1SMB59xxBT3G系列， SZ1SMB59xxT3G系列
电气特性
(T
L
= 30 ℃，除非另有说明，否则
V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA（ DC）对所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZK
Z
ZK
I
R
V
R
I
F
V
F
I
ZM
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
反向电流
最大齐纳阻抗@ I
ZK
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大直流稳压电流
V
Z
V
R
I
R
V
F
I
ZT
V
I
F
I
齐纳稳压器
http://onsemi.com
2
1SMB59xxBT3G系列， SZ1SMB59xxT3G系列
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
齐纳电压
（注3）
设备*
（注2 ）
1SMB5913BT3G
1SMB5914BT3G
1SMB5915BT3G
1SMB5916BT3G
1SMB5917BT3G
1SMB5918BT3G
1SMB5919BT3G
1SMB5920BT3G
1SMB5921BT3G
1SMB5922BT3G
1SMB5923BT3G
1SMB5924BT3G
1SMB5925BT3G
1SMB5926BT3G
1SMB5927BT3G
1SMB5928BT3G
1SMB5929BT3G
1SMB5930BT3G
1SMB5931BT3G
1SMB5932BT3G
1SMB5933BT3G
1SMB5934BT3G
1SMB5935BT3G
1SMB5936BT3G
1SMB5937BT3G
1SMB5938BT3G
1SMB5939BT3G
1SMB5940BT3G
1SMB5941BT3G
1SMB5942BT3G
1SMB5943BT3G
1SMB5944BT3G
1SMB5945BT3G
1SMB5946BT3G
1SMB5947BT3G
1SMB5948BT3G
1SMB5949BT3G
1SMB5950BT3G
1SMB5951BT3G
1SMB5952BT3G
1SMB5953BT3G
1SMB5954BT3G
1SMB5955BT3G
1SMB5956BT3G
设备
记号
913B
914B
915B
916B
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
925B
926B
927B
928B
929B
930B
931B
932B
933B
934B
935B
936B
937B
938B
939B
940B
941B
942B
943B
944B
945B
946B
947B
948B
949B
950B
951B
952B
953B
954B
955B
956B
V
Z
（伏）
民
3.13
3.42
3.70
4.08
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
电气特性
(T
L
= 30℃ ，除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA（ DC）对所有类型）
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
mA
100
75
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
漏电流
I
R
@ V
R
伏
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
MA（ DC ）
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
@ I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
2.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字表示的公差
5%.
3.
齐纳电压（V
Z
）测量
标称齐纳电压的测量可以在25℃与环境温度的热平衡的器件结。
4.
齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与AC频率= 60赫兹。
*适用包括SZ-前缀的设备。
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3
1SMB59xxBT3G系列， SZ1SMB59xxT3G系列
P D，最大功耗（瓦）
6
1K
5
4
3
2
1
T
A
0
0
25
50
75
100
T，温度（ ° C）
125
150
T
L
PPK ，峰值浪涌功率（瓦特）
500
300
200
100
50
30
20
10
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2 3
5
10 20 30 50
PW ，脉冲宽度（毫秒）
100
矩形
不重复
波形
T
J
= 25°C PRIOR
TO初始脉冲
图1.稳态功率降额
图2.最大浪涌电源
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
8
6
4
2
0
-2
-4
V
Z
@ I
ZT
VZ ，温度系数（毫伏/
C)
10
200
V
Z
@ I
ZT
100
70
50
30
20
2
4
6
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
10
12
10
10
20
30
50
70
100
V
Z
，齐纳电压（伏）
200
图3.齐纳电压
到12伏特
图4.齐纳电压
14至200伏
100
I
ZT
，反向电流（毫安）
I
ZT
，反向电流（毫安）
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
1
2
3
4
5
6
7
V
Z
，齐纳电压（伏）
8
9
10
100
50
30
20
10
5
3
2
1
0.5
0.3
0.2
0.1
0
10
20
30
40
50
60
70
V
Z
，齐纳电压（伏）
80
90
100
图5. V
Z
= 3.3通10伏
图6. V
Z
= 12通82伏
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4
1SMB59xxBT3G系列， SZ1SMB59xxT3G系列
200
I
Z（ DC ）
= 1毫安
Z Z ，动态阻抗（欧姆）
Z Z ，动态阻抗（欧姆）
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
10mA
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
Z
，齐纳测试电流（mA ）
22V
12V
6.8V
200
500
V
Z
=150V
91V
62V
T
J
= 25C
i
Z（ RMS）
= 0.1 I
Z（ DC ）
20mA
5
7
10
i
Z（ RMS）
= 0.1 I
Z（ DC ）
20
30
50
V
Z
，齐纳电压（伏）
70
100
齐纳电压的图7的影响
齐纳电流的图8的影响
评级和典型特性曲线（T
A
= 25C)
1000
标准@
零偏压
标准@
V
Z
/2
10
非重复性，指数
脉冲波形，T
J
= 25C
1
100
PPK ，峰值功率（kw ）
100
C，电容（pF ）
0.1
T
J
= 25C
10
10
击穿电压（伏）
0.01
0.01
0.1
1
T
P
，脉冲宽度（毫秒）
10
图9.电容曲线
图10.典型的脉冲额定值曲线
120
IPPM ，峰值脉冲电流（ ％ ）
10
ms
峰值
I
PPM
100
80
60
40
20
0
T
A
= 25C
PW （我
D
）是德网络定义为
点的峰值电流
衰减到我的50 ％
pp
.
120
100
0.9 I
PEAK
IPPM ，峰值脉冲
电流（ ％）
80
60
40
20
0.1 I
PEAK
0
1
2
3
吨，时间（ ms）的
4
5
0
0
T
20
ms
0.02
0.04
0.06
吨，时间（ ms）的
0.08
T = 8
ms
0.1
8/20
ms
波形
定义由ANSI C62.1
和IEC 801-5 。
半值 - 我
pp
/2
10/1000
ms
波形
界定的R.E.A.
t
d
0.5 I
PEAK
图11.脉冲波形
图12.脉冲波形
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
