1SMA5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
400
1.5
20
50
0.5
4.0
250
40
65
+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性。
2. 1方形铜垫， FR -4板。
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403B的情况下外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
= 30 ，一种用于所有类型） （注5 ）
I
I
F
V
C
V
BR
V
RWM
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒，非重复性的责任
周期。
单向TVS
http://onsemi.com
2
1SMA5.0AT3系列
电气特性
V
RWM
（注6 ）
伏
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
64
70
75
I
R
@
V
RWM
mA
400
400
250
250
50
25
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
击穿电压
V
BR
（伏）
（注7 ）
民
6.4
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
60
64.4
71.1
77.8
83.3
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14.0
15.15
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
74.85
81.9
87.7
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.5
78.6
86.0
92.1
@ I
T
mA
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
伏
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.2
77.4
82.4
87.1
93.6
103
113
121
I
PP
安培
43.5
38.8
35.7
33.3
31.0
29.4
27.8
26.0
23.5
22.0
20.1
18.6
16.4
15.4
14.5
13.7
12.3
11.3
10.3
9.5
8.8
8.3
7.5
6.9
6.2
5.8
5.5
5.2
4.9
4.6
4.3
3.9
3.5
3.3
典型。
（注9 ）
pF
2035
1730
1605
1505
1415
1035
1265
1200
1090
1000
925
860
758
715
680
645
585
540
500
460
430
405
375
345
315
295
280
265
250
240
225
205
190
180
设备
1SMA5.0AT3 ，G
1SMA6.0AT3 ，G
1SMA6.5AT3 ，G
1SMA7.0AT3 ，G
1SMA7.5AT3 ，G
1SMA8.0AT3 ，G
1SMA8.5AT3 ，G
1SMA9.0AT3 ，G
1SMA10AT3 ，G
1SMA11AT3 ，G
1SMA12AT3 ，G
1SMA13AT3 ，G
1SMA15AT3 ，G
1SMA16AT3 ，G
1SMA17AT3 ，G
1SMA18AT3 ，G
1SMA20AT3 ，G
1SMA22AT3 ，G
1SMA24AT3 ，G
1SMA26AT3 ，G
1SMA28AT3 ，G
1SMA30AT3 ，G
1SMA33AT3 ，G
1SMA36AT3 ，G
1SMA40AT3 ，G
1SMA43AT3 ，G
1SMA45AT3 ，G
1SMA48AT3 ，G
1SMA51AT3 ，G
1SMA54AT3 ，G
1SMA58AT3 ，G
1SMA64AT3 ，G
1SMA70AT3 ，G
1SMA75AT3 ，G
设备
记号
QE
QG
QK
QM
QP
QR
QT
QV
QX
QZ
RE
RG
RM
RP
RR
RT
RV
RX
RZ
SE
SG
SK
SM
SP
SR
ST
SV
SX
SZ
TE
TG
TM
TP
TR
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和减免按照图3 8.浪涌电流波形。
9.偏置电压= 0 V ， F = 1.0兆赫，T
J
= 25°C.
请参阅1SMA10CAT3到1SMA75CAT3为双向设备。
*在“G”后缀表示无铅封装。
http://onsemi.com
3
1SMA5.0AT3系列
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
本期
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 403D -01已过时，新标准是403D -02 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
民
1.97
0.05
1.27
0.15
2.29
4.06
4.83
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.10
2.20
0.10
0.15
1.45
1.63
0.28
0.41
2.60
2.92
4.32
4.57
5.21
5.59
1.14
1.52
民
0.078
0.002
0.050
0.006
0.090
0.160
0.190
0.030
英寸
喃
0.083
0.004
0.057
0.011
0.103
0.170
0.205
0.045
最大
0.087
0.006
0.064
0.016
0.115
0.180
0.220
0.060
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
A
A1
L
c
焊接足迹*
4.0
0.157
2.0
0.0787
2.0
0.0787
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
Surmetic是半导体元件工业， LLC的商标。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲，中东和非洲技术支持：
电话： 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话： 81-3-5773-3850
安森美半导体网站： www.onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息，请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
5
1SMA5.0AT3/D
1SMA5.0AT3系列
400瓦峰值功率齐纳
瞬态电压
抑制器
单向*
http://onsemi.com
该SMA系列是专为保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。该SMA系列供应
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetict封装，非常适合于在通信中使用
系统，汽车，数字控制，过程控制，医疗
设备，商用机器，电源和许多其他
工业/消费应用。
特点
塑料表面贴装
齐纳管
瞬态抑制器
5.0 - 78 V， 400 W峰值功率
阴极
阳极
工作峰值反向电压范围 - 5.0 V至78 V
标准齐纳击穿电压范围 - 6.7 V至91.25 V
峰值功率 - 400瓦@ 1毫秒
ESD额定值3类（ > 16千伏）每人体模型
响应时间通常< 1纳秒
平板触摸表面的精确定位
包装设计上滑板或底部电路板安装
低廓包
无铅包可用
SMA
CASE 403D
塑料
标记图
xx
AYWWG
机械特性：
案例：
无空隙，传输模塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大外壳焊接温度的目的：
260℃ 10秒
极性：
阴极表示通过模压缺口极性和极性
BAND
安装位置：
任何
xx
A
Y
WW
G
=设备代码（参见第3页）
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
订购信息
设备
1SMAxxAT3
1SMAxxAT3G
包
SMA
SMA
（无铅）
航运
5000 /磁带&卷轴
5000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
器件标识信息
请参阅该设备的特定标识信息标识
电气特性表的第3页列
此数据表。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 9牧师
出版订单号：
1SMA5.0AT3/D
1SMA5.0AT3系列
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ） @ T
L
= 25 ° C，脉冲宽度= 1毫秒
DC功率耗散@ T
L
= 75°C
测量零引线长度（注2 ）
减免上述75℃
热阻结到铅
DC功率耗散（注3 ） @ T
A
= 25°C
减免上述25℃
从结点到环境的热阻
正向浪涌电流（注4 ） @ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
400
1.5
20
50
0.5
4.0
250
40
-65到+150
单位
W
W
毫瓦/°C的
° C / W
W
毫瓦/°C的
° C / W
A
°C
R
qJL
P
D
R
qJA
I
FSM
T
J
, T
英镑
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响
器件的可靠性。
1. 10 X 1000
女士，
非重复性。
2. 1方形铜垫， FR -4板。
3， FR- 4电路板，采用安森美半导体的最低建议足迹，如图403B的情况下外形尺寸规格。
4. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW = 8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
= 30 ，一种用于所有类型） （注5 ）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
V
C
V
BR
V
RWM
I
F
I
I
R
V
F
I
T
V
I
PP
5. 1/2正弦波或同等学历， PW = 8.3毫秒，非重复性的责任
周期。
单向TVS
http://onsemi.com
2
1SMA5.0AT3系列
电气特性
击穿电压
V
BR
（伏）
（注7 ）
民
6.4
6.67
7.22
7.78
8.33
8.89
9.44
10
11.1
12.2
13.3
14.4
16.7
17.8
18.9
20
22.2
24.4
26.7
28.9
31.1
33.3
36.7
40
44.4
47.8
50
53.3
56.7
60
64.4
71.1
77.8
83.3
喃
6.7
7.02
7.6
8.19
8.77
9.36
9.92
10.55
11.7
12.85
14.0
15.15
17.6
18.75
19.9
21.05
23.35
25.65
28.1
30.4
32.75
35.05
38.65
42.1
46.75
50.3
52.65
56.1
59.7
63.15
67.8
74.85
81.9
87.7
最大
7.0
7.37
7.98
8.6
9.21
9.83
10.4
11.1
12.3
13.5
14.7
15.9
18.5
19.7
20.9
22.1
24.5
26.9
29.5
31.9
34.4
36.8
40.6
44.2
49.1
52.8
55.3
58.9
62.7
66.3
71.5
78.6
86.0
92.1
@ I
T
mA
10
10
10
10
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
C
@ I
PP
（注8）
V
C
伏
9.2
10.3
11.2
12.0
12.9
13.6
14.4
15.4
17.0
18.2
19.9
21.5
24.4
26.0
27.6
29.2
32.4
35.5
38.9
42.1
45.4
48.4
53.3
58.1
64.5
69.4
72.2
77.4
82.4
87.1
93.6
103
113
121
I
PP
安培
43.5
38.8
35.7
33.3
31.0
29.4
27.8
26.0
23.5
22.0
20.1
18.6
16.4
15.4
14.5
13.7
12.3
11.3
10.3
9.5
8.8
8.3
7.5
6.9
6.2
5.8
5.5
5.2
4.9
4.6
4.3
3.9
3.5
3.3
设备
1SMA5.0AT3 ，G
1SMA6.0AT3 ，G
1SMA6.5AT3 ，G
1SMA7.0AT3 ，G
1SMA7.5AT3 ，G
1SMA8.0AT3 ，G
1SMA8.5AT3 ，G
1SMA9.0AT3 ，G
1SMA10AT3 ，G
1SMA11AT3 ，G
1SMA12AT3 ，G
1SMA13AT3 ，G
1SMA15AT3 ，G
1SMA16AT3 ，G
1SMA17AT3 ，G
1SMA18AT3 ，G
1SMA20AT3 ，G
1SMA22AT3 ，G
1SMA24AT3 ，G
1SMA26AT3 ，G
1SMA28AT3 ，G
1SMA30AT3 ，G
1SMA33AT3 ，G
1SMA36AT3 ，G
1SMA40AT3 ，G
1SMA43AT3 ，G
1SMA45AT3 ，G
1SMA48AT3 ，G
1SMA51AT3 ，G
1SMA54AT3 ，G
1SMA58AT3 ，G
1SMA64AT3 ，G
1SMA70AT3 ，G
1SMA75AT3 ，G
设备
记号
QE
QG
QK
QM
QP
QR
QT
QV
QX
QZ
RE
RG
RM
RP
RR
RT
RV
RX
RZ
SE
SG
SK
SM
SP
SR
ST
SV
SX
SZ
TE
TG
TM
TP
TR
V
RWM
（注6 ）
伏
5.0
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
10
11
12
13
15
16
17
18
20
22
24
26
28
30
33
36
40
43
45
48
51
54
58
64
70
75
I
R
@
V
RWM
mA
400
400
250
250
50
25
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
典型。
（注9 ）
pF
2035
1730
1605
1505
1415
1035
1265
1200
1090
1000
925
860
758
715
680
645
585
540
500
460
430
405
375
345
315
295
280
265
250
240
225
205
190
180
6.瞬态抑制器是根据工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
） ，这应该是等于或大于
直流或连续峰值工作电压电平。
7. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度下进行。
按照图2和减免按照图3 8.浪涌电流波形。
9.偏置电压= 0 V ， F = 1.0兆赫，T
J
= 25°C.
请参阅1SMA10CAT3到1SMA75CAT3为双向设备。
*在“G”后缀表示无铅封装。
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3
1SMA5.0AT3系列
包装尺寸
SMA
CASE 403D -02
版本C
H
E
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 403D -01已过时，新标准是403D -02 。
暗淡
A
A1
b
c
D
E
H
E
L
民
1.91
0.05
1.27
0.15
2.29
4.06
4.83
0.76
MILLIMETERS
喃
最大
2.16
2.41
0.10
0.15
1.45
1.63
0.28
0.41
2.60
2.92
4.32
4.57
5.21
5.59
1.14
1.52
民
0.075
0.002
0.050
0.006
0.090
0.160
0.190
0.030
英寸
喃
0.085
0.004
0.057
0.011
0.103
0.170
0.205
0.045
最大
0.095
0.006
0.064
0.016
0.115
0.180
0.220
0.060
b
D
极性检测指示灯
根据系统需要可选
（见样式）
风格1 ：
PIN 1阴极（极性带）
2.阳极
A
L
c
A1
焊接足迹*
4.0
0.157
2.0
0.0787
2.0
0.0787
尺度8:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
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