 2 ×10
100
威世半导体
雪崩电流（ A）
TJ = 25°C
10
TJ = 125°C
TJ = 175℃
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 8 - 反向偏置安全工作区（雪崩电流与矩形脉冲宽度）
100
雪崩能量（兆焦耳）
10
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 175℃
1
1
10
100
矩形脉冲持续时间（微秒）
图。 9 - 反向偏置安全工作区（雪崩能量与矩形脉冲宽度）
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