摩托罗拉
半导体
技术参数
综合参数适用于所有系列中
本组
1SMB5.0AT3
系列
600瓦
峰值功率
塑料表面贴装
齐纳管
短暂
抑制器
6.8-200伏
600瓦峰值功率
齐纳瞬态电压抑制器
在SMB系列是专为保护电压敏感元件由高电压，
高能量瞬变。他们有出色的钳位能力，高浪涌能力，低
齐纳阻抗和快速的响应时间。在SMB系列摩托罗拉的供应
排他的，具有成本效益的，高度可靠的Surmetic封装，非常适合于使用在
通信系统中，数值控制，过程控制，医疗设备，
商务机，电源和许多其他工业/消费应用。
规格特点：
标准齐纳击穿电压范围 - 11 200 V
对峙电压范围 - 5至170 V
峰值功率 - 600瓦@ 1毫秒
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
A
上述10 V
UL认证
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
极性：
阴极通过模压极性缺口表示。当齐纳二极管模式中操作，
将正相对于阳极
安装位置：
任何
信息：
修饰的L形弯曲，提供更多的接触面积，以接合焊盘
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
晶圆厂地点：
亚利桑那州凤凰城
装配/测试地点：
马来西亚芙蓉
最大额定值
等级
峰值功耗（ 1 ）
@ TL
≤
25°C
正向浪涌电流（ 2 ）
@ TA = 25°C
热阻结到铅（典型值）
工作和存储温度范围
注：按照图2 1.非重复性电流脉冲及以上的按照图3 TA = 25°C降额。
注意事项：
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
CASE 403A
塑料
符号
PPK
IFSM
R
q
JL
TJ ， TSTG
价值
600
100
25
- 65 + 150
单位
瓦
安培
° C / W
°C
REV 1
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
600瓦峰值功率数据表
5-1
一般数据 - 600瓦峰值功率
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） 。
击穿电压*
反向
对峙电压
VR
伏（1）
VBR @ IT
伏
民
mA
最大
钳位电压
VC @伊普
伏
PEAK
脉冲电流
（参见图2）
IPP
{
安培
最大
反向
再ERSE泄漏
@ VR
IR
A
设备
{{
设备
记号
1SMB5.0AT3
1SMB6.0AT3
1SMB6.5AT3
1SMB7.0AT3
1SMB7.5AT3
1SMB8.0AT3
1SMB8.5AT3
1SMB9.0AT3
1SMB10AT3
1SMB11AT3
1SMB12AT3
1SMB13AT3
1SMB14AT3
1SMB15AT3
1SMB16AT3
1SMB17AT3
1SMB18AT3
1SMB20AT3
1SMB22AT3
1SMB24AT3
1SMB26AT3
1SMB28AT3
1SMB30AT3
1SMB33AT3
1SMB36AT3
1SMB40AT3
1SMB43AT3
1SMB45AT3
1SMB48AT3
1SMB51AT3
1SMB54AT3
1SMB58AT3
1SMB60AT3
1SMB64AT3
1SMB70AT3
1SMB75AT3
1SMB78AT3
1SMB85AT3
1SMB90AT3
1SMB100AT3
1SMB110AT3
1SMB120AT3
1SMB130AT3
1SMB150AT3
1SMB160AT3
1SMB170AT3
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
78
85
90
100
110
120
130
150
160
170
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
86.7
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
126
137
146
162
177
193
209
243
259
275
65.2
58.3
53.6
50.0
46.5
44.1
41.7
39.0
35.3
33.0
30.2
27.9
25.8
24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
11.3
10.3
9.3
8.6
8.3
7.7
7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
5.3
4.9
4.7
4.4
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.2
800
800
500
200
100
50
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
KE
KG
KK
KM
KP
KR
KT
KV
KX
KZ
LE
LG
LK
LM
LP
LR
LT
LV
LX
LZ
ME
MG
MK
MM
MP
MR
MT
MV
MX
MZ
NE
NG
NK
NM
NP
NR
NT
NV
NX
NZ
PE
PG
PK
PM
PP
PR
{{
浪涌电流波形按照图2和每个一般数据的图3中的降额 - 600瓦在这个组的开始。
{{
T3的后缀指定磁带和2500单位的卷轴。
注1：瞬变抑制器是根据反向“站关电压” （ VR），它应该是等于或大于通常所选择的DC或连续峰值工作
电压电平。
*
* VBR测量脉冲测试电流IT在25 ° C的环境temperaure 。
缩写和符号
VR
关断电压。施加的反向电压，以确保一
非导电状态（见注1 ） 。
V（ BR ）分
这是最小击穿电压的器件将
显示，并用于确保传导不
发生之前，在25℃下该电压电平。
VC
最大钳位电压。的最大峰值电压
年龄的通过瞬态抑制器时
IPP
PP
IR
经受峰值PUSLE电流在一毫秒的时间
时间间隔。的峰值脉冲电压的组合
化电压上升，由于两个串联电阻和
温升。
峰值脉冲电流 - 参见图2
峰值脉冲功率
反向漏
600瓦峰值功率数据表
5-2
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
一般数据 - 600瓦峰值功率
VIN（瞬态）
VL
VL
V
VIN（瞬态）
V
过冲DUE TO
电感效应
VIN
td
TD = TIME DELAY由于电容的影响
t
t
图4中。
图5中。
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10
s
0.01
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
s
图6.典型的降额因子的占空比
UL认证
整个系列拥有
美国保险商实验室认可
为保护下的UL分级（ QVGV2 ）
标准安全497B和文件＃ 116110 。很多竞争者
仅具有一个或两个设备的认可或具有识别
在非保护类别。一些竞争对手都没有
识别的。随着UL497B认可，我们的零件
顺利通过了多次测试，包括触发电压
故障测试，耐力空调，温度测试，
介质耐压试验，排放试验和几
更多。
然而，一些竞争对手只通过了flammabil-
试验性的包装材料，我们已经认识到
更要包括在他们的保护范畴。
600瓦峰值功率数据表
5-4
摩托罗拉TVS /稳压设备数据
1SMB5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻结到环境
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
600
3.0
40
25
0.55
4.4
226
100
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性。
2. 1平方铜线垫， FR -4板。
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403A情况下，外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注5）= 30 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，
非重复的占空比。
单向TVS
http://onsemi.com
2
1SMB5.0AT3系列
电气特性
（中列出的设备
粗体，斜体
是安森美半导体的优选设备。 ）
V
RWM
（注6 ）
V
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
14
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
60
64
70
75
85
90
100
110
120
130
150
160
170
击穿电压
I
R
@ V
RWM
mA
800
800
500
500
100
50
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
55.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
V
BR
（注7 ）
伏
民
6.40
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10.0
11.1
12.2
13.3
14.4
15.6
16.7
17.8
18.9
20.0
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40.0
44.4
47.8
50.0
53.3
56.7
60.0
64.4
66.7
71.1
77.8
83.3
94.4
100
111
122
133
144
167
178
189
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14
15.15
16.4
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
70.2
74.85
81.9
87.7
99.2
105.5
117
128.5
140
151.5
176
187.5
199
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
17.2
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.2
73.7
78.6
86
92.1
104
111
123
135
147
159
185
197
209
@ I
T
mA
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
V
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
23.2
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.7
77.4
82.4
87.1
93.6
96.8
103
113
121
137
146
162
177
193
209
243
259
275
I
PP
A
65.2
58.3
53.6
50.0
46.5
44.1
41.7
39.0
35.3
33.0
30.2
27.9
25.8
24.0
23.1
21.7
20.5
18.5
16.9
15.4
14.2
13.2
12.4
11.3
10.3
9.3
8.6
8.3
7.7
7.3
6.9
6.4
6.2
5.8
5.3
4.9
4.4
4.1
3.7
3.4
3.1
2.9
2.5
2.3
2.2
C
典型值
（注9 ）
pF
2700
2300
2140
2005
1890
1780
1690
1605
1460
1345
1245
1160
1085
1020
965
915
870
790
730
675
630
590
555
510
470
430
400
385
365
345
330
310
300
280
260
245
220
210
190
175
160
150
135
125
120
设备*
1SMB5.0AT3 ，G
1SMB6.0AT3 ，G
1SMB6.5AT3 ，G
1SMB7.0AT3 ，G
1SMB7.5AT3 ，G
1SMB8.0AT3 ，G
1SMB8.5AT3 ，G
1SMB9.0AT3 ，G
1SMB10AT3 ，G
1SMB11AT3 ，G
1SMB12AT3 ，G
1SMB13AT3 ，G
1SMB14AT3 ，G
1SMB15AT3 ，G
1SMB16AT3 ，G
1SMB17AT3 ，G
1SMB18AT3 ，G
1SMB20AT3 ，G
1SMB22AT3 ，G
1SMB24AT3 ，G
1SMB26AT3 ，G
1SMB28AT3 ，G
1SMB30AT3 ，G
1SMB33AT3 ，G
1SMB36AT3 ，G
1SMB40AT3 ，G
1SMB43AT3 ，G
1SMB45AT3 ，G
1SMB48AT3 ，G
1SMB51AT3 ，G
1SMB54AT3 ，G
1SMB58AT3 ，G
1SMB60AT3 ，G
1SMB64AT3 ，G
1SMB70AT3 ，G
1SMB75AT3 ，G
1SMB85AT3 ，G
1SMB90AT3 ，G
1SMB100AT3 ，G
1SMB110AT3 ，G
1SMB120AT3 ，G
1SMB130AT3 ，G
1SMB150AT3 ，G
1SMB160AT3 ，G
1SMB170AT3 ，G
设备
记号
KE
KG
KK
KM
KP
KR
KT
KV
KX
KZ
LE
LG
LK
LM
LP
LR
LT
LV
LX
LZ
ME
MG
MK
MM
MP
MR
MT
MV
MX
MZ
NE
NG
NK
NM
NP
NR
NV
NX
NZ
PE
PG
PK
PM
PP
PR
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
600瓦，在这个组的开头 - 按图2和图元的通用数据的4减免8.浪涌电流波形。
9.偏置电压= 0 V ， F = 1兆赫，T
J
= 25°C
请参阅1SMB10CAT3到1SMB78CAT3为双向设备。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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1SMB5.0AT3系列
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图6中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图7.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。在SMB系列有
一个很好的响应时间，通常为< 1.0 ns到可以忽略不计
电感。但是，外部感应效应可能
产生不可接受的过冲。正确的电路布局，
最小导线长度，并把抑制装置
关闭尽可能的设备或部件是
保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图8.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看，图8中的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图8中的给定的脉冲乘以峰值功率
图1为相同的脉冲的值，结果按照
预期的趋势。
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