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数据表
开关二极管
1SS400SM
lApplications
高频开关
lDimensions
（单位：毫米）
0.8±0.05
0.12±0.05
lLand
尺寸图
（单位：毫米）
0.8
0.6
1.2±0.05
1.6±0.1
lFeatures
1 ）超小型模具类型。 （ EMD2 ）
2）高可靠性
EMD2
lConstruction
硅外延
0.3±0.05
0.6±0.1
lStructure
ROHM ： EMD2
JEDEC ： SOD- 523
JEITA ： SC- 79
点（年周厂）
lTaping
特定网络阳离子
（单位：毫米）
lAbsolute
最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
V
RM
反向电压（重复）
V
R
反向电压（DC）的
I
FM
正向电压（重复峰值）
平均正向电流整流
Io
I
浪涌
浪涌电流（T = 1秒）
结温
Tj
储存温度
TSTG
范围
90
80
225
100
500
150
-55
to
+150
单位
V
V
mA
mA
mA
°C
°C
lElectrical
特征
(Ta=25°C)
参数
符号
V
F
正向电压
反向电流
终端之间的电容
反向恢复时间
I
R
Ct
TRR
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
1.2
0.1
3
4
单位
V
μA
pF
ns
I
F
=100mA
V
R
=80V
条件
V
R
= 0.5V ， F = 1MHz的
V
R
= 6V ，我
F
= 10毫安，R
L
=100Ω
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1/3
2011.06 - Rev.A的
1.7
1SS400SM
数据表
100
10000
Ta=125℃
10
f=1MHz
正向电流：I
F
（MA ）
反向电流：我
R
（ nA的）
10
Ta=75℃
1
Ta=125℃
0.1
Ta=-25℃
0.01
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
正向电压： V
F
(V)
V
F
-I
F
特征
1
Ta=25℃
Ta=75℃
100
Ta=25℃
10
Ta=-25℃
之间的电容
端子的CT （PF ）
80
1000
1
1
0.1
0
10
20
30
40
50
60
反向电压： V
R
(V)
V
R
-I
R
特征
70
0.1
0
5
10
反向电压： V
R
(V)
V
R
-ct特性
15
910
正向电压： V
F
（毫伏）
100
Ta=25℃
I
F
=100mA
n=30pcs
Ta=25℃
V
R
=80V
n=30pcs
1
0.9
之间的电容
端子的CT （PF ）
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
AVE ： 0.817pF
Ta=25℃
V
R
=0.5V
f=1MHz
n=10pcs
900
反向电流：我
R
（ nA的）
80
890
60
AVE ： 18.8nA
40
880
870
AVE ： 879.0mV
20
860
0
0
V
F
色散图
I
R
色散图
CT色散图
20
反向恢复时间： TRR （ NS ）
5
Ta=25℃
V
R
=6V
I
F
=10mA
R
L
=100Ω
Irr=0.1*I
R
n=10pcs
100
IFSM
10
8.3ms的8.3ms的
1cyc
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
15
IFSM
1cyc
8.3ms
4
3
10
AVE ： 3.62A
5
2
AVE ： 3.06ns
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
1
1
0
I
FSM
色散图
0
TRR色散图
0.1
1
10
周期数
I
FSM
-CYCLE特性
100
100
短暂
THAERMAL阻抗的Rth （ ℃ / W）
峰值浪涌
正向电流：I
FSM
(A)
1000
安装在环氧板
Rth的第（j-一）
0.20
前进动力
耗散：PF （ W）
10
100
D=1/2
RTH （J -C ）
0.10
Sin(θ＝180)
DC
1
IFSM
t
10
0.1
0.1
1
10
100
时间： T（毫秒）
I
FSM
-t特性
1
0.001
0.00
时间： T（ S）
RTH- T特性
0.1
10
1000
0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18 0.20
平均整流
正向电流IO（ A）
IO -PF特性
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2011.06 - Rev.A的
1SS400SM
数据表
0.001
0.0009
平均整流
正向电流IO（ A）
反向功率
耗散：P
R
(W)
0.0008
0.0007
0.0006
0.0005
0.0004
0.0003
0.0002
0.0001
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
反向电压： V
R
(V)
V
R
-P
R
特征
Sin(θ＝180)
D=1/2
DC
0.2
DC
0.15
D=1/2
静电
放电测试ESD （ KV ）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
125
150
C=200pF
R=0Ω
C=100pF
R=1.5kΩ
AVE ： 1.8kV的
AVE ： 9KV
0.1
Sin(θ＝180)
Io
t
0
0
25
VR
D = T / T
V
R
=40V
牛逼TJ = 150 ℃
50
75
100
0.05
0A
0V
环境温度： TA（ ℃ ）
降额曲线（ IO- Ta）的
ESD色散图
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