德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
9x
xB
符号
P
D
价值
500
单位
mW
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
齐纳电压范围6.8V = 100V的
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
L
9xxB
=标志
= 1N9xxB器件代码
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极
阳极
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
2006年11月/ C
第1页
1N957B通过1N992B系列
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
设备
记号
民
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
77.90
86.45
95.00
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
V
Z
（伏）
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
7.140
8.875
8.610
9.555
10.500
11.55
12.60
13.65
15.75
16.8
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
85.10
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
157.5
168.5
189.5
210.0
@I
ZT
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
()
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
@I
ZK
()
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
（MA ）
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
IR @VR = 1V
（ UA）
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（伏）
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
I
ZM
（注5 ）
（MA ）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 200毫安所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。规定限值
对于我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）是已知的，在该操作点，所述
齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
2006年11月/ C
第2页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
3.05
25.40
1.52
0.56
5.08
38.10
2.29
0.018
0.120
1.000
0.060
0.022
0.200
1.500
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第3页
乐山无线电公司， LTD 。
1N9系列
齐纳二极管
1N9
1N9系列齐纳二极管
(T
A
= 25 ° C，V
F
= 1.5V ，最大值为所有类型）
最大齐纳阻抗
最大反向
公称
TEST
只有A和B Sufflx
漏电流
齐纳电流
电压
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZK
@I
ZK
V
R
Z
ZT
@I
ZT
I
R
VZ @ L
ZT
mA
伏
欧
mA
欧
μAMAX
伏
T
A
= 25 ° C，V
F
1.5V我
F
= 200mA的电流
TYPE
最高可
直流稳压
当前
mA
包
尺寸
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.8
0.68
0.65
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
700
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
150
75
50
25
10
5
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.6
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
Φ
0.5 ± 0.1
Φ
1.8 ± 0.2
DO-35
(mm)
指定公差
所示类型的数字有宽容名称如下：
1N957B Senies ： V
Z
± 5 ％ ，C为V
Z
±2%
NOTE1.TOLERANCE和电压DESIGNATION
1N957B
B
±5%, C
±2%
29 ± 1
3.8 ± 0.2
29 ± 1
5B–1/1
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N957B通1N992B系列0.5瓦特齐纳电压
调节器提供了从6.8到200伏特的标准5％或选择
10％的容差，以及确定了不同的后缀严格的公差
信上的部件号。这些玻璃轴向引线DO -35的齐纳二极管
也可以通过添加一个“-1”内部冶金，债券期权
后缀。该1N962B - 1直通1N992B -1一月， JANTX可用，
JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳产品，以满足更高和更低功耗的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册1N957B （-1）到1N992B （-1）系列
可通过内部的冶金结合选项
添加一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF-一百十七分之一万九千五资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望电平以及“-1”后缀;
（例如JANTX1N962B -1， JANTXV1N986C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL957B到MLL992B或“-1”为后缀的结合
在DO- 213AA MELF风格包（咨询
工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
丰富的选择，从6.8到200 V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀， 10 ％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
天生辐射坚硬如所描述
Microsemi的MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C到
+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结
安装在FR4印刷电路板时1盎司到环境（
铜）与4毫米
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，
长25毫米
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特（最大值）
1N957B - 1N985B和1.3 V为1N985 - 1N992B
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
要与带状端正操作
相对于所述另一端为齐纳
规
标记：部件号
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
（加“ TR”后缀部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
公称
齐纳
电压
（注2 ）
齐纳
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
（注3）
MAX 。 DC
齐纳
当前
（注4 ）
MAX 。 SURGE
当前
（注5 ）
马克斯。反向
泄漏
当前
I
R
@
V
R
A
伏
150
5.2
75
5.7
50
6.2
25
6.9
10
7.6
8.4
5
9.1
5
9.9
5
11.4
5
12.2
5
13.7
5
15.2
5
16.7
5
18.2
5
20.6
5
22.8
5
25.1
5
27.4
5
29.7
5
32.7
5
35.8
5
38.8
5
42.6
5
47.1
5
51.7
5
56.0
5
62.2
5
69.2
5
76.0
5
83.6
5
91.2
5
98.8
5
114.0
5
121.6
5
136.8
5
152.0
5
马克斯。温度。
系数
%/
o
C
+0.05
+0.058
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.083
+0.085
+0.086
+0.087
+0.088
+0.090
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
Z
伏
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
Z
ZT
@ I
ZT
欧
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13.0
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
欧
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
@ I
ZK
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
I
ZM
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
3.1
2.7
2.4
2.2
2.0
1.8
I
ZSM
mA
300
275
250
225
200
175
160
150
130
120
110
100
90
80
70
65
60
55
46
44
40
37
35
30
28
26
23
21
18
16
15
13
12
11
10
9
α
VZ
* JEDEC注册资料
注1 ：
所示的JEDEC类型号（B后缀）对标称稳压电压的±5 ％的容差。该后缀用于识别+/-
10 ％的容差;后缀C被用于识别+/- 2％ ;和后缀D被用来标识为+/- 1 ％的容差;无后缀表示+/- 20 ％
耐受性。
注2 ：
齐纳电压（
V
Z
）后测试电流已经施加20 ±5秒内测量。该装置应受暂停
引线与安装夹的0.375之间从主体的内部边缘“和0.500 ” 。安装夹应保持在一
o
25 + 8 / -2 ℃。温度
注3 ：
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点，以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
注4 ：
的值
I
ZM
计算的名义齐纳电压的±5 ％的容差。津贴已经取得了上涨的齐纳
电压高于V
ZT
来自齐纳阻抗和功率耗散的方法增加的结点温度的效果
o
400毫瓦。在个别的二极管我的情况
ZM
是的电流值这导致400毫瓦的功耗在75℃引
温度为3/8“的身体。
注5 ：
激增的我
ZSM
是方波或1/120秒等效半正弦波脉冲。持续时间。
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
图的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
电压温度
o
系数％ / C
o
MV变化/ C
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
包装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
乐山无线电公司， LTD 。
1N9系列
齐纳二极管
1N9
1N9系列齐纳二极管
(T
A
= 25 ° C，V
F
= 1.5V ，最大值为所有类型）
最大齐纳阻抗
最大反向
公称
TEST
只有A和B Sufflx
漏电流
齐纳电流
电压
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZK
@I
ZK
V
R
Z
ZT
@I
ZT
I
R
VZ @ L
ZT
mA
伏
欧
mA
欧
μAMAX
伏
T
A
= 25 ° C，V
F
1.5V我
F
= 200mA的电流
TYPE
最高可
直流稳压
当前
mA
包
尺寸
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.8
0.68
0.65
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
700
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
150
75
50
25
10
5
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.6
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
Φ
0.5 ± 0.1
Φ
1.8 ± 0.2
DO-35
(mm)
指定公差
所示类型的数字有宽容名称如下：
1N957B Senies ： V
Z
± 5 ％ ，C为V
Z
±2%
NOTE1.TOLERANCE和电压DESIGNATION
1N957B
B
±5%, C
±2%
29 ± 1
3.8 ± 0.2
29 ± 1
5B–1/1
数据表
半导体
1N957B~1N992B
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@ T
L
≤75°C,
引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
工作和存储
温度范围
符号
P
D
价值
500
单位
mW
设备标记图
9x
xT
器件代码： 1N9xxT
公差（ T） ： A =
10%
:
B = 5%
:
C = 2%
:
D = 1%
4.0
T
J
, T
英镑
-65到+200
毫瓦/°C的
°C
轴向引线
DO35
1.有些部件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点
齐纳电压范围从6.8 V到200 V
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合
阴极
阳极
机械特性
例
:
双塞型，密闭玻璃
完
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊。
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
最大的铅焊接温度的目的
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
标记图
1N
9x
xB
青运
1N9xxB
Y
MM
=器件代码
=年
=月
http://www.yeashin.com
1
REV.02 20120403
1N957B~1N992B
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
符号
V
Z
I
ZT
Z
ZT
I
ZM
I
R
V
R
I
F
V
F
I
ZM
参数
反向击穿电压@ I
ZT
反向齐纳电流
最大齐纳阻抗@ I
ZT
最大直流稳压电流
反向漏电流@ V
R
反向电压
正向电流
正向电压@ I
F
最大直流稳压电流
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
齐纳阻抗
（注4 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
Z
ZK
@ I
ZK
()
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
（MA ）
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（伏）
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
I
ZM
（注5 ）
设备
记号
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
V
Z
（伏）
民
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.65
28.5
31.35
34.2
37.05
40.85
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
最大
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3
（MA ）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
2.宽容和TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）被称为在操作
点，齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
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2
REV.02 20120403
1N957B~1N992B
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 1.5 V最大@我
F
= 200毫安所有类型）
齐纳电压
（注7 ）
设备
（注6 ）
齐纳阻抗
（注8 ）
@ I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
()
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
@ I
ZK
()
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
（MA ）
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
I
R
@ V
R
(A)
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（伏）
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56
62.2
69.2
76
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
I
ZM
（注9 ）
设备
记号
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
V
Z
（伏）
民
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
190
喃
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
210
（MA ）
2.7
2.5
2.2
2
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1
0.95
0.85
0.8
0.68
0.65
（MA ）
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3
2.7
2.5
2.3
2
1.9
1.7
1.5
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.耐性与TYPE号指定（V
Z
)
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
7.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30℃下
±1°C
和3/8 “引线长度。
8.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。指定限制
是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
9.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）被称为在操作
点，齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
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3
REV.02 20120403
1N957B THRU 1N992B
硅稳压二极管
6.8伏THRU 200伏
500mW的， 5 ％的容差
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体1N957B系列
硅齐纳二极管是一种高品质的电压调节器
专为工业，商业，娱乐使用
和计算机应用。
DO- 35为例
最大额定值：
(TL=75°C)
功耗
工作和存储结温
VZ公差：以“B”后缀的部件号
VZ公差：以“C”后缀的部件号
VZ公差：以“ D”后缀的部件号
符号
PD
TJ ， TSTG
500
-65到+200
±5
±2
±1
单位
mW
°C
%
%
%
电气特性：
（ TA = 25 ℃） VF = 1.5V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）
齐纳
电压
TYPE
民
V
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
VZ @ IZT
喃
V
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
最大
V
7.140
7.875
8.610
9.555
10.50
11.55
12.60
13.65
15.75
16.80
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
TEST
当前
IZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13.0
16.0
17.0
21.0
25.0
29.0
33.0
41.0
49.0
58.0
70.0
80.0
93.0
105
125
150
185
230
270
ZZK @ IZK
Ω
mA
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
2000
2000
2000
2000
2000
1.00
0.50
0.50
0.50
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
反向
当前
IR
μA
150
75
50
25
10
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
@ VR
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
最大
齐纳
当前
IZM
mA
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.0
R1 （ 2011年27月）
1N957B THRU 1N992B
硅稳压二极管
6.8伏THRU 200伏
500mW的， 5 ％的容差
电气特性 - 续：
（ TA = 25 ℃） VF = 1.5V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）
齐纳
电压
TYPE
民
V
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
77.90
86.45
95.00
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
VZ @ IZT
喃
V
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
V
86.10
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
157.5
168.0
189.0
210.0
TEST
当前
IZT
mA
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
最大齐纳
阻抗
ZZT @ IZT
Ω
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
ZZK @ IZK
Ω
mA
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大
反向
当前
IR
μA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
@ VR
V
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
最大
齐纳
当前
IZM
mA
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
DO- 35案例 - 机械外形
R1 （ 2011年27月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
1N957B THRU 1N992B
硅稳压二极管
6.8伏THRU 200伏
500mW的， 5 ％的容差
典型电气特性
R1 （ 2011年27月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
QQ：2880707522 复制
