1SMA4741 - 1SMA200Z
1.0瓦表面贴装硅稳压二极管
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序，以
优化电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
典型的我
R
小于5.0uA 11V以上
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒码头
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
机械数据
案例：模压塑料多钝化结
终端：纯锡电镀无铅，
每MIL -STD- 750方法2025
极性：色环表示正端
（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
类型编号
在T峰值功耗
A
= 50℃ ，减免上述
o
50 C（注1 ）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注2 ）
o
符号
P
D
I
FSM
价值
1.0
6.67
10.0
单位
瓦
毫瓦/
o
C
安培
o
工作和存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55到+ 150
C
2
1.安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
注意事项：
2.测上8.3ms单正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每
最高分
- 586 -
版本： B07
电气特性
(TA=25
O
C
设备
（注1 ）
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
1SMA4758
1SMA4759
1SMA4760
1SMA4761
1SMA4762
1SMA4763
1SMA4764
1SMA110Z
1SMA120Z
1SMA130Z
1SMA150Z
1SMA160Z
1SMA180Z
1SMA200Z
设备
记号
CODE
741A
742A
743A
744A
745A
746A
747A
748A
749A
750A
751A
752A
753A
754A
755A
756A
757A
758A
759A
760A
761A
762A
763A
764A
110A
120A
130A
150A
160A
180A
200A
额定齐纳电压
除非另有说明）V
F
= 1.2V最大值，我
F
= 200毫安所有类型。
浪涌电流@
O
T
A
= 25 C
铱 - 毫安
（注5 ）
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
-
-
-
-
-
-
-
TEST
V
z
@ I
zt
电压
（注2和3 ）
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
当前
I
ZT
mA
23
21
19
17
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗（注4 ）
漏电流
Z
ZT @
I
ZT
欧
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
Z
ZK @ IZK
欧
mA
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
- [R @ VR
uA的最大电压
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
注意事项：
1.公差和类型编号标识。列出的类型号有一个标准公差
上的±5％的额定齐纳电压。
2，特价优惠包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.齐纳电压（ VZ ）的测量。保证了齐纳电压时，在90秒，同时messured
保持在30℃ ± 1℃的铅的温度（ TL ）时，从二极管体。
4.齐纳阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
交流电流具有和均方根值等于直流的10％时，其导致
齐纳电流（ IZT或IZK ）被叠加在IZT或IZK 。
5.浪涌电流（IR ）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，
1/2方波的非重复性，反向浪涌电流或1/120秒等效正弦波脉冲
持续叠加的测试电流， IZT ，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力
是如在图10中描述。
o
o
- 587 -
版本： B07
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.1-功耗温度降额曲线
P
D
,
最大功耗（瓦）
FIG.2-典型正向特性
1000
500
IF ，正向电流（mA ）
1.25
最低
最大
1.0
200
100
50
20
10
5
2
o
0.75
0.50
70 C
150 C
25 C
0 C
o
o
o
0.25
0
0
20
40
60
80
100
120
140
o
1
160
180
200
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
环境温度（ C）
V
F
,
正向电压（伏）
齐纳电流的FIG.3-影响
在齐纳阻抗
1000
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
FIG.5-典型漏电流
o
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
47V
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
IR ，漏电流（ A）
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
27V
0.8V
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
10
20
50
100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
齐纳电压的FIG.4-影响
在齐纳阻抗
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7
I
Z
= 1.0毫安
5.0mA
20mA
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
o
+125 C
o
+25 C
o
10
20
30
50 70 100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
V
Z
,
额定齐纳电压（伏）
版本： B07
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.6-典型电容与Vz的
400
300
200
C，电容（pF ）
FIG.7-温度系数
A- RANGE FOR单位12伏
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
+12
+10
+8.0
+6.0
+4.0
+2.0
0
-2.0
-4.0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
，齐纳电压（伏）
100
0V偏置
1.0V BIAS
10
8
4
1
范围
V
Z
@ I
ZT
击穿BIAS的50 ％
10
V
Z
，正向电压（伏）
100
FIG.8-温度系数
B- RANGE FOR单元11至100伏
齐纳电流的FIG.9-影响
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
70
100
V
Z
，齐纳电压（伏）
+6.0
+4.0
V
Z
@ I
ZT
TJ=25
o
C
+2.0
范围
V
Z
@ I
ZT
20mA
0
0.01mA
1.0mA
注：低于3千伏及以上一伏
在齐纳电流OO的更改不会
AFFECT温度系数
-2.0
-4.0
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
FIG.10-最大浪涌电源
PPK ，峰值浪涌功率IWATTSO
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
0.8V
-10V
不
11V
-9
-re
PET
ITIV
E
1V
导通
代表
5% D
UTY
ETIT
I
YCLE
VE
矩形
波形
o
TJ = 25℃ PRIOR TO
初始脉冲
10 ％ DUT
周期
20 ％占空比
版本： B07
1SMA4736~1SMA4757
表面贴装硅稳压二极管
电压
特点
对于表面安装应用程序，以优化电路板空间。
内置应变救灾
低电感
典型I
R
小于5.0μA 11V以上
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
.096(2.44)
.062(1.60)
.047(1.20)
.114(2.90)
.098(2.50)
6.8 51伏特
动力
1.0瓦特
SMA/DO-214AC
单位：英寸（毫米）
薄型封装
玻璃钝化结
.181(4.60)
.157(4.00)
.012(.305)
.006(.152)
.078(2.00)
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO - 214AC ，模压塑料多钝化的交界处。
码头：焊接镀，每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
·重量： 0.002盎司， 0.064克
.060(1.52)
.030(0.76)
.008(.203)
.002(.051)
.208(5.28)
.188(4.80)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
参数
Pwak脉冲功率迪SSI帕蒂在对T
A
=50
O
C（注一）
中心提供全方位高于50
O
C
峰值正向浪涌光凭目前 8.3ms的SI ngle半SI NE波
superi mposed在额定负荷（ JED EC法）
操作，实际纳克Juncti上存储温度范围
符号
价值
1.0
6.67
10
-55到+ 150
UNI TS
W的ATT
毫瓦/
O
C
安培
O
P
D
I
FSM
T
J
,T
英镑
C
注意事项：
A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.测量on8.3ms和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
C.宽容和类型编号标识。列出的类型的数字对额定齐纳标准公差
电压的±5％。
STAD-DEC.22.2006
PAGE 。 1
1SMA4736~1SMA4757
N}÷ M I N A升泽否E 武L T A G é
产品型号
N}÷米。 V
V
Z
@ I
ZT
分钟。 V
马X 。 V
M A X I M ü米泽否E R I M·P E D A N权证
Z
ZT
@ I
ZT
mA
Z
ZK
@ I
ZK
mA
最大反向
漏电流
I
R
@ V
R
ü妈X
V
以克麻RK
CODE
1.0瓦齐纳
1SMA4736
1SMA4737
1SMA4738
1SMA4739
1SMA4740
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
6.46
7.13
7.79
8.65
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
3.5
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
37
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7
6.5
6
5.5
5
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5
5
5
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
4
5
6
7
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
736B
737B
738B
739B
740B
741B
742B
743B
744B
745B
746B
747B
748B
749B
750B
751B
752B
753B
754B
755B
756B
757B
额定值和特性曲线
P
D
，最大功率耗散（瓦）
1.0
L =导线长度
到散热器
0.75
0.5
0.25
0
0
20
40
60
80 1 0 0
120
140 160 180
O
200
T
L
，引线温度（ C）
图一功耗温度降额曲线
STAD-DEC.22.2006
PAGE 。 2
1SMA4736~1SMA4757
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷7.5K
T / R - 1.8Kper 7 “的塑料卷盘
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STAD-DEC.22.2006
PAGE 。五
数据表
1SMA4728~1SMA4764
表面贴装硅稳压二极管
电压
特点
对于表面安装应用程序，以优化电路板空间。
薄型封装
内置应变救灾
玻璃钝化结
低电感
典型I
R
小于5.0μA 11V以上
塑料包装有保险商实验室可燃性
分类94V -O
高温焊接： 260℃ / 10秒码头
.096(2.44)
.062(1.60)
.047(1.20)
.114(2.90)
.098(2.50)
3.3
to
100
伏
动力
1.0瓦特
SMA/DO-214AC
单位：英寸（毫米）
.181(4.60)
.157(4.00)
环境物质指令的要求
MECHANICALDATA
案例： JEDEC DO - 214AC ，模压塑料多钝化的交界处。
码头：焊接镀，每MIL -STD- 202G ，方法208焊
极性：色环表示正端（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
.060(1.52)
.030(0.76)
.078(2.00)
无铅产品可供选择： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令
.012(.305)
.006(.152)
.008(.203)
.002(.051)
.208(5.28)
.188(4.80)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
P AR M等
a
e
否E
P瓦特AK P UL ê P嗷嗷ERD我SI航标上的TA = 50
O
C（ OT S A ）
s
S·P我
ER吨以上的50
O
C
ae
P EAK对于AR UR式C urent8 。米每秒SI GL HAL SI E- AVE
宽深
g
r
3
否E
F N瓦特
superm构成R上T·D·L广告（E D E C M等OD ）
i
AE
J
h
每TNG Juncton和S T GE TEM每吨R R法兰
ai
i
oa
AUE
S YM BOL
瓦尔ê
u
1.
0
6. 7
6
10
- 5 t + 150
5 o
ü NIS
t
W ATS
t
米W /
O
C
A M PS
O
P
D
I
FSM
T
J
,
英镑
T
C
注意事项：
A.安装在5.0平方毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
B.测量on8.3ms和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟最大。
C.宽容和类型编号标识。列出的类型的数字对额定齐纳标准公差
电压的±5％。
STAD-JAN.27.2005
PAGE 。 1
注意：
1.公差和类型编号标识。列出的类型umbers对额定齐纳标准公差
电压+ 5 ％
2，特价优惠包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.齐纳电压（ VZ）的测量。当以90秒为单位计算，同时保持保证了齐纳电压
o
o
铅温度（T
L
）在30℃ + 1 ℃，从二极管体。
4.齐纳阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压，这会导致当衍生
具有有效值等于直流稳压电流（ IZT或Izk ）的10％的交流电流被叠加在IZT或Izk 。
5.浪涌电流（IR ）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，
1/2非重复性，反向浪涌电流
额定值和特性曲线
P
D
，最大功率耗散（瓦）
1.0
L =导线长度
到散热器
0.75
0.5
0.25
0
0
20
40
60
80
100
120
140 160 180
O
200
T
L
，引线温度（ C）
图一功耗温度降额曲线
a.RANGE FOR单位12伏
b.RANGE FOR单位12 100伏特
图二温度COEFICIENTS
(-55
O
C至+150
O
C的温度范围; 90 ％的单位都必须在指定的范围。 ）
STAD-JAN.27.2005
PAGE 。 3
1SMA4741 - 1SMA200Z
1.0瓦表面贴装硅稳压二极管
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序，以
优化电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
典型的我
R
小于5.0uA 11V以上
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒码头
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
机械数据
案例：模压塑料多钝化结
终端：纯锡电镀无铅，
每MIL -STD- 750方法2025
极性：色环表示正端
（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
类型编号
在T峰值功耗
A
= 50℃ ，减免上述
o
50 C（注1 ）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注2 ）
o
符号
P
D
I
FSM
价值
1.0
6.67
10.0
单位
瓦
毫瓦/
o
C
安培
o
工作和存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55到+ 150
C
2
1.安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
注意事项：
2.测上8.3ms单正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每
最高分
- 586 -
版本： B07
电气特性
(TA=25
O
C
设备
（注1 ）
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
1SMA4758
1SMA4759
1SMA4760
1SMA4761
1SMA4762
1SMA4763
1SMA4764
1SMA110Z
1SMA120Z
1SMA130Z
1SMA150Z
1SMA160Z
1SMA180Z
1SMA200Z
设备
记号
CODE
741A
742A
743A
744A
745A
746A
747A
748A
749A
750A
751A
752A
753A
754A
755A
756A
757A
758A
759A
760A
761A
762A
763A
764A
110A
120A
130A
150A
160A
180A
200A
额定齐纳电压
除非另有说明）V
F
= 1.2V最大值，我
F
= 200毫安所有类型。
浪涌电流@
O
T
A
= 25 C
铱 - 毫安
（注5 ）
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
-
-
-
-
-
-
-
TEST
V
z
@ I
zt
电压
（注2和3 ）
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
当前
I
ZT
mA
23
21
19
17
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗（注4 ）
漏电流
Z
ZT @
I
ZT
欧
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
Z
ZK @ IZK
欧
mA
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
- [R @ VR
uA的最大电压
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
注意事项：
1.公差和类型编号标识。列出的类型号有一个标准公差
上的±5％的额定齐纳电压。
2，特价优惠包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.齐纳电压（ VZ ）的测量。保证了齐纳电压时，在90秒，同时messured
保持在30℃ ± 1℃的铅的温度（ TL ）时，从二极管体。
4.齐纳阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
交流电流具有和均方根值等于直流的10％时，其导致
齐纳电流（ IZT或IZK ）被叠加在IZT或IZK 。
5.浪涌电流（IR ）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，
1/2方波的非重复性，反向浪涌电流或1/120秒等效正弦波脉冲
持续叠加的测试电流， IZT ，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力
是如在图10中描述。
o
o
- 587 -
版本： B07
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.1-功耗温度降额曲线
P
D
,
最大功耗（瓦）
FIG.2-典型正向特性
1000
500
IF ，正向电流（mA ）
1.25
最低
最大
1.0
200
100
50
20
10
5
2
o
0.75
0.50
70 C
150 C
25 C
0 C
o
o
o
0.25
0
0
20
40
60
80
100
120
140
o
1
160
180
200
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
环境温度（ C）
V
F
,
正向电压（伏）
齐纳电流的FIG.3-影响
在齐纳阻抗
1000
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
FIG.5-典型漏电流
o
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
47V
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
IR ，漏电流（ A）
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
27V
0.8V
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
10
20
50
100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
齐纳电压的FIG.4-影响
在齐纳阻抗
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7
I
Z
= 1.0毫安
5.0mA
20mA
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
o
+125 C
o
+25 C
o
10
20
30
50 70 100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
V
Z
,
额定齐纳电压（伏）
版本： B07
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.6-典型电容与Vz的
400
300
200
C，电容（pF ）
FIG.7-温度系数
A- RANGE FOR单位12伏
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
+12
+10
+8.0
+6.0
+4.0
+2.0
0
-2.0
-4.0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
，齐纳电压（伏）
100
0V偏置
1.0V BIAS
10
8
4
1
范围
V
Z
@ I
ZT
击穿BIAS的50 ％
10
V
Z
，正向电压（伏）
100
FIG.8-温度系数
B- RANGE FOR单元11至100伏
齐纳电流的FIG.9-影响
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
70
100
V
Z
，齐纳电压（伏）
+6.0
+4.0
V
Z
@ I
ZT
TJ=25
o
C
+2.0
范围
V
Z
@ I
ZT
20mA
0
0.01mA
1.0mA
注：低于3千伏及以上一伏
在齐纳电流OO的更改不会
AFFECT温度系数
-2.0
-4.0
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
FIG.10-最大浪涌电源
PPK ，峰值浪涌功率IWATTSO
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
0.8V
-10V
不
11V
-9
-re
PET
ITIV
E
1V
导通
代表
5% D
UTY
ETIT
I
YCLE
VE
矩形
波形
o
TJ = 25℃ PRIOR TO
初始脉冲
10 ％ DUT
周期
20 ％占空比
版本： B07
大陆设备印度有限公司
通过ISO / TS 16949 ， ISO 9001和ISO 14001认证的公司
表面贴装硅稳压二极管
1SMA4732 - 1SMA4760
(4V7 - 68V)
DO- 214AC （ SMA）的
表面贴装封装
绝对最大额定值
描述
功率耗散@ T
a
=50C
减免上述50℃
峰值正向浪涌电流， 8.3ms单
半正弦波叠加额定
负载
工作结存储
温度范围
2
符号
*P
D
价值
1.0
6.67
单位
W
毫瓦/℃
A
°C
**I
FSM
T
j,
T
英镑
10
- 55 + 150
*安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
**测量的8.3ms的，和单一正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每分钟
最大
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
V
F
@ 200毫安<1.2V
齐纳阻抗
齐纳电压
反向漏
V
Z
@ I
ZT
Z
ZT @
I
ZT
Z
ZK @
I
ZK
I
R
@
V
R
装置＃
(V) +/- 5%
（MA ）
（MA ）
(V)
()
()
(A)
NOM 。 V
民
最大
最大
最大
最大
4.7
4.50
4.90
8.0
500
1.0
10
1.0
1SMA4732
53.0
5.1
5.40
7.0
550
1.0
10
1.0
1SMA4733
4.80
49.0
5.6
5.90
5.0
600
1.0
10
2.0
1SMA4734
5.30
45.0
1SMA4735
6.2
5.90
6.50
2.0
700
1.0
10
3.0
41.0
7.10
3.5
700
1.0
10
4.0
1SMA4736
6.8
6.50
37.0
7.5
7.90
4.0
700
0.50
10
5.0
1SMA4737
7.10
34.0
8.2
8.60
4.5
700
0.50
10
6.0
1SMA4738
7.80
31.0
9.1
9.60
5.0
700
0.50
10
7.0
1SMA4739
8.60
28.0
10
10.50
7.0
700
0.25
10
7.6
1SMA4740
9.50
25.0
11
11.60
8.0
700
0.25
0.1
8.4
1SMA4741
10.50
23.0
12.60
9.0
700
0.25
0.1
9.1
1SMA4742
12
11.40
21.0
13.70
10
700
0.25
0.1
9.9
13
12.40
1SMA4743
19.0
15.80
14
700
0.25
0.1
11.4
15
14.30
1SMA4744
17.0
16.80
16
700
0.25
0.1
12.2
16
15.20
1SMA4745
15.5
18.90
20
750
0.25
0.1
13.7
18
17.10
1SMA4746
14.0
20
19.00
21.00
22
750
0.25
0.1
15.2
1SMA4747
12.5
23.10
23
750
0.25
0.1
16.7
22
20.90
1SMA4748
11.5
24
22.80
25.20
25
750
0.25
0.1
18.2
1SMA4749
10.5
27
28.40
35
750
0.25
0.1
20.6
25.70
1SMA4750
9.5
30
28.50
31.50
40
1000
0.25
0.1
22.8
1SMA4751
8.5
33
31.40
34.70
45
1000
0.25
0.1
25.1
1SMA4752
7.5
36
37.80
50
7.0
1000
0.25
0.1
27.4
34.20
1SMA4753
39
41.00
60
6.5
1000
0.25
0.1
29.7
37.10
1SMA4754
43
45.20
70
6.0
1500
0.25
0.1
32.7
40.90
1SMA4755
1SMA4732_4760Rev080205E
记号
CODE
732B
733B
734B
735B
736B
737B
738B
739B
740B
741B
742B
743B
744B
745B
746B
747B
748B
749B
750B
751B
752B
753B
754B
755B
大陆设备印度有限公司
数据表
第1页5
1SMA4732 - 1SMA4760
(4V7 - 68V)
DO- 214AC （ SMA）的
表面贴装封装
DO- 214AC （ SMA ） SMD塑料包装
暗淡
A
B
C
D
民
4.06
2.18
1.29
0.152
最大
4.57
2.79
1.70
0.305
暗淡
E
F
G
H
民
1.70
0.89
0.102
4.70
最大
2.31
1.50
0.203
5.31
所有尺寸均为毫米
1SMA4732_4760Rev080205E
大陆设备印度有限公司
数据表
页面
3
of
5
卷轴尺寸和组件/卷的SMD封装
1SMA4732 - 1SMA4760
(4V7 - 68V)
DO- 214AC （ SMA）的
卷轴规格
TAPE
REEL DIA 。
里面
包
宽度
厚度
A - 最大
W
DO- 214AC （ SMA）的
12
330
12.4 ± 2
所有尺寸均为毫米
REEL
厚度
牛逼 - 最大
18.4
组件处置说明
1. CDIL半导体器件是不可回收的RoHS指令的免费资料，客户被要求请处分
按照现行的国家的环境立法。
2，在欧洲，请处置按照欧盟指令2002/ 96 / EC关于报废电子电气设备（ WEEE ） 。
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件（S ）最好的
适合应用在产品中（ S）按您的要求。我们建议你彻底审查我们的数据
表（S ），以确认设备（S ）满足功能参数为您的应用。装修中的信息
数据手册和CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而，这并不承担
责任，不准确或不完整的信息。此外， CDIL不承担任何责任，因
的任何CDIL产品的应用或使用;它也没有传达根据其专利权或他人权利的任何许可。
这些产品不是设计用于救生/支持设备或系统中使用。 CDIL客户销售这些产品
（无论是作为单独的分立半导体器件或在其最终产品的引入） ，在任何救生/支
设备或系统或应用程序这样做在自己的风险和CDIL将不负责造成的任何损失
这样的销售（ S） 。
CDIL求持续改进，并保留更改产品规格，恕不另行通知。
CDIL是公司的注册商标
大陆设备印度有限公司
C- 120 Naraina工业区，新德里110 028 ，印度。
电话：+ 91-11-2579 6150 ，
4141
1112传真：+ 91-11-2579 5290 ，
4141
1119
email@cdil.com
www.cdilsemi.com
1SMA4732_4760Rev080205E
大陆设备印度有限公司
数据表
页面
5
of
5
1SMA4741
THRU
1SMA200Z
表面贴装硅稳压二极管
电压范围
11到200伏特
1.0瓦峰值功率
特点
a
a
a
a
a
a
a
a
SMA/DO-214AC
.062(1.58)
.056(1.43)
.111(2.83)
.102(2.29)
对于以优化表面安装应用程序
电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
典型的我
R
小于5.0 11V以上
高温焊接保证：
260
O
C / 10秒码头
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
.187(4.75)
.167(4.25)
机械数据
a
a
a
a
案例：模压塑料多钝化结
码头：焊接镀每焊
MIL- STD- 750方法2025
极性：色环表示正端（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
.103(2.30)
.078(1.99)
.012(.31)
.006(.15)
.008(.20)
.004(.10)
.056(1.41)
.035(0.90)
.210(5.33)
.195(4.95)
尺寸以英寸（毫米）
a
重量： 0.002盎司， 0.064克
最大额定值和电气特性
评价在25±环境温度，除非另有规定。
类型编号
在T峰值功耗
A
=50
O
C,
减免上述50
O
C（注1 ）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注2 ）
工作和存储温度范围
符号
P
D
I
FSM
价值
1.0
6.67
10.0
单位
瓦
毫瓦/
O
C
安培
O
T
J
, T
英镑
-55到+ 150
2
注：1。安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
2.测上8.3ms单正弦半波或等效方波，
占空比= 4个脉冲每分钟最大。
C
- 123 -
电气特性
(TA=25
O
C除非另有说明） VF = 1.2V最大， IF = 200毫安所有类型。
设备
（注1 ）
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
1SMA4758
1SMA4759
1SMA4760
1SMA4761
1SMA4762
1SMA4763
1SMA4764
1SMA110Z
1SMA120Z
1SMA130Z
1SMA150Z
1SMA160Z
1SMA180Z
1SMA200Z
设备
记号
CODE
741A
742A
743A
744A
745A
746A
747A
748A
749A
750A
751A
752A
753A
754A
755A
756A
757A
758A
759A
760A
761A
762A
763A
764A
110A
120A
130A
150A
160A
180A
200A
公称
齐纳电压
VZ @ IZT
电压
（注2和3 ）
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
TEST
当前
IZT
mA
23
21
19
17
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗（注4 ）漏电流
ZZK @ IZK
IR @ VR
ZZT @ IZT
欧
欧
mA
微安最大
伏
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
浪涌电流@
O
TA = 25℃
铱 - 毫安
（注5 ）
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
-
-
-
-
-
-
-
注意事项：
1.公差和类型编号标识。列出的类型的数字对的±5％的额定齐纳电压的标准容差。
2，特价优惠包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.齐纳电压（V
Z
）测量。保证了齐纳电压时，在90秒messured同时保持
铅温度（T
L
）在30℃ ±1 ℃，从二极管体。
4.齐纳阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗是由1000周期的交流电压获得，这导致当交流
电流具有和均方根值等于直流稳压电流（ IZT或IZK ）的10％被叠加在IZT或IZK 。
5.浪涌电流（ IR ）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性，
1/2方波或1/120秒的持续时间相当于正弦波脉冲反向浪涌电流叠加在
测试电流， IZT ，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力是如在图10中描述。
O
O
- 124 -
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.1-功耗温度降额曲线
P
D
,
最大功耗（瓦）
FIG.2-典型正向特性
1000
500
IF ，正向电流（mA ）
1.25
最低
最大
1.0
200
100
50
20
10
5.0
2.0
o
0.75
0.50
70 C
150 C
25 C
0 C
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
o
o
o
0.25
0
20
40
60
80
100
120
140
o
160
180
200
1.0
0.4
环境温度（ C）
V
F
,
正向电压（伏）
齐纳电流的FIG.3-影响
在齐纳阻抗
1000
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
FIG.5-典型漏电流
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
IR ，漏电流（ A）
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
47V
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
o
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
27V
0.8V
20
10
7.0
5.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.2
10
20
50
100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
齐纳电压的FIG.4-影响
在齐纳阻抗
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7.0
5.0
2.0
1.0
1.0
2.0
3.0
+125 C
o
I
Z
= 1.0毫安
5.0mA
20mA
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
o
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3.0
4.0
5.0 6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
13
14
15
+25 C
o
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
V
Z
,
额定齐纳电压（伏）
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
- 125 -
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.6-典型电容与Vz的
400
300
200
C，电容（pF ）
FIG.7-温度系数
A- RANGE FOR单位12伏
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
+12
+10
+8.0
+6.0
+4.0
+2.0
0
-2.0
-4.0
100
0V偏置
1.0V BIAS
10
8
4
1.0
范围
V
Z
@ I
ZT
击穿BIAS的50 ％
10
V
Z
，正向电压（伏）
100
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
11
12
V
Z
，齐纳电压（伏）
FIG.8-温度系数
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
B- RANGE FOR单元11至100伏
齐纳电流的FIG.9-影响
+6.0
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
+4.0
V
Z
@ I
ZT
T
A
25
o
C
+2.0
范围
V
Z
@ I
ZT
20mA
0
0.01mA
1.0mA
注：低于3千伏及以上一伏
在齐纳电流OO的更改不会
AFFECT温度系数
-2.0
-4.0
10
20
30
50
70
100
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
V
Z
，齐纳电压（伏）
V
Z
，齐纳电压（伏）
- 126 -
额定值和特性曲线（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.10-最大浪涌电源
PPK ，峰值浪涌功率IWATTSO
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
1000
10 ％占空比
20 ％占空比
11V - 91V非重复
0.8V - 10V非重复
矩形
波形
o
TJ = 25℃ PRIOR TO
初始脉冲
5 ％占空比
PW ，脉冲宽度（毫秒）
- 127 -
1SMA4741通1SMA200Z
表面贴装硅ZENDER二极管
产品概述
1.0瓦表面贴装
特点
对于表面安装应用程序，以
优化电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
典型的IR小于5.0uA 11V以上少
高温焊接保证：
260℃ / 10秒码头
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
SMA/DO-214AC
MECANICAL数据
案例：模压塑料多钝化结
终端：纯锡电镀无铅，
每MIL -STD- 750方法2025
极性：色环表示正端
（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
尺寸以英寸（毫米）
无铅;符合RoHS标准
最大额定值和电气特性
o
（在25℃环境温度额定值除非另有规定。 ）
类型编号
在T峰值功耗
A
= 50℃ ，减免上述
o
50 C（注1 ）
峰值正向浪涌电流， 8.3 ms单半
正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法） （注2 ）
o
符号
P
D
I
FSM
价值
1.0
6.67
10.0
单位
瓦
毫瓦/
o
C
安培
o
工作和存储温度范围
T
J
, T
英镑
-55到+ 150
C
2
1.安装在5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积。
注意事项：
2.测上8.3ms单正弦半波或等效方波，占空比= 4个脉冲每
最高分
2007年8月22日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
1
1SMA4741通1SMA200Z
电气特性
o
（ TA = 25℃除非另有说明） VF = 1.2V最大， IF = 200毫安所有类型。
设备
（注1 ）
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
1SMA4758
1SMA4759
1SMA4760
1SMA4761
1SMA4762
1SMA4763
1SMA4764
1SMA110Z
1SMA120Z
1SMA130Z
1SMA150Z
1SMA160Z
1SMA180Z
1SMA200Z
设备
记号
CODE
741A
742A
743A
744A
745A
746A
747A
748A
749A
750A
751A
752A
753A
754A
755A
756A
757A
758A
759A
760A
761A
762A
763A
764A
110A
120A
130A
150A
160A
180A
200A
额定齐纳电压
TEST
V
z
@ I
zt
电压
（注2和3 ）
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
当前
I
ZT
mA
23
21
19
17
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗（注4 ）
漏电流
Z
ZT @
I
ZT
欧
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
Z
ZK @ IZK
欧
mA
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
- [R @ VR
uA的最大电压
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
浪涌电流@
O
T
A
= 25 C
铱 - 毫安
（注5 ）
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
-
-
-
-
-
-
-
注意事项：
1.公差和类型编号标识。列出的类型号有一个标准公差
上的±5％的额定齐纳电压。
2，特价优惠包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.齐纳电压（ VZ ）的测量。保证了齐纳电压时，在90秒，同时messured
o
C± 1
o
保持在30℃ ± 1℃的铅的温度（ TL ）时，从二极管体。
4.齐纳阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压衍生
交流电流具有和均方根值等于直流的10％时，其导致
齐纳电流（ IZT或IZK ）被叠加在IZT或IZK 。
5.浪涌电流（IR ）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，
1/2方波的非重复性，反向浪涌电流或1/120秒等效正弦波脉冲
持续叠加的测试电流， IZT ，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力
是如在图10中描述。
2007年8月22日Rev.1.00
www.SiliconStandard.com
2
1SMA4741通1SMA200Z
额定值ANAD特性曲线
（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.1-功耗温度降额曲线
P
D
,
最大功耗（瓦）
FIG.2-典型正向特性
1000
500
IF ，正向电流（mA ）
1.25
最低
最大
1.0
200
100
50
20
10
5
2
o
0.75
0.50
70 C
150 C
25 C
0 C
o
o
o
0.25
0
0
20
40
60
80
100
120
140
o
1
160
180
200
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
环境温度（ C）
V
F
,
正向电压（伏）
齐纳电流的FIG.3-影响
在齐纳阻抗
1000
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
FIG.5-典型漏电流
o
500
200
100
50
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
47V
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
IR ，漏电流（ A）
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
27V
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
0.8V
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
齐纳电压的FIG.4-影响
在齐纳阻抗
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7
I
Z
= 1.0毫安
5.0mA
20mA
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
o
+125 C
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
o
+25 C
o
10
20
30
50 70 100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
V
Z
,
额定齐纳电压（伏）
2007年8月22日Rev.1.00
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3
1SMA4741通1SMA200Z
额定值ANAD特性曲线
（ 1SMA4741 THRU 1SMA200Z ）
FIG.6-典型电容与Vz的
400
300
200
C，电容（pF ）
FIG.7-温度系数
A- RANGE FOR单位12伏
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
+12
+10
+8.0
+6.0
+4.0
+2.0
0
-2.0
-4.0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
，齐纳电压（伏）
100
0V偏置
1.0V BIAS
10
8
4
1
范围
V
Z
@ I
ZT
击穿BIAS的50 ％
10
V
Z
，正向电压（伏）
100
FIG.8-温度系数
B- RANGE FOR单元11至100伏
齐纳电流的FIG.9-影响
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
70
100
V
Z
，齐纳电压（伏）
+6.0
+4.0
V
Z
@ I
ZT
TJ=25
o
C
+2.0
范围
V
Z
@ I
ZT
20mA
0
0.01mA
1.0mA
注：低于3千伏及以上一伏
在齐纳电流OO的更改不会
AFFECT温度系数
-2.0
-4.0
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
FIG.10-最大浪涌电源
PPK ，峰值浪涌功率IWATTSO
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
0.8V
-10V
不
11V
-9
-re
PET
ITIV
E
1V
导通
代表
5% D
UTY
YCLE
ETIT
香港专业教育学院
矩形
波形
o
TJ = 25℃ PRIOR TO
初始脉冲
10 ％ DUT
Y
周期
20 ％占空比
提供的信息由Silicon标准公司被认为是准确和可靠。然而，硅标准公司不做任何
担保或保证，明示或暗示，作为对这些信息的可靠性，准确性，及时性或完整性不承担任何
其使用的责任，或侵犯任何专利或其它第三方的知识产权可能导致其
使用。硅标准保留其认为有必要在此所述的任何原因，任何产品进行更改的权利，包括
无需在可靠性，功能或设计限制的增强。没有获发牌照，无论明示或暗示，就
使用本文或使用本文所提供的任何信息描述的任何产品，任何专利或其他知识产权
硅标准公司或任何第三方。
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4
1SMA4737 - 1SMA200Z
1.25瓦表面贴装硅稳压二极管
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序，以
优化电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
典型的我
R
小于5.0uA 7.5V以上
高温焊接保证：
260
o
C / 10秒码头
塑料包装有保险商实验室
易燃性分类科幻阳离子94V- 0
机械数据
案例：模压塑料多钝化结
终端：纯锡电镀无铅，
每MIL -STD- 750方法2025
极性：色环表示正端
（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.002盎司， 0.064克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
等级25
o
C环境温度，除非另有规定。
类型编号
功耗，R
thJA
<30 K / W ，T
AMB
=60 C
o
功耗，R
thJA
<100 K / W ，T
AMB
=25 C
非重复峰值浪涌功率耗散（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流， 8.3毫秒
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
工作和存储温度范围
注意事项：
o
符号
P
D
P
D
P
ZSM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
3.0
1.25
60
10.0
单位
瓦
瓦
瓦
安培
o
-55到+ 150
C
o
1.非重复峰值浪涌P
D
测试条件： TP = 100us的平方脉冲， TJ = 25℃ 。
前激增。
- 586 -
版本： C08
电气特性
(TA=25
O
C
公称
除非另有说明）的VF = 1.2V最大， IF = 200毫安所有类型。
设备
（注1 ）
1SMA4737
1SMA4738
1SMA4739
1SMA4740
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
1SMA4758
1SMA4759
1SMA4760
1SMA4761
1SMA4762
1SMA4763
1SMA4764
1SMA110Z
1SMA120Z
1SMA130Z
1SMA150Z
1SMA160Z
1SMA180Z
1SMA200Z
设备
记号
CODE
737A
738A
739A
740A
741A
742A
743A
744A
745A
746A
747A
748A
749A
750A
751A
752A
753A
754A
755A
756A
757A
758A
759A
760A
761A
762A
763A
764A
110A
120A
130A
150A
160A
180A
200A
齐纳电压
TEST
V
z
@ I
zt
电压
（注2和3 ）
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
当前
I
ZT
mA
100
100
50
50
23
21
19
17
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
最大齐纳阻抗（注4 ）
漏电流
Z
ZT @
I
ZT
欧
3
3.5
4
4
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
Z
ZK @ IZK
欧
mA
700
0.25
700
0.25
700
0.25
700
0.25
700
0.25
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
I
- [R @ VR
uA的最大电压
5.0
5.0
5.0
6.0
5.0
7.0
5.0
7.5
5.0
8.4
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
浪涌电流@
T
A
= 25
O
C
铱 - 毫安
（注5 ）
607
555
500
455
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
-
-
-
-
-
-
-
注意事项： 1 ：宽容和类型编号标识。列出的类型号，对标称标准公差
的±5％的齐纳电压。
2
。可用的特色菜包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压。
B.匹配套。
3.齐纳电压（V
Z
）测量。保证了齐纳电压时，在90秒messured同时保持
铅温度（T
L
） 30
O
C± 1
O
C，自二极管体。
4.齐纳阻抗（
Z
Z
）推导。齐纳阻抗从60周期的交流电压获得，这导致当交流
电流具有和均方根值等于直流齐纳电流的10％ （
I
ZT
or
I
ZK
）被叠加在
I
ZT
or
I
ZK
.
5.浪涌电流（IR ）不重复。在电气特性表中列出的评级是最大峰值，非重复性
1/2方波或1/120秒的持续时间相当于正弦波脉冲反向浪涌电流叠加在
测试电流，
I
ZT
，根据JEDEC注册;然而，实际的设备能力是如在图10中描述。
- 587 -
版本： C08
额定值和特性曲线（ 1SMA4737 THRU 1SMA200Z ）
FIG.1-功耗温度降额曲线
P
D
,
最大功耗（瓦）
FIG.2-典型正向特性
1000
500
IF ，正向电流（mA ）
1.25
最低
最大
1.0
200
100
50
20
10
5
2
0.75
0.50
70
o
C
150
o
C
25 C
0 C
o
o
0.25
0
0
20
40
60
80
100
120
140
o
1
160
180
200
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
环境温度（ C）
V
F
,
正向电压（伏）
齐纳电流的FIG.3-影响
在齐纳阻抗
1000
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
FIG.5-典型漏电流
o
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
47V
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
IR ，漏电流（ A）
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
27V
0.8V
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
10
20
50
100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
齐纳电压的FIG.4-影响
在齐纳阻抗
Z
Z
，动态阻抗（欧姆）
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
1
2
3
5
7
I
Z
= 1.0毫安
5.0mA
20mA
T
J
= 25 C
I
Z
（ RMS） = 0.1 I
Z
（DC）的
F = 1kHz时
o
+125 C
o
+25 C
o
10
20
30
50 70 100
I
Z
,
齐纳电流（毫安）
V
Z
,
额定齐纳电压（伏）
版本： C08
额定值和特性曲线（ 1SMA4737 THRU 1SMA200Z ）
FIG.6-典型电容与Vz的
400
300
200
C，电容（pF ）
FIG.7-温度系数
A- RANGE FOR单位12伏
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
+12
+10
+8.0
+6.0
+4.0
+2.0
0
-2.0
-4.0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
Z
，齐纳电压（伏）
100
0V偏置
1.0V BIAS
10
8
4
1
范围
V
Z
@ I
ZT
击穿BIAS的50 ％
10
V
Z
，正向电压（伏）
100
FIG.8-温度系数
B- RANGE FOR单元11至100伏
齐纳电流的FIG.9-影响
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
OV
Z
， TEMPERAYURE系数（MV /
o
C)
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
10
20
30
50
70
100
V
Z
，齐纳电压（伏）
+6.0
+4.0
V
Z
@ I
ZT
TJ=25
o
C
+2.0
范围
V
Z
@ I
ZT
20mA
0
0.01mA
1.0mA
注：低于3千伏及以上一伏
在齐纳电流OO的更改不会
AFFECT温度系数
-2.0
-4.0
3
4
5
6
7
8
V
Z
，齐纳电压（伏）
FIG.10-最大浪涌电源
PPK ，峰值浪涌功率IWATTSO
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
1
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
PW ，脉冲宽度（毫秒）
0.8V
-10V
不
-re
11V
-91V
PET
ITIV
E
不
-re
5% D
PET
UTY
ITIV
YCLE
E
矩形
波形
o
TJ = 25℃ PRIOR TO
初始脉冲
10 ％ DUT
周期
20 ％占空比
版本： C08
CREAT的艺术
1.0瓦表面贴装硅稳压二极管
SMA/DO-214AC
特点
对于表面安装应用程序，以
优化电路板空间
低廓包
内置应变消除
玻璃钝化结
低电感
典型的我
R
低于1uA 11V以上
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒码头
会见MSL等级1 ，符合per J -STD- 020D ，
260 ℃无铅最高峰
塑料包装有保险商
可燃性分类94V- 0
对包装后缀"G"绿色复合
代码&的日期代码前缀"G"
1SMA4737 - 1SMA200Z
机械数据
案例：模压塑料多钝化结
终端：纯锡电镀无铅，
每MIL -STD- 750方法2025
极性：色环表示正端（阴极）
标准包装：12毫米磁带（ EIA- 481 ）
重量： 0.064克
订购信息（例）
产品型号
1SMA4737
包
SMA
填料
1.8K / 7" REEL
填料
CODE
R3
包装CODE
（绿色）
R3G
最大额定值和电气特性
等级25
℃
环境温度，除非另有规定。
类型编号
功耗，R
thJA
<30K / W，T
A
=60℃
功耗，R
thJA
<100K / W，T
A
=25℃
非重复性峰值功率耗散（注1 ）
非重复峰值正向浪涌电流， 8.3ms的
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
工作和存储温度范围
符号
P
D
P
D
P
ZSM
I
FSM
T
J
, T
英镑
价值
3
1.25
60
10
-55到+150
单位
瓦
瓦
瓦
安培
℃
注1 ：非重复峰值浪涌PD测试条件： TP = 100us的平方脉冲， TA = 25 ℃之前激增
版本： I13
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
公称
齐纳电压
设备
（注1 ）
设备
记号
CODE
VZ @ IZ
T
V
（注2 ）
（注3）
1SMA4737
1SMA4738
1SMA4739
1SMA4740
1SMA4741
1SMA4742
1SMA4743
1SMA4744
1SMA4745
1SMA4746
1SMA4747
1SMA4748
1SMA4749
1SMA4750
1SMA4751
1SMA4752
1SMA4753
1SMA4754
1SMA4755
1SMA4756
1SMA4757
1SMA4758
1SMA4759
1SMA4760
1SMA4761
1SMA4762
1SMA4763
1SMA4764
1SMA110Z
1SMA120Z
1SMA130Z
1SMA150Z
1SMA160Z
1SMA180Z
1SMA200Z
737A
738A
739A
740A
741A
742A
743A
744A
745A
746A
747A
748A
749A
750A
751A
752A
753A
754A
755A
756A
757A
758A
759A
760A
761A
762A
763A
764A
110A
120A
130A
150A
160A
180A
200A
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
34
31
28
25
23
21
19
17
15.5
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.7
3.3
3.0
2.8
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.6
1.4
1.2
4
4.5
5
7
8
9
10
14
16
20
22
23
25
35
40
45
50
60
70
80
95
110
125
150
175
200
250
350
450
550
700
1000
1100
1200
1500
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7000
8000
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
TEST
当前
I
ZT
mA
Z
ZT
@I
ZT
齐纳阻抗
Z
ZK
@I
ZK
mA
uA
马克斯。
5
5
5
5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
5.0
6.0
7.0
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
605
550
500
454
414
380
344
304
285
250
225
205
190
170
150
135
125
115
110
95
90
80
70
65
60
55
50
45
-
-
-
-
-
-
-
漏电流
I
R
@V
R
V
浪涌电流
T
A
=25℃
I
R
mA
注意事项：
1.公差和类型编号标识。 losted类型号码有±5％的额定齐纳电压的标准公差
2，特价优惠包括：
所示的电压和更严格的电压容差之间A.额定齐纳电压
B.匹配套
3.齐纳电压（ VZ）的测量。保证了齐纳电压时，在90秒messured同时保持引线温度（T
L
)
在30 ℃±1℃ ，从二极管体
4.齐纳阻抗（ ZZ ）推导。齐纳阻抗是由60周期的交流电压，一个accurrent具有当其导致衍生出来
有效值等于DC齐纳电流的10％ （我
ZT
还是我
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
5.浪涌电流（I
R
）不重复。该评级listd电气chatacteristics表是最大峰值，非重复性，反向浪涌电流
的1/2方波或1/120秒的持续时间相等的正弦波脉冲叠加在测试电流，我
ZT
根据JEDEC注册;
然而，实际的设备能力是如在图10中描述
版本： I13
额定值和特性曲线（ 1SMA4737 THRU 1SMA200Z ）
图。 1功耗温度降额曲线
1.5
1.25
1
0.75
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃ ）
图。 2典型正向特性
1000
最低
最大
P
D
最大功率耗散
（瓦特）
IF ，正向电流（mA ）
100
70℃
10
150℃
25℃
0℃
1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V
F
，正向电压（ V）
1
1.1
1000
ZZ ，动态阻抗（ Ω ）
图3影响齐纳电流的
在齐纳阻抗
TA=25℃
IZ （有效值） = 0.1 IZ （直流）
f=1KHz
图5是典型漏电流
10000
典型漏电流
AT标称80 ％
击穿电压
100
47V
1000
27V
10
100
0.8V
1
0
1
10
100
IR ，漏电流（ UA）
10
IZ ，齐纳电流（毫安）
图4的影响齐纳电压的
在齐纳阻抗
1
1000
IZ = 1毫安
ZZ ，动态阻抗（ Ω ）
TA=25℃
IZ （有效值） = 0.1 IZ （直流）
f=1KHz
0.1
125℃
100
5毫安
20mA
10
0.01
25℃
1
1
10
100
0.001
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
IZ ，齐纳电流（毫安）
VZ ，额定齐纳电压（ V）
版本： I13
额定值和特性曲线（ 1SMA4737 THRU 1SMA200Z ）
图6是典型电容与Vz的
1000
12
10
θVz ，
温度COEF网络cient
（毫伏/ ℃ ）
C，电容（pF ）
8
6
4
2
0
-2
-4
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
VZ ，齐纳电压（V ）
RANGE Vz的@ IZT
A- RANGE FOR单位12伏
图。 7温度系数
0V偏置
100
1.0V BIAS
故障50 ％
10
1
10
Vz的，正向电压（V）的
100
图8温度系数
100
θVz ，
温度COEF网络cient
（毫伏/ ℃ ）
B- RANGE FOR单位12 100伏特
θVz ，
温度COEF网络cient
（毫伏/ ℃ ）
4
6
VZ @ IZT
TA=25℃
图。 9 EFFECT齐纳电流的
0.01mA
1毫安
2
20mA
0
10
RANGE Vz的@ IZT
-2
1
10
VZ ，齐纳电压（V ）
100
-4
3
3.5
4
注：以下3电压高于一
伏变化，齐纳电流
不影响温度
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
VZ ，齐纳电压（V ）
图10是最大浪涌电源
100
P
PK
，峰值浪涌功率瓦来
5 ％占空比
11V - 91V非重复
方波
TA = 25 ℃之前的初始脉冲
0.8V - 10V非重复
10
10 ％占空比
20 ％占空比
1
0.01
0.1
1
PW ，脉冲宽度（毫秒）
10
100
1000
版本： I13
订购信息
产品型号
包
SMA
SMA
SMA
填料
1.8K / 7" REEL
7.5K / 13" REEL
7.5K / 13"塑料REEL
1.8K / 7" REEL
7.5K / 13" REEL
7.5K / 13"塑料REEL
1.8K / 7" REEL
7.5K / 13" REEL
填料
CODE
R3
R2
M2
F3
F2
F4
E3
E2
包装CODE
（绿色）
R3G
R2G
M2G
F3G
F2G
F4G
E3G
E2G
1SMA"xxxx"
（注）
折SMA
折SMA
折SMA
SMA
SMA
注： "x"是设备代码从"4737"通"200Z" 。
磁带&卷轴规格
带尺寸磁带尺寸
7"
12mm
带尺寸磁带尺寸
13"
12mm
A
±2.0
178
A
最大
330
B
±0.4
1.9
B
±0.5
2
C
+0.5;-0.2
13
C
±0.5
13
D
民
21
D
民
20.2
N
±1.0
62
N
±0.5
75
G
+0.8;-0
12.2
G
+2.0;-0
12.4
T
最大
14.6
T
最大
18.4
单位（mm ）
QQ：2881677436 复制
