TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM 200 GB 60 DLC
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1W / M * K /
λ
油脂
= 1W / M * K
R
thJC
-
-
R
thCK
-
典型值。
-
-
0,02
马克斯。
0,17
0,29
-
K / W
K / W
K / W
T
vj
-
-
150
°C
T
op
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电绝缘
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment献给机甲。 Befestigung
安装力矩
Schraube M6
螺丝M6
M1
-15
Al
2
O
3
15
mm
8,5
mm
275
5
+15
Nm
%
Gewicht
重量
G
180
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。
它是在与所属技术说明组合有效。
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2000-02-08
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IGBT -模块
IGBT模块
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Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
400
350
TVJ = 25°C
300
250
TVJ = 125°C
I
C
[A]
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
400
350
300
250
I
C
= F（V
CE
)
T
vj
= 125°C
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
I
C
[A]
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
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bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 20V
400
350
300
250
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
C
[A]
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
400
350
300
250
TVJ = 25°C
TVJ = 125°C
I
F
= F（V
F
)
I
F
[A]
200
150
100
50
0
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
V
F
[V]
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