STD1LNK60Z-1
STQ1NK60ZR - STN1NK60Z
N沟道600V - 13Ω - 0.8A - TO- 92 - IPAK - SOT- 223
齐纳保护的超网功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD1LNK60Z-1
STQ1NK60ZR
STN1NK60Z
■
■
■
■
■
V
DSS
600V
600V
600V
R
DS （ ON）
<15
<15
<15
I
D
0.8A
0.3A
0.3A
Pw
25W
3W
3.3W
TO- 92 （ Ammopak ）
TO-92
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
ESD能力的改进
新的高压BENCHMARK
2
1
2
3
2
1
3
SOT-223
IPAK
描述
在超网系列是通过获得
ST的极端优化完善的
条形基础的PowerMESH 布局。此外
推导通电阻显著下来，特别
被小心确保很好的dv / dt
能力要求最苛刻的应用程序。
这种系列的补充ST全系列高
电压的MOSFET包括革命
的MDmesh 产品。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
销售类型
STD1LNK60Z-1
STQ1NK60ZR
STQ1NK60ZR-AP
STN1NK60Z
记号
D1LNK60Z
Q1NK60ZR
Q1NK60ZR
1NK60Z
包
IPAK
TO-92
TO-92
SOT-223
包装
管
体积
AMMOPAK
磁带&卷轴
2006年2月
第七版
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14
电气额定值
STD1LNK60Z - 1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(1)
P
合计
绝对最大额定值
价值
参数
IPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20K)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
=100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
0.8
0.5
3.2
25
0.24
3
0.25
800
4.5
-55到150
TO-92
600
600
± 30
0.3
0.189
1.2
3.3
0.26
0.3
SOT-223
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
单位
V
ESD（ G- D）
dv / dt的
(2)
T
J
T
英镑
门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2. I
SD
≤0.3A,
的di / dt
≤200A/s,
V
DD
=80%V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
R
THJ铅
T
l
热阻
价值
参数
IPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结铅最大
最大无铅焊接温度的
用途
5
100
--
275
TO-92
--
120
40
260
SOT-223
--
37.87
(1)
--
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
1.当安装在1英寸2 FR-4板， 2盎司铜
表3中。
符号
I
AR
E
AS
雪崩数据
参数
雪崩个当前，重复或诺伊重复性
（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）
价值
0.8
60
单位
A
mJ
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STD1LNK60Z - 1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z
电气特性
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
试验性条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
= MaxRating @ 125°C
分钟。
600
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门体漏电流
V
GS
= ±20V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.4A
3
3.75
13
4..5
15
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
试验性条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 0.4A
分钟。
典型值。
0.5
94
17.6
2.8
11
4.9
1
2.7
6.9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
C
OSS当量（ 2）。
等效输出
电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 480V ，我
D
= 0.8A
V
GS
=10V
（参见图11）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 ％的V
DSS
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电气特性
STD1LNK60Z - 1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
试验性条件
V
DD
= 300 V，I
D
= 0.4A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图19）
分钟。
典型值。
5.5
5
13
28
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 0.8A ，V
GS
=0
I
SD
=0.8A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 25°C
I
SD
=0.8A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ， TJ = 150℃
135
216
3.2
140
224
3.2
试验性条件
民
典型值。
最大
0.8
2.4
1.6
单位
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO(1)
1.
门源稳压二极管
参数
栅源Braekdown
电压
试验性条件
IGS = ± 1毫安（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
马克斯。
单位
V
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
使用外部元件。
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电气特性
2.1
图1 。
电特性（曲线）
安全工作区IPAK
图2中。
热阻抗为IPAK
网络连接gure 3 。
安全工作区TO- 92
图4中。
热阻抗对于TO- 92
图5中。
安全工作区SOT- 223
图6 。
对于SOT- 223热阻抗
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