1PMT4614e3通1PMT4627e3 ，
1PMT4099e3通1PMT4135e3
斯科茨代尔区划
POWERMITE
TM
低噪声1瓦齐纳二极管
描述
这Microsemi的POWERMITE
表面贴装低噪声稳压包系列
提供了更高的功率处理功能，也符合RoHS标准。
除了它的大小的优点， POWERMITE
包装的功能包括一个
全金属底部，消除了助焊剂滞留的可能性
在组装过程中，以及独特的锁定凸片可作为一个有效的热路径
从管芯到安装平面外部散热用非常低的热
电阻结点到外壳（底部） 。其创新的设计使得这款
器件理想用于自动插入设备中使用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-216
特点
表面贴装等同于JEDEC注册
1N4099 1N4135直通和1N4614 1N4627直通
系列除了具有额外的功率能力
丰富的选择，从1.8到100 V
调节电压在很宽的工作电流和
温度范围
在测试电流低噪声密度（1-3千赫）
低反向漏电流
符合RoHS
应用/优势
在加或减2％或1％的可用的紧密度容限
分别用C或D后缀
根据IPC / JEDEC潮湿的分类等级1
J- STD- 020B ，无需干燥包
不敏感每MIL -STD -750方法1020 ESD
兼容自动插入设备
全金属底消除焊剂截留
最大额定值
工作和存储温度： -55°C至+ 150°C
稳定状态功率： 1.0瓦特在T
C
＆ LT ; 120
o
C式
T
C
区分塔底温度安装平面或
0.5瓦特在T
A
= 30℃ （环境温度）时
安装在FR4印刷电路板所描述的热
电阻（参见功率降额图1 ）
热阻： 30 ° C / W结到外壳
（底部）和240 ° C / W结到环境的FR4
印刷电路板（1盎司纯铜）与推荐的足迹
（见最后一页）
正向电压： 1.1伏特@ 200毫安
焊料温度：260 ℃，10秒（最大）
机械及包装
案例：无空洞转移成型热固性环氧树脂
复合会上UL94V- 0
处理：退火雾锡镀在铜和
每MIL -STD- 750方法2026易焊
（咨询工厂锡铅电镀）
极性：负极按Tab键1 （底部）指定
标记： P的三个阿拉伯数字/ N和点
（见下页列表）
重量： 0.016克（约）
最后一页包装尺寸
磁带&卷轴选项：每个标准EIA- 481 -B
3000在7英寸卷轴12000 13 “卷轴
1PMT4614e3 - 27e3 &
1PMT4099e3 - 4135e3
版权
2007
2007年10月15日REV
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1PMT4614e3通1PMT4627e3 ，
1PMT4099e3通1PMT4135e3
斯科茨代尔区划
POWERMITE
TM
低噪声1瓦齐纳二极管
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性@ 25°C
Microsemi的
部分
数
(4)
1PMT4614
1PMT4615
1PMT4616
1PMT4617
1MPT4618
1PMT4619
1PMT4620
1PMT4621
1PMT4622
1PMT4623
1PMT4624
1PMT4625
1PMT4626
1PMT4627
1PMT4099
1PMT4100
1PMT4101
1PMT4102
1PMT4103
1PMT4104
1PMT4105
1PMT4106
1PMT4107
1PMT4108
1PMT4109
1PMT4110
1PMT4111
1PMT4112
1PMT4113
1PMT4114
1PMT4115
1PMT4116
1PMT4117
1PMT4118
1PMT4119
1PMT4120
1PMT4121
1PMT4122
1PMT4123
1PMT4124
1PMT4125
1PMT4126
1PMT4127
1PMT4128
1PMT4129
1PMT4130
1PMT4131
1PMT4132
1PMT4133
1PMT4134
1PMT4135
公称
齐纳
电压
(1)
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
(2)
最大
反向
当前
最大
噪音
密度
最大
齐纳
当前
(3)
典型
温度
系数
齐纳二极管
电压
设备
记号
V
Z
@ I
ZT
614
615
616
617
618
619
620
621
622
623
624
625
626
627
099
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
伏
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
24
25
27
28
30
33
36
39
43
47
51
56
60
62
68
75
82
87
91
100
I
ZT
μA
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
250
Z
ZT
欧
1200
1250
1300
1400
1500
1600
1650
1700
1650
1600
1550
1500
1400
1200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
100
100
100
100
150
150
150
150
150
150
200
200
200
200
200
250
250
300
300
400
500
700
700
800
1000
1200
1500
I
R
@ V
R
μA
7.5
5.0
4.0
2.0
1.0
0.8
7.5
7.5
5.0
4.0
10
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.05
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
.01
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.0
2.0
3.0
3.0
4.0
5.0
5.17
5.70
6.24
6.61
6.92
7.60
8.44
9.12
9.87
10.65
11.40
12.15
12.92
13.37
14.44
15.20
16.72
18.25
19.00
20.45
21.28
22.80
25.08
27.38
29.65
32.65
35.75
38.76
42.60
45.60
47.10
51.68
57.00
62.32
66.12
69.16
76.00
N
D
@ I
ZT
μV / √Hz的
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
4
5
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
40
I
ZM
mA
262.4
240.6
218.7
207.8
196.8
190.3
185.9
181.5
174.9
168.4
164.0
153.1
142.2
133.4
122.5
111.5
100.6
96.2
91.9
83.1
76.5
69.9
63.4
59.0
54.8
52.5
48.1
45.9
43.7
41.6
37.2
34.9
32.8
30.6
30.6
28.4
26.2
24.0
21.4
19.5
17.7
16.4
14.7
13.9
13.3
12.2
11.2
10.1
9.6
9.2
8.3
α
VZ
%/°C
-0.075
-0.075
-0.075
-0.075
-0.075
-0.075
-0.075
-0.065
-0.060
-0.050
-0.040 +0.020
-0.045 +0.030
-0.020 +0.040
-0.010 +0.050
0.040
0.045
0.048
0.049
0.050
0.055
0.060
0.065
0.065
0.070
0.070
0.070
0.075
0.075
0.075
0.075
0.080
0.080
0.080
0.085
0.085
0.085
0.085
0.090
0.090
0.090
0.090
0.090
0.090
0.090
0.090
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
0.095
1PMT4614e3 - 27e3 &
1PMT4099e3 - 4135e3
注1 ：
所示产品的标准公差
±5%
在额定齐纳电压。另外，在2％和1 ％的容差与现有
后缀C和D分别。 V
Z
的测量是在我
ZT
与锝（ TAB 1 ）在30℃ 。
注2 ：
齐纳阻抗是由叠加在我衍生
ZT
60赫兹交流电有效值电流等于我10 ％
ZT
(25
μA
AC） 。
注3 ：
基于任何降级前， 1 W的最大功率耗散。津贴已为在较高电压下，操作
更高的电流和温度。用于与从I电流偏差判定电压变化的
ZT
看到微注202
注4 ：
部件号还应包括E3后缀，因为唯一的选择是符合RoHS的产品。
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2007
2007年10月15日REV
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8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
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TM
低噪声1瓦齐纳二极管
图和测试电路
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.C
OM
温度（
o
C
)
图1
功率降额曲线式中：T
C
的情况下（底）下
和T
A
是FR4印刷电路板环境温度
噪音测试电路
图2
1PMT4614e3 - 27e3 &
1PMT4099e3 - 4135e3
科幻gure 3
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低噪声1瓦齐纳二极管
包装尺寸&焊盘布局
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.C
OM
所有尺寸+/- 。 005英寸
以英寸为单位安装垫
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1PMT4099e3 - 4135e3
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第4页
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