1PSxSB17
4 V， 30毫安低C
d
肖特基二极管
牧师06 - 2005年4月4日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
平面的低电容肖特基势垒二极管封装在一个非常小的贴片塑料
封装。
表1：
产品概述
包
飞利浦
1PS66SB17
1PS76SB17
1PS79SB17
SOT666
SOD323
SOD523
JEITA
-
SC-76
SC-79
三重隔离二极管
单二极管
单二极管
CON组fi guration
类型编号
1.2产品特点
s
非常低电容二极管
s
极低的正向电压
s
非常小的SMD塑料封装
1.3应用
s
数字应用：
x
超高速开关
x
钳位电路。
s
RF应用：
x
二极管环形混频器
x
射频检测器
x
RF电压倍增
1.4快速参考数据
表2：
符号
I
F
V
R
C
d
快速参考数据
参数
连续正向电流
连续反向电压
二极管电容
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
0.8
最大
30
4
1
单位
mA
V
pF
飞利浦半导体
1PSxSB17
4 V， 30毫安低C
d
肖特基二极管
2.管脚信息
表3：
针
1
2
钉扎
描述
阴极
阳极
[1]
简化的轮廓
符号
SOD323 （ SC- 76 ） ; SOD523 （ SC- 79 ）
1
1
001aab540
2
sym001
2
SOT666
1
2
3
4
5
6
[1]
阳极（二极管1 ）
阳极（二极管2 ）
阳极（二极管3 ）
阴极（二极管3 ）
1
2
3
sym046
6
5
4
6
5
4
阴极（二极管2 ）
阴极（二极管1 ）
标记栏显示的阴极。
1
2
3
3.订购信息
表4：
订购信息
包
名字
1PS66SB17
1PS76SB17
1PS79SB17
-
SC-76
SC-79
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 2引线
塑料表面贴装封装; 2引线
VERSION
SOT666
SOD323
SOD523
类型编号
4.标记
表5：
标记代码
标识代码
N2
S7
T2
类型编号
1PS66SB17
1PS76SB17
1PS79SB17
5.极限值
表6：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
R
I
F
连续反向电压
连续正向电流
条件
民
-
-
最大
4
30
单位
V
mA
9397 750 14587
皇家飞利浦电子有限公司2005年版权所有。
产品数据表
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2第8
飞利浦半导体
1PSxSB17
4 V， 30毫安低C
d
肖特基二极管
表6：
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
T
j
T
AMB
T
英镑
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
65
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
6.热特性
表7：
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结到
环境;
SOD323
SOD523
SOT666
[1]
条件
在自由空气
[1]
民
典型值
最大
单位
[2]
[3]
[4]
-
-
-
-
-
-
450
450
700
K / W
K / W
K / W
为肖特基势垒二极管，热失控，必须考虑到在一些应用中，相反的
功率损耗P
R
是的总功率损耗显着的部分。列线图，用于确定反向
功率损耗P
R
我
F（ AV ）
评级将根据要求提供。
请参考SOD323 （ SC - 76 ）标准安装条件。
请参考SOD523 （ SC - 79 ）标准安装条件。
请参考SOT666标准安装条件。
[2]
[3]
[4]
7.特点
表8：
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
SEE
图1 ;
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
R
C
d
反向电流
二极管
电容
V
R
= 3 V ;看
图2
SEE
图3 ;
V
R
= 0 V ; F = 1 MHz的
V
R
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
[1]
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
[1]
民
-
-
-
-
-
-
典型值
300
360
470
-
0.8
0.65
最大
350
450
600
250
1
-
单位
mV
mV
mV
nA
pF
pF
9397 750 14587
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3 8
飞利浦半导体
1PSxSB17
4 V， 30毫安低C
d
肖特基二极管
8封装外形
0.85
0.75
1
0.65
0.58
1.35
1.15
1
0.45
0.15
1.1
0.8
1.65 1.25
1.55 1.15
2.7
2.3
1.8
1.6
2
0.34
0.26
尺寸（mm）
0.17
0.11
02-12-13
尺寸（mm）
2
0.40
0.25
0.25
0.10
03-12-17
图4.封装外形SOD523 （ SC- 79 ）
1.7
1.5
6
5
图5.封装外形SOD323 （ SC- 76 ）
0.6
0.5
4
0.3
0.1
1.7
1.5
1.3
1.1
PIN 1 INDEX
1
0.5
1
尺寸（mm）
2
3
0.27
0.17
0.18
0.08
04-11-08
图6.包装外形SOT666
9.包装信息
表9 ：
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
1PS66SB17
1PS76SB17
1PS79SB17
[1]
包
SOT666
SOD323
SOD523
描述
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
3000
-
-115
-115
4000
-115
10000
-
-135
-135
如需进一步信息和包装方法的途径，请参阅
第14节。
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5 8
飞利浦半导体
初步speci fi cation
肖特基二极管
特点
低正向电压
低电容二极管
ESD
＆ GT ;
500 V ;人体模型
非常小的塑料SMD封装。
手册中， 4列
1PS76SB17
描述
平面肖特基势垒二极管封装在一个SOD323非常小的塑料
SMD封装。
应用
UHF混频器
采样电路
调制器
相位检测器。
k
a
MAM283
标识代码：
S7.
标记栏显示的阴极。
Fig.1简化外形（ SOD323 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
R
I
F
T
英镑
T
j
连续反向电压
连续正向电流
储存温度
结温
参数
65
分钟。
4
30
+150
100
马克斯。
V
mA
°C
°C
单位
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
见图2
I
F
- 0.1毫安
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
R
C
d
反向电流
二极管电容
V
R
= 3 V ;见图3
F = 1兆赫; V
R
= 0 V ;见图4
F = 1兆赫; V
R
= 0.5 V ;见图4
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOD323标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
450
单位
K / W
360
470
0.15
0.8
0.65
300
450
600
0.25
1
mV
mV
mV
A
pF
pF
条件
典型值。
马克斯。
单位
1999年5月25日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
肖特基二极管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
1PS76SB17
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年5月25日
5
QQ：2880707522 复制
