1SMB5913BT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA( DC)对所有类型)
齐纳电压
(注3)
设备*
(注2 )
1SMB5913BT3 ,G
1SMB5914BT3 ,G
1SMB5915BT3 ,G
1SMB5916BT3 ,G
1SMB5917BT3,
1SMB5918BT3,
1SMB5919BT3,
1SMB5920BT3,
G
G
G
G
设备
记号
913B
914B
915B
916B
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
925B
926B
927B
928B
929B
930B
931B
932B
933B
934B
935B
936B
937B
938B
939B
940B
941B
942B
943B
944B
945B
946B
947B
948B
949B
950B
951B
952B
953B
954B
955B
956B
V
Z
(伏)
民
3.13
3.42
3.70
4.08
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
@ I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
齐纳阻抗
(注4 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
250
300
380
450
600
700
900
1200
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
mA
100
75
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
漏电流
I
R
@ V
R
伏
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
MA( DC )
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
15
13
12
11
10
9
8
7
1SMB5921BT3 ,G
1SMB5922BT3 ,G
1SMB5923BT3 ,G
1SMB5924BT3 ,G
1SMB5925BT3 ,G
1SMB5926BT3 ,G
1SMB5927BT3 ,G
1SMB5928BT3 ,G
1SMB5929BT3 ,G
1SMB5930BT3 ,G
1SMB5931BT3 ,G
1SMB5932BT3 ,G
1SMB5933BT3 ,G
1SMB5934BT3 ,G
1SMB5935BT3 ,G
1SMB5936BT3 ,G
1SMB5937BT3 ,G
1SMB5938BT3 ,G
1SMB5939BT3 ,G
1SMB5940BT3 ,G
1SMB5941BT3,
1SMB5942BT3,
1SMB5943BT3,
1SMB5944BT3,
1SMB5945BT3,
1SMB5946BT3,
1SMB5947BT3,
1SMB5948BT3,
G
G
G
G
G
G
G
G
1SMB5949BT3 ,G
1SMB5950BT3 ,G
1SMB5951BT3 ,G
1SMB5952BT3 ,G
1SMB5953BT3,
1SMB5954BT3,
1SMB5955BT3,
1SMB5956BT3,
G
G
G
G
2.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字表示的公差
±5%.
3.
齐纳电压(V
Z
)测量
标称齐纳电压的测量可以在25℃与环境温度的热平衡的器件结。
4.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1SMB5913BT3系列
首选设备
3瓦的塑料表面贴装
齐纳稳压器
3瓦齐纳二极管,这种全新的产品线提供以下
优势。
规格特点
齐纳电压范围 - 3.3 V至200 V
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
平板触摸表面的精确定位
包装设计的顶部侧面和底部电路板安装
无铅包可用
http://onsemi.com
机械特性
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
塑料表面贴装
齐纳电压
稳压二极管
3.3-200 V, 3 W DC电源
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的:
阴极
阳极
260℃ 10秒
信息:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以键合焊盘
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
最大稳定状态功率
耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度
减免上述75℃
热阻结到铅
最大稳态功耗
@ T
A
= 25C (注)
减免上述25℃
热阻结到环境
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3.0
40
25
550
4.4
226
65
to
+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
YWW
9xxB
Y
WW
9xxB
=年
=工作周
=具体设备守则
=
(见表3页)
R
qJL
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
订购信息
设备
1SMB59xxBT3
1SMB59xxBT3G
包
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR-4板,在1 “到设备,使用推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年9月 - 第4版
出版订单号:
1SMB5913BT3/D
1SMB5913BT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA( DC)对所有类型)
齐纳电压
(注3)
设备
(注2 )
1SMB5913BT3
1SMB5914BT3
1SMB5915BT3
1SMB5916BT3
设备
记号
913B
914B
915B
916B
V
Z
(伏)
民
3.13
3.42
3.70
4.08
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
@ I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
齐纳阻抗
(注4 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
9
7.5
6
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
500
500
mA
1
1
1
1
mA
100
75
25
5
漏电流
I
R
@ V
R
伏
1
1
1
1
I
ZM
MA( DC )
454
416
384
348
1SMB5917BT3
1SMB5918BT3 , G *
1SMB5919BT3 , G *
1SMB5920BT3 , G *
1SMB5921BT3
1SMB5922BT3
1SMB5923BT3 , G *
1SMB5924BT3
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
500
350
250
200
200
400
400
500
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
5
5
5
5
5
5
5
5
1.5
2
3
4
5.2
6
6.5
7
319
294
267
241
220
200
182
164
1SMB5925BT3
1SMB5926BT3
1SMB5927BT3 , G *
1SMB5928BT3
1SMB5929BT3
1SMB5930BT3
1SMB5931BT3
1SMB5932BT3
1SMB5933BT3
1SMB5934BT3
1SMB5935BT3
1SMB5936BT3 , G *
1SMB5937BT3 , G *
1SMB5938BT3
1SMB5939BT3
1SMB5940BT3
1SMB5941BT3
1SMB5942BT3
1SMB5943BT3 , G *
1SMB5944BT3
1SMB5945BT3
1SMB5946BT3
1SMB5947BT3
1SMB5948BT3
925B
926B
927B
928B
929B
930B
931B
932B
933B
934B
935B
936B
937B
938B
939B
940B
941B
942B
943B
944B
945B
946B
947B
948B
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
1SMB5949BT3
1SMB5950BT3
1SMB5951BT3 , G *
1SMB5952BT3
1SMB5953BT3 , G *
1SMB5954BT3
1SMB5955BT3
1SMB5956BT3
949B
950B
951B
952B
953B
954B
955B
956B
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
100
110
120
130
150
160
180
200
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
250
300
380
450
600
700
900
1200
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1
1
1
1
1
1
1
1
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
15
13
12
11
10
9
8
7
2.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字表示的公差
±5%.
3.
齐纳电压(V
Z
)测量
标称齐纳电压的测量可以在25℃与环境温度的热平衡的器件结。
4.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1SMB5913BT3系列
首选设备
3瓦的塑料表面贴装
齐纳稳压器
3瓦齐纳二极管,这种全新的产品线提供以下
优势。
规格特点
齐纳电压范围 - 3.3 V至200 V
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
平板触摸表面的精确定位
包装设计的顶部侧面和底部电路板安装
无铅包可用
http://onsemi.com
机械特性
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
塑料表面贴装
齐纳电压
稳压二极管
3.3-200 V, 3 W DC电源
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的:
阴极
阳极
260℃ 10秒
信息:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以键合焊盘
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
最大稳定状态功率
耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度
减免上述75℃
热阻结到铅
最大稳态功耗
@ T
A
= 25C (注)
减免上述25℃
热阻结到环境
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3.0
40
25
550
4.4
226
65
to
+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
YWW
9xxB
Y
WW
9xxB
=年
=工作周
=具体设备守则
=
(见表3页)
R
qJL
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
订购信息
设备
1SMB59xxBT3
1SMB59xxBT3G
包
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR-4板,在1 “到设备,使用推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年9月 - 第4版
出版订单号:
1SMB5913BT3/D
1SMB5913BT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA( DC)对所有类型)
齐纳电压
(注3)
设备
(注2 )
1SMB5913BT3
1SMB5914BT3
1SMB5915BT3
1SMB5916BT3
设备
记号
913B
914B
915B
916B
V
Z
(伏)
民
3.13
3.42
3.70
4.08
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
@ I
ZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
齐纳阻抗
(注4 )
Z
ZT
@ I
ZT
W
10
9
7.5
6
Z
ZK
@ I
ZK
W
500
500
500
500
mA
1
1
1
1
mA
100
75
25
5
漏电流
I
R
@ V
R
伏
1
1
1
1
I
ZM
MA( DC )
454
416
384
348
1SMB5917BT3
1SMB5918BT3 , G *
1SMB5919BT3 , G *
1SMB5920BT3 , G *
1SMB5921BT3
1SMB5922BT3
1SMB5923BT3 , G *
1SMB5924BT3
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
4.46
4.84
5.32
5.89
6.46
7.12
7.79
8.64
4.7
5.1
5.6
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6.8
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8.2
9.1
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
79.8
73.5
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60.5
55.1
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45.7
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4
2
2
2.5
3
3.5
4
500
350
250
200
200
400
400
500
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
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5
5
5
5
5
5
5
1.5
2
3
4
5.2
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6.5
7
319
294
267
241
220
200
182
164
1SMB5925BT3
1SMB5926BT3
1SMB5927BT3 , G *
1SMB5928BT3
1SMB5929BT3
1SMB5930BT3
1SMB5931BT3
1SMB5932BT3
1SMB5933BT3
1SMB5934BT3
1SMB5935BT3
1SMB5936BT3 , G *
1SMB5937BT3 , G *
1SMB5938BT3
1SMB5939BT3
1SMB5940BT3
1SMB5941BT3
1SMB5942BT3
1SMB5943BT3 , G *
1SMB5944BT3
1SMB5945BT3
1SMB5946BT3
1SMB5947BT3
1SMB5948BT3
925B
926B
927B
928B
929B
930B
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932B
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934B
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942B
943B
944B
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946B
947B
948B
9.5
10.45
11.4
12.35
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17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
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10
11
12
13
15
16
18
20
22
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23.1
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23.4
20.8
18.7
17
15.6
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12.5
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10.4
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7.3
6.7
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5.5
5
4.6
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4.5
5.5
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14
17.5
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100
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1300
1500
1700
2000
2500
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
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0.25
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0.25
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5
1
1
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8
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136.8
152
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13
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10
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2.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字表示的公差
±5%.
3.
齐纳电压(V
Z
)测量
标称齐纳电压的测量可以在25℃与环境温度的热平衡的器件结。
4.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1SMB5913BT3系列
首选设备
3瓦的塑料表面贴装
齐纳稳压器
3瓦齐纳二极管,这种全新的产品线提供以下
优势。
规格特点
齐纳电压范围 - 3.3 V至200 V
ESD等级3级( >16 KV )每人体模型
平板触摸表面的精确定位
包装设计的顶部侧面和底部电路板安装
无铅包可用
http://onsemi.com
机械特性
案例:
无空隙,传输模塑料
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀和导线
塑料表面贴装
齐纳电压
稳压二极管
3.3-200 V, 3 W DC电源
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的:
阴极
阳极
260℃ 10秒
信息:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以键合焊盘
极性:
阴极指示的极性带
可燃性等级:
符合UL 94 V -0
最大额定值
等级
最大稳定状态功率
耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度
减免上述75℃
热阻结到铅
最大稳态功耗
@ T
A
= 25C (注)
减免上述25℃
热阻结到环境
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
3.0
40
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4.4
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to
+150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
SMB
CASE 403A
塑料
标记图
YWW
9xxB
Y
WW
9xxB
=年
=工作周
=具体设备守则
=
(见表3页)
R
qJL
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
订购信息
设备
1SMB59xxBT3
1SMB59xxBT3G
包
SMB
SMB
(无铅)
航运
2500 /磁带&卷轴
2500 /磁带&卷轴
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
被超过,设备功能操作不暗示,可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1. FR-4板,在1 “到设备,使用推荐的足迹。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2004年
1
2004年9月 - 第4版
出版订单号:
1SMB5913BT3/D
1SMB5913BT3系列
电气特性
(中列出的设备
粗体,斜体
是安森美半导体的优选设备。 )
(T
L
= 30℃ ,除非另有说明,V
F
= 1.5 V最大。 @我
F
= 200 MA( DC)对所有类型)
齐纳电压
(注3)
设备
(注2 )
1SMB5913BT3
1SMB5914BT3
1SMB5915BT3
1SMB5916BT3
设备
记号
913B
914B
915B
916B
V
Z
(伏)
民
3.13
3.42
3.70
4.08
喃
3.3
3.6
3.9
4.3
最大
3.47
3.78
4.10
4.52
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ZT
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113.6
104.2
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87.2
齐纳阻抗
(注4 )
Z
ZT
@ I
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10
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@ I
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500
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500
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I
R
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5.88
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82
91
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
37.5
34.1
31.2
28.8
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
4.5
5.5
6.5
7
9
10
12
14
17.5
19
23
28
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
500
550
550
550
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
8
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
150
136
125
115
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
1SMB5949BT3
1SMB5950BT3
1SMB5951BT3 , G *
1SMB5952BT3
1SMB5953BT3 , G *
1SMB5954BT3
1SMB5955BT3
1SMB5956BT3
949B
950B
951B
952B
953B
954B
955B
956B
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
100
110
120
130
150
160
180
200
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
250
300
380
450
600
700
900
1200
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1
1
1
1
1
1
1
1
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
15
13
12
11
10
9
8
7
2.
耐性与TYPE号指定
列出的类型的数字表示的公差
±5%.
3.
齐纳电压(V
Z
)测量
标称齐纳电压的测量可以在25℃与环境温度的热平衡的器件结。
4.
齐纳阻抗(Z
Z
)推导
Z
ZT
和Z
ZK
是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是我
Z( AC)
= 0.1 I
Z( DC )
与AC频率= 60赫兹。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
摩托罗拉
半导体
技术参数
3瓦的塑料表面贴装
硅稳压二极管
3瓦齐纳二极管这个完整的新生产线具有以下优点。
规格特点:
一个完整的电压范围 - 3.3 200伏
平板触摸表面的精确定位
包装设计的顶部侧面和底部电路板安装
可用磁带和卷轴
机械特性:
案例:
无空隙,传输模塑料
最大外壳焊接温度的目的:
260℃ 10秒
表面处理:
所有的外部表面耐腐蚀易与焊引线
极性:
阴极通过模压极性缺口表示。当齐纳二极管模式中操作,
阴极将是相对于阳极阳性。
安装位置:
任何
重量:
修饰的L形弯曲,提供更多的接触面积,以接合焊盘
晶圆厂地点:
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点:
马来西亚芙蓉
1SMB5913BT3
通过
1SMB5956BT3
塑料表面贴装
齐纳二极管
3瓦
3.3-200伏
CASE 403A
塑料
最大额定值
等级
DC功率耗散@ TL = 75℃ ,测得零引线长度
减免上述75℃
DC功率耗散@ TA = 25 ° C *
减免上述25℃
工作和存储结温范围
符号
PD
PD
TJ , TSTG
价值
3
40
830
6.6
- 65 + 150
单位
瓦
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
* FR4板,在1 “到设备,使用摩托罗拉的最低推荐的足迹,如万一403A外形尺寸规格。
电气特性
( TL = 30℃,除非另有说明。 )( VF = 1.5伏特最大@ IF = 200 MADC所有类型)。
公称
齐纳电压
VZ @ IZT
伏
(注1 )
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
TEST
当前
IZT
mA
113.6
104.2
96.1
87.2
79.8
73.5
66.9
60.5
55.1
50
45.7
41.2
37.5
34.1
31.2
28.8
最大齐纳阻抗(注2 )
ZZT @ IZT
欧
10
9
7.5
6
5
4
2
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5.5
6.5
7
ZZK
欧
500
500
500
500
500
350
250
200
200
400
400
500
500
550
550
550
@
IZK
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向
漏电流
IR
A
100
75
25
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1
1
1
@ VR
伏
1
1
1
1
1.5
2
3
4
5.2
6.8
6.5
7
8
8.4
9.1
9.9
最大直流
齐纳
当前
IZM
MADC
454
416
384
348
319
294
267
241
220
200
182
164
150
136
125
115
设备*
1SMB5913BT3
1SMB5914BT3
1SMB5915BT3
1SMB5916BT3
1SMB5917BT3
1SMB5918BT3
1SMB5919BT3
1SMB5920BT3
1SMB5921BT3
1SMB5922BT3
1SMB5923BT3
1SMB5924BT3
1SMB5925BT3
1SMB5926BT3
1SMB5927BT3
1SMB5928BT3
设备
记号
913B
914B
915B
916B
917B
918B
919B
920B
921B
922B
923B
924B
925B
926B
927B
928B
(续)
*公差和电压DESIGNATION
公差代号 - 上市类型数字表示的宽容
±5%.
粗体,斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
3瓦的直流电源数据表
7-1
1SMB5913BT3系列
电气特性 - 续
( TL = 30 ° C除非另有说明。 ) ( VF = 1.5V时最大@ IF = 200 MADC所有
类型。 )
公称
齐纳电压
VZ @ IZT
伏
(注1 )
TEST
当前
IZT
mA
最大反向
漏电流
IR
A
@ VR
伏
最大直流
齐纳
当前
IZM
MADC
最大齐纳阻抗(注2 )
ZZT @ IZT
欧
ZZK
欧
@
IZK
mA
设备*
设备
记号
1SMB5929BT3
1SMB5930BT3
1SMB5931BT3
1SMB5932BT3
1SMB5933BT3
1SMB5934BT3
1SMB5935BT3
1SMB5936BT3
1SMB5937BT3
1SMB5938BT3
1SMB5939BT3
1SMB5940BT3
1SMB5941BT3
1SMB5942BT3
1SMB5943BT3
1SMB5944BT3
1SMB5945BT3
1SMB5946BT3
1SMB5947BT3
1SMB5948BT3
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
25
23.4
20.8
18.7
17
15.6
13.9
12.5
11.4
10.4
9.6
8.7
8
7.3
6.7
6
5.5
5
4.6
4.1
9
10
12
14
17.5
19
23
26
33
38
45
53
67
70
86
100
120
140
160
200
600
600
650
650
650
700
700
750
800
850
900
950
1000
1100
1300
1500
1700
2000
2500
3000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
100
93
83
75
68
62
55
50
45
41
38
34
31
29
26
24
22
20
18
16
929B
930B
931B
932B
933B
934B
935B
936B
937B
938B
939B
940B
941B
942B
943B
944B
945B
946B
947B
948B
1SMB5949BT3
1SMB5950BT3
1SMB5951BT3
1SMB5952BT3
1SMB5953BT3
1SMB5954BT3
1SMB5955BT3
1SMB5956BT3
100
110
120
130
150
160
180
200
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.1
1.9
250
300
380
450
600
700
900
1200
3100
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
1
1
1
1
1
1
1
1
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
15
13
12
11
10
9
8
7
949B
950B
951B
952B
953B
954B
955B
956B
*公差和电压DESIGNATION
公差代号 - 上市类型数字表示的宽容
±5%.
粗体,斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
3瓦的直流电源数据表
7-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
1SMB5913BT3系列
200
VZ @ IZT
ZZ ,动态阻抗(欧姆)
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IZ ,齐纳测试电流(mA)
22V
12V
200
6.8V
500
VZ = 150V
91V
62V
TJ = 25°C
IZ (有效值) = 0.1 IZ (直流)
θ
VZ ,温度系数(毫伏/
°
C)
100
70
50
30
20
10
10
20
30
50
70
100
VZ ,齐纳电压(伏)
200
图7.齐纳电压 - 14到200伏
齐纳电流的图8的影响
注1.齐纳电压( VZ )测量
额定齐纳电压测量与雄心热平衡器件的结
耳鼻喉科温度在25℃ 。
注2:齐纳阻抗( Z Z )推导
ZZT和ZZK是通过将器件两端的交流电压降的交流电流测
应用。在规定的限度是IZ ( AC) = 0.1 IZ ( DC)与交流频率= 60赫兹。
粗体,斜体列出的设备是摩托罗拉的首选设备。
3瓦的直流电源数据表
7-4
摩托罗拉TVS /稳压设备数据