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BSM 200 GA 170 DN2
IGBT功率模块
单开关
包括快速续流二极管
与绝缘金属基板封装
R
G于，分
= 6.8欧姆
TYPE
BSM 200 GA 170 DN2
BSM 200 GA 170 DN2 S
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
T
C
= 25 °C
T
C
= 80 °C
每个IGBT功率耗散
T
C
= 25 °C
芯片的温度
储存温度
热电阻，片式案例
二极管的热电阻，片式案例
绝缘测试电压，
t
= 1分。
爬电距离
净空
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJCD
V
is
-
-
-
-
P
合计
1750
+ 150
-40 ... + 125
≤
0.07
≤
0.21
4000
20
11
F
40 / 125 / 56
美国证券交易委员会
VAC
mm
K / W
°C
I
Cpuls
580
400
W
V
GE
I
C
290
200
符号
V
CE
V
CGR
1700
± 20
A
值
1700
单位
V
V
CE
I
C
包
单开关1
SSW SENSE 1
订购代码
C67070-A2705-A67
C67070-A2707-A67
1700V 290A
1700V 290A
1
Oct-27-1997
BSM 200 GA 170 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 16毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
GE
= 15 V,
I
C
= 200 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 200 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
V
CE
= 1700 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
CE
= 1700 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 发射极漏电流
V
GE
= 20 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
V
CE
= 20 V,
I
C
= 200 A
输入电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
C
RSS
-
1
-
C
OSS
-
2.5
-
C
国际空间站
-
32
-
g
fs
72
-
-
nF
S
I
GES
-
-
320
I
CES
-
-
1.6
6.4
2
-
nA
V
CE （ SAT ）
-
-
3.4
4.6
3.9
5.3
mA
V
GE （日）
4.8
5.5
6.2
V
值
典型值。
马克斯。
单位
2
Oct-27-1997
BSM 200 GA 170 DN2
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
V
CC
= 1200 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 200 A
R
坤
= 6.8
上升时间
V
CC
= 1200 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 200 A
R
坤
= 6.8
打开-O FF延迟时间
V
CC
= 1200 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 200 A
R
高夫
= 6.8
下降时间
V
CC
= 1200 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 200 A
R
高夫
= 6.8
续流二极管
二极管的正向电压
I
F
= 200 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 200 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
反向恢复时间
I
F
= 200 A,
V
R
= -1200 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -1400 A / μs的，
T
j
= 125 °C
反向恢复电荷
I
F
= 200 A,
V
R
= -1200 V,
V
GE
= 0 V
di
F
/ DT = -1400 A / μs的
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
-
-
14
50
-
-
Q
rr
-
0.8
-
C
t
rr
V
F
-
-
2.3
2.1
2.8
-
s
V
-
110
160
t
f
-
1250
1800
t
D（关闭）
-
200
400
t
r
-
530
1000
t
D（上）
ns
值
典型值。
马克斯。
单位
3
Oct-27-1997
BSM 200 GA 170 DN2
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
1800
W
P
合计
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
3
t
= 1.4s
p
A
I
C
10
2
100 s
10 s
10
1
1毫秒
10毫秒
10
0
0
10
10
1
10
2
DC
3
10
V
T
C
V
CE
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
320
A
I
C
240
200
160
120
80
40
0
0
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
K / W
Z
thJC
10
-1
IGBT
10
-2
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
单脉冲
0.02
0.01
10
-3
20
40
60
80
100
120
°C
160
10
-4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
T
C
t
p
4
Oct-27-1997
BSM 200 GA 170 DN2
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
400
A
I
C
300
250
200
150
100
50
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
V
CE
6.0
典型值。输出特性
I
C
= F（V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
400
A
I
C
300
250
200
150
100
50
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
V
CE
6.0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
17V
15V
13V
11V
9V
7V
典型值。传输特性
I
C
= F（V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
800
A
I
C
600
500
400
300
200
100
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
5
Oct-27-1997
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212T0112N220KN
20017WR-10A00
28SM48S
29F001T-90
2-2013289-3
27HC256-70E/VS
2SB1110B
2SC2616
2JS1-R
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    -
    -
    -
    -
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