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1SV331
东芝变容二极管硅外延平面型
1SV331
有用的VCO / TCXO
小型封装
高电容比：C
1V
/C
4V
=
3.75 （典型值）。
低串联电阻值：R
s
=
0.45
（典型值）。
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
反向电压
结温
存储温度范围
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
10
125
55~125
单位
V
°C
°C
重量0.0014克
000707EAA1
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
2000-09-11
1/3
1SV331
电气特性
（大
=
25°C)
特征
反向电压
反向电流
电容
电容比
串联电阻
符号
V
R
I
R
C
1V
C
4V
C
1V
/C
4V
r
s
I
R
=
1
A
V
R
=
10 V
V
R
=
1 V，F
=
1兆赫
V
R
=
4 V，F
=
1兆赫
V
R
=
1 V，F
=
470兆赫
测试条件
民
10
17
4.25
3.5
典型值。
18
4.8
3.75
0.45
最大
3
19
5.43
0.7
单位
V
nA
pF
记号
V9
2000-09-11
2/3
1SV331
C
V
– V
R
100
f
=
1兆赫
VSIG
=
百米Vrms的
0.5
0.6
r
s
– V
R
f
=
470兆赫
电容C
V
（PF ）
()
10
串联电阻r
s
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
0.4
0.3
0.2
0.1
1
0
0
0.1
1
10
反向电压VR
(V)
反向电压VR
(V)
2000-09-11
3/3
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