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1SS193
东芝二极管硅外延平面型
1SS193
超高速开关应用
小型封装
低正向电压
: SC- 59
单位:mm
: V
F (3)
= 0.9V (典型值)。
快速反向恢复时间:吨
rr
= 1.6ns (典型值)。
: C
T
= 0.9pF (典型值)。
小总电容
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
最大(峰值)反向电压
反向电压
最大(峰值)正向电流
平均正向电流
浪涌电流( 10毫秒)
功耗
结温
存储温度范围
符号
V
RM
V
R
I
FM
I
O
I
FSM
P
T
j
T
英镑
等级
85
80
300
100
2
150
125
55125
单位
V
V
mA
mA
A
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品的可靠性降低显著即使操作
条件(即工作温度/电流/电压等)的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” / “降额的概念和方法” )和个人数据的可靠性(即可靠性试验
报告与估计的故障率,等)。
JEDEC
-
JEITA
SC-59
1-3G1B
东芝
重量: 0.012克(典型值)。
电气特性
(大
=
25°C)
特征
符号
V
F (1)
正向电压
V
F (2)
V
F (3)
反向电流
总电容
反向恢复时间
I
R (1)
I
R (2)
C
T
t
rr
TEST
电路
I
F
=1mA
I
F
= 10毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 30V
V
R
= 80V
V
R
= 0中,f = 1MH
z
I
F
= 10毫安(图1)
测试条件
典型值。
0.60
0.72
0.90
0.9
1.6
最大
1.20
0.1
0.5
3.0
4.0
μA
pF
ns
V
单位
记号
1
2007-11-01
1SS193
图1反向恢复时间
(t
rr
)
测试电路
2
2007-11-01
1SS193
限制产品使用
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在这个文件中,以及相关的硬件,软件和系统(统称为“产品”) ,恕不另行通知。
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负责符合安全标准,并提供足够的设计和保障他们的硬件,软件和
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与该产品将被用于或应用程序的说明。客户全权负责各方面的
自己的产品设计和应用,包括但不限于: ( a)确定在这样的使用本产品的适当性
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东芝半导体公司没有责任为客户的产品设计或
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不遵守适用的法律和法规。
3
2007-11-01
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