1SMB5913BT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA( DC)对所有类型)
齐纳电压
(注3)
设备*
(注2 )
1SMB5913BT3 ,G
1SMB5914BT3 ,G
1SMB5915BT3 ,G
1SMB5916BT3 ,G
1SMB5917BT3,
1SMB5918BT3,
1SMB5919BT3,
1SMB5920BT3,
G
G
G
G
设备
记号
913B
914B
915B
916B
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
925B
926B
927B
928B
929B
930B
931B
932B
933B
934B
935B
936B
937B
938B
939B
940B
941B
942B
943B
944B
945B
946B
947B
948B
949B
950B
951B
952B
953B
954B
955B
956B
V
Z
(伏)
民
3.13
3.42
3.70
4.08
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
(注4 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
mA
100
75
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
漏电流
I
R
@ V
R
伏
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
MA( DC )
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
1SMB5921BT3 ,G
1SMB5922BT3 ,G
1SMB5923BT3 ,G
1SMB5924BT3 ,G
1SMB5925BT3 ,G
1SMB5926BT3 ,G
1SMB5927BT3 ,G
1SMB5928BT3 ,G
1SMB5929BT3 ,G
1SMB5930BT3 ,G
1SMB5931BT3 ,G
1SMB5932BT3 ,G
1SMB5933BT3 ,G
1SMB5934BT3 ,G
1SMB5935BT3 ,G
1SMB5936BT3 ,G
1SMB5937BT3 ,G
1SMB5938BT3 ,G
1SMB5939BT3 ,G
1SMB5940BT3 ,G
1SMB5941BT3,
1SMB5942BT3,
1SMB5943BT3,
1SMB5944BT3,
1SMB5945BT3,
1SMB5946BT3,
1SMB5947BT3,
1SMB5948BT3,
G
G
G
G
G
G
G
G
1SMB5949BT3 ,G
1SMB5950BT3 ,G
1SMB5951BT3 ,G
1SMB5952BT3 ,G
1SMB5953BT3,
1SMB5954BT3,
1SMB5955BT3,
1SMB5956BT3,
G
G
G
G
2.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字表示的公差
±5%.
3.
齐纳电压(V
Z
)测量
标称齐纳电压的测量可以在25℃与环境温度的热平衡的器件结。
4.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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