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1SS385FV
东芝二极管
硅外延肖特基型
1SS385FV
高速开关应用
0.22±0.05
单位:mm
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
3
0.13±0.05
低正向电压: V
F
= 0.23 V(典型值)。
@I
F
= 5毫安
超小型封装
1.2±0.05
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
结温
存储温度范围
工作温度范围
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
英镑
T
OPR
等级
15
10
200 *
100 *
1*
150**
125
55~125
40~100
单位
V
0.8±0.05
0.4
0.4
1
2
mA
mA
A
mW
°C
°C
°C
0.5±0.05
V
VESM
1.
2.
3.
阳极1
阳极2
阴极
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使操作条件(即工作温度/电流/电压等)是
内的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
* :单位等级。总评分=单位等级×1.5
** :安装在FR4电路板(25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6万吨)
JEDEC
JEITA
东芝
1-1Q1A
电气特性
( TA = 25°C )
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
I
R
C
T
TEST
电路
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 5毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 10 V
V
R
= 0 , F = 1 MH
z
典型值。
0.18
0.23
0.35
20
最大
0.30
0.50
20
单位
V
V
V
μA
pF
等效电路
( TOP VIEW )
记号
1
2007-11-01
1SS385FV
P - TA
( mW)的
200
安装在FR4板
(25.4
mm
×
25.4 mm
×
1.6万吨)
150
集电极耗散功率P
C
100
50
0
0
25
50
75
100
125
150
175
环境温度
的Ta (℃)
2
2007-11-01
1SS385FV
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2007-11-01
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