1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N957B通1N992B系列0.5瓦特齐纳电压
调节器提供了从6.8到200伏特的标准5％或选择
10％的容差，以及确定了不同的后缀严格的公差
信上的部件号。这些玻璃轴向引线DO -35的齐纳二极管
也可以通过添加一个“-1”内部冶金，债券期权
后缀。该1N962B - 1直通1N992B -1一月， JANTX可用，
JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳产品，以满足更高和更低功耗的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册1N957B （-1）到1N992B （-1）系列
可通过内部的冶金结合选项
添加一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF-一百十七分之一万九千五资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望电平以及“-1”后缀;
（例如JANTX1N962B -1， JANTXV1N986C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL957B到MLL992B或“-1”为后缀的结合
在DO- 213AA MELF风格包（咨询
工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
丰富的选择，从6.8到200 V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀， 10 ％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
天生辐射坚硬如所描述
Microsemi的MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C到
+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结
安装在FR4印刷电路板时1盎司到环境（
铜）与4毫米
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，
长25毫米
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特（最大值）
1N957B - 1N985B和1.3 V为1N985 - 1N992B
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
要与带状端正操作
相对于所述另一端为齐纳
规
标记：部件号
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
（加“ TR”后缀部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
公称
齐纳
电压
（注2 ）
齐纳
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
（注3）
MAX 。 DC
齐纳
当前
（注4 ）
MAX 。 SURGE
当前
（注5 ）
马克斯。反向
泄漏
当前
I
R
@
V
R
A
伏
150
5.2
75
5.7
50
6.2
25
6.9
10
7.6
8.4
5
9.1
5
9.9
5
11.4
5
12.2
5
13.7
5
15.2
5
16.7
5
18.2
5
20.6
5
22.8
5
25.1
5
27.4
5
29.7
5
32.7
5
35.8
5
38.8
5
42.6
5
47.1
5
51.7
5
56.0
5
62.2
5
69.2
5
76.0
5
83.6
5
91.2
5
98.8
5
114.0
5
121.6
5
136.8
5
152.0
5
马克斯。温度。
系数
%/
o
C
+0.05
+0.058
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.083
+0.085
+0.086
+0.087
+0.088
+0.090
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
Z
伏
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
Z
ZT
@ I
ZT
欧
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13.0
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
欧
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
@ I
ZK
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
I
ZM
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
3.1
2.7
2.4
2.2
2.0
1.8
I
ZSM
mA
300
275
250
225
200
175
160
150
130
120
110
100
90
80
70
65
60
55
46
44
40
37
35
30
28
26
23
21
18
16
15
13
12
11
10
9
α
VZ
* JEDEC注册资料
注1 ：
所示的JEDEC类型号（B后缀）对标称稳压电压的±5 ％的容差。该后缀用于识别+/-
10 ％的容差;后缀C被用于识别+/- 2％ ;和后缀D被用来标识为+/- 1 ％的容差;无后缀表示+/- 20 ％
耐受性。
注2 ：
齐纳电压（
V
Z
）后测试电流已经施加20 ±5秒内测量。该装置应受暂停
引线与安装夹的0.375之间从主体的内部边缘“和0.500 ” 。安装夹应保持在一
o
25 + 8 / -2 ℃。温度
注3 ：
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点，以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
注4 ：
的值
I
ZM
计算的名义齐纳电压的±5 ％的容差。津贴已经取得了上涨的齐纳
电压高于V
ZT
来自齐纳阻抗和功率耗散的方法增加的结点温度的效果
o
400毫瓦。在个别的二极管我的情况
ZM
是的电流值这导致400毫瓦的功耗在75℃引
温度为3/8“的身体。
注5 ：
激增的我
ZSM
是方波或1/120秒等效半正弦波脉冲。持续时间。
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
图的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
电压温度
o
系数％ / C
o
MV变化/ C
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
包装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
CE
陈毅电子
特点
。硅平面功率齐纳二极管
。标准齐纳电压容差为20 ％ 。新增的后缀为"A"
宽容和后缀"B" 5 ％的容差其他宽容，不
标准和要求更高的击穿电压
10%
1N957 THRU 1N978
0.5W硅平面齐纳二极管
机械数据
.
案例：
DO- 35玻璃柜
.
极性：
颜色频带端为负极
.
重量：
约。 0.13克
绝对最大额定值（极限值） （T
A
=25
)
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=75
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
价值
单位
500
1)
175
-65到+ 175
mW
1）有效的规定，在从壳体的距离为8mm被保持在环境温度（ DO- 35）的
电气特性（ TA = 25
)
符号
热阻结到环境
正向电压
在我
F
=200mA
R
JA
分钟。
典型值。
马克斯。
300
1)
1.5
单位
/W
V
F
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第1页2
CE
陈毅电子
1N957 THRU 1N978
0.5W硅平面齐纳二极管
1N957 ... 1N978硅平面齐纳二极管
最大
齐纳电压范围
3)
TYPE
V
ZNOM
V
1N957
1N958
1N959
1N960
1N961
1N962
1N963
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
1N974
1N975
1N976
1N977
1N978
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
I
ZT
mA
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
1500
1000
750
0.25
700
0.5
5.5
4.5
Z
ZT
齐纳
阻抗
1)
Z
ZK
I
ZK
mA
1
典型
Tempetature
系数
I
R 2)
A
150
75
50
10
5
最大反向
漏电流
测试电压
后缀
后缀B
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
最大
调节器
当前
I
ZM 2 ）
mA
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
14
11
10
9.0
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
%/
0.050
0.058
0.062
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.082
0.083
0.085
0.086
0.087
0.088
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
V
4.9
5.4
5.9
6.6
7.2
8
8.6
9.4
10.8
11.5
13
14.4
15.8
17.3
5
19.4
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
注意事项：
（1）齐纳阻抗从1kHz的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（Ⅰ
ZT
）是suprimposed上我
ZT
齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
故障曲线，消除不稳定的单位。
（2）在从情况下的距离为8mm有效的规定，引线被保持在环境温度
（ 3 ）测量与热平衡器件结。
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第2页2
1N957 THRU 1N978
硅平面齐纳二极管
特点
硅平面齐纳二极管
的20％。添加后缀??一??
标准的齐纳电压容差
为
10 ％的容差和后缀?? B ??为
5 ％的容差。
其他公差，非标准和更高的齐纳电压
根据要求提供。
DIM ENSIONS
暗淡
A
B
C
D
英寸
分钟。
-
-
-
1.083
马克斯。
0.154
0.075
0.020
-
分钟。
-
-
-
27.50
mm
马克斯。
3.9
1.9
0.52
-
记
绝对最大额定值
(T
a
=25
)
符号
值
单位
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
AMB
=50
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
400
1)
mW
175
-65到+175
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
特征
热阻
结到环境空气
at
T
AMB
=25
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
THA
V
F
-
-
-
-
0.3
1)
K /毫瓦
V
在我正向电压
F
=200mA
1.5
注意：
（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
1
齐纳电压范围
TYPE
1)
动态电阻
典型
温度
系数
最大反向漏currrent
最大
调节器
当前
I
ZM
mA
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.0
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
V
ZNOM
V
I
ZT
mA
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
r
ZJT
和R
张家口
在我
zk
mA
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
(%/
)
I
R
2)
测试 - 电压
后缀
后缀B
V
4.9
5.4
5.9
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.8
11.5
13.0
14.4
15.8
17.3
19.4
21.6
23.8
25.9
28.1
31.0
33.8
36.7
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
uA
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1N957
1N958
1N959
1N960
1N961
1N962
1N963
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
1N974
1N975
1N976
1N977
1N978
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
0.050
0.058
0.062
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.082
0.083
0.085
0.086
0.087
0.088
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
注意事项：
（ 1）试验用脉冲TP = 20毫秒。
（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
2
1N957...1N978
硅平面齐纳二极管
标准的齐纳电压容差为± 20 ％ 。添加后缀
"A"为± 10 ％的容差和后缀"B"为± 5 ％
耐受性。其他公差，非标及以上
齐纳电压要求。
马克斯。 1.9
黑
阴极带
黑
产品型号
黑
"ST"品牌
最大。 0.5
分钟。 27.5
XXX
ST
马克斯。 3.9
分钟。 27.5
玻璃外壳DO- 35
尺寸（mm）
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
功耗
结温
存储温度范围
1)
符号
P
合计
T
j
T
S
价值
500
1)
单位
mW
O
175
- 65 + 175
C
C
O
在从情况下的距离为8毫米的有效条件是引线保持在环境温度
特点在T
a
= 25
O
C
参数
热阻结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
1)
符号
R
THA
V
F
马克斯。
0.3
1)
1.5
单位
K /毫瓦
V
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 13/06/2007
1N957...1N978
特点在T
a
= 25
O
C
齐纳电压
范围
1)
TYPE
V
ZNOM
V
1N957
1N958
1N959
1N960
1N961
1N962
1N963
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
1N974
1N975
1N976
1N977
1N978
1)
2)
最大动态性
r
ZJT
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
r
张家口
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
在我
ZK
mA
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
最大反向漏电流
2)
测试电压（V
R
)
I
R
A
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
后缀
V
4.9
5.4
5.9
6.6
7.2
8
8.6
9.4
10.8
11.5
13
14.4
15.8
17.3
19.4
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
后缀B
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
l
ZT
mA
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
最大
调节器
当前
I
ZM
（MA ）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9
8.5
7.8
7
6.4
5.9
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
测试了脉冲TP = 20毫秒
有效的条件是引线保持在环境温度在8毫米的情况下的距离。
500
功耗： P合计（MW ）
400
300
200
100
0
0
25
100
150
环境温度： TA（
O
C)
200
功率降额曲线
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 13/06/2007
R
性S E M I C 0 N D ü （C T）
0.5W硅平面齐纳二极管
DO-35
特点
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压容差为+ 20 ％ 。新增的后缀"A"为+ 10 ％
宽容和后缀"B"为+ 5 ％的误差容限等，非
标准和要求更高的击穿电压
0.079(2.0)
最大
迪亚
1.083(27.5)
民
0.150(3.8)
最大
机械数据
例
:
DO- 35玻璃柜
极性：
颜色频带端为负极
重量
:
约。 0.13克
0.020(0.52)
最大
迪亚
1.083(27.5)
民
尺寸以英寸（毫米）
绝对最大额定值（极限值）
(T
A
=25 C)
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=25 C
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
500
1)
175
-65到+ 175
mW
C
C
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
电气特性
(T
A
=25 C)
热阻结到安眠药AIRT
在我正向电压
F
=200mA
R
JA
300
1)
1.5
C / W
V
F
1）有效的规定，从壳体的距离为8mm被保持在环境温度
齐纳电压
范围
3)
V
ZNOM
V
1N957
1N958
1N959
1N960
1N961
1N962
1N963
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
1N974
1N975
1N976
1N977
1N978
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
I
ZT
mA
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
1500
1000
750
700
5.5
4.5
Z
ZT
Z
ZK
1)
测试电压
I
ZK
mA
1.0
%/ C
0.050
0.058
0.5
0.062
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.082
0.083
0.085
0.086
0.25
0.087
0.088
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
5
I
R
2)
2)
后缀
V
4.9
5.4
5.9
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.8
11.5
13.0
14.4
15.8
17.3
19.4
21.6
23.8
25.9
28.1
31.0
33.8
36.7
后缀B
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
mA
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
14
11
10
9.0
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
A
150
75
50
10
5
注意事项：
（1）齐纳阻抗从1kHz的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流的（1
ZT
）叠加ON1
ZT
齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
故障曲线，消除不稳定的单位。
（2）有效条件是引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
（ 3 ）测量与热平衡器件结。
MCC
） HDWXUHV
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
1N957
THRU
1N978
齐纳电压6.8V至51V
硅平面功率齐纳二极管
标准齐纳电压容差为± 20 ％ ，添加后缀“A”为
±10 ％的容差和后缀“B”为± 5 ％的容差，无标准
并根据要求更高的击穿电压
0.5W硅平面
齐纳二极管
0HFKDQLFDO'DWD
案例： DO -35玻璃柜
极性：颜色频带端为负极
重量：约。 0.13克
DO-35
D
0D[LPXP5DWLQJV
符号
齐纳电流
功耗
@ T
A
=25
o
C
结温
储存温度
范围
P
合计
T
J
T
英镑
价值
参照表1
500
175
-65 175
单位
mW
o
o
A
阴极
标志
B
C
C
D
（ OHFWULFDO &KDUDFWHULVWLFV ＃ ？
°
& 8QOHVV 2WKHUZLVH 6SHFLILHG
热阻
正向电压
@ I
F
=200mA
符号
R
-$
V
F
最大
300
1.5
o
C
单位
C / W
V
尺寸
英寸
民
---
---
---
1.000
MM
民
---
---
---
25.40
注意：
有效的条件是，从壳体的距离为8mm被保持在
环境温度
暗淡
A
B
C
D
最大
.166
.079
.020
---
最大
4.2
2.00
.52
---
记
www.mccsemi.com
1N957 THRU 1N978
MCC
部分
数
1N957
1N958
1N959
1N960
1N961
1N962
1N963
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
1N974
1N975
1N976
1N977
1N978
注意：
1)
齐纳
电压
3)
@TEST
当前
V
Z
I
ZT
V
mA
6.8
18.5
7.5
16.5
8.2
15
9.1
14
10
12.5
11
11.5
12
10.5
13
9.5
15
8.5
16
7.8
18
7.0
20
6.2
22
5.6
24
5.2
27
4.6
30
4.2
33
3.8
36
3.4
39
3.2
43
3.0
47
2.7
51
2.5
最大齐纳
阻抗
1)
Z
ZT
最大反向
漏电流
测试电压
I
R2)
A
150
75
50
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
后缀
V
4.9
5.4
5.9
6.6
7.2
8.0
8.6
9.4
10.8
11.5
13.0
14.4
15.8
17.3
19.4
21.6
23.8
25.9
28.1
31.0
33.8
36.7
后缀B
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
MCC
最大
齐纳
当前
I
ZM2)
mA
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
14
11
10
9.0
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
典型
温度。
系数
%/
0.050
0.058
0.062
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.082
0.083
0.085
0.086
0.087
0.088
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
Z
ZK
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
I
ZK
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
:
2)
3)
齐纳阻抗从1kHz的交流电压具有有效值的交流电流时，其导致来自
值等于齐纳电流的10％ （我
ZT
）被叠加在我
ZT
齐纳阻抗的测量是在两个点
以保证击穿曲线上的尖锐膝盖和消除不稳定的单元。
有效的条件是引线保持在环境温度下从壳体的距离为8mm 。
测量与热平衡器件结。
www.mccsemi.com
CE
陈毅电子
特点
。硅平面功率齐纳二极管
。标准齐纳电压容差为20 ％ 。新增的后缀为"A"
宽容和后缀"B" 5 ％的容差其他宽容，不
标准和要求更高的击穿电压
10%
1N957 THRU 1N978
0.5W硅平面齐纳二极管
机械数据
.
案例：
DO- 35玻璃柜
.
极性：
颜色频带端为负极
.
重量：
约。 0.13克
绝对最大额定值（极限值） （T
A
=25
)
符号
齐纳电流见表"Characteristics"
在T功耗
A
=75
结温
存储温度范围
P
合计
T
J
T
英镑
价值
单位
500
1)
175
-65到+ 175
mW
1）有效的规定，在从壳体的距离为8mm被保持在环境温度（ DO- 35）的
电气特性（ TA = 25
)
符号
热阻结到环境
正向电压
在我
F
=200mA
R
JA
分钟。
典型值。
马克斯。
300
1)
1.5
单位
/W
V
F
1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第1页2
CE
陈毅电子
1N957 THRU 1N978
0.5W硅平面齐纳二极管
1N957 ... 1N978硅平面齐纳二极管
最大
齐纳电压范围
3)
TYPE
V
ZNOM
V
1N957
1N958
1N959
1N960
1N961
1N962
1N963
1N964
1N965
1N966
1N967
1N968
1N969
1N970
1N971
1N972
1N973
1N974
1N975
1N976
1N977
1N978
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
I
ZT
mA
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3
2.7
2.5
5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
1500
1000
750
0.25
700
0.5
5.5
4.5
Z
ZT
齐纳
阻抗
1)
Z
ZK
I
ZK
mA
1
典型
Tempetature
系数
I
R 2)
A
150
75
50
10
5
最大反向
漏电流
测试电压
后缀
后缀B
V
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
最大
调节器
当前
I
ZM 2 ）
mA
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
14
11
10
9.0
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
%/
0.050
0.058
0.062
0.068
0.075
0.076
0.077
0.079
0.082
0.083
0.085
0.086
0.087
0.088
0.090
0.091
0.092
0.093
0.094
0.095
0.095
0.096
V
4.9
5.4
5.9
6.6
7.2
8
8.6
9.4
10.8
11.5
13
14.4
15.8
17.3
5
19.4
21.6
23.8
25.9
28.1
31
33.8
36.7
注意事项：
（1）齐纳阻抗从1kHz的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（Ⅰ
ZT
）是suprimposed上我
ZT
齐纳阻抗的测量是在两个点，以确保在一个锋利的膝
故障曲线，消除不稳定的单位。
（2）在从情况下的距离为8mm有效的规定，引线被保持在环境温度
（ 3 ）测量与热平衡器件结。
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第2页2
1N962B - 1 THRU 1N986B - 1适用车型
JAN ， JANTX和JANTXV
每MIL -PRF-一百一十七分之一万九千五
冶金结合
双封堵施工
1N957通1N986B
和
1N962B - 1直通1N986B - 1
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
正向电压@ 200毫安： 1.1volts最大
电气特性@ 25°C
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
Z
（注2 ）
伏
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
V
齐纳
TEST
当前
1
ZT
（注3）
Z
@1
ZT
ZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
欧
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
90
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
Z
@1
ZK
ZK
欧
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
1
ZM
升@V
R
R
最大齐纳阻抗
MAX 。 DC
齐纳
当前
马克斯。反向
漏电流
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
A
5
5
5
5
2
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11
12
14
15
17
18
21
23
25
27
30
33
36
39
43
47
52
56
62
69
76
84
图1
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
250
°
C / W最高为L = .375英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 35
°
C / W最高
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
注1
注2
注3
在"B"suffix齐纳电压容差为±5％ 。后缀字母A表示+ 10 ％ 。没有后缀
指+ 20 ％的公差， "C"后缀表示+ 2 ％和"D"后缀表示+ 1 ％ 。
齐纳电压的测量可以在热平衡的器件结
在25℃ + 3 ℃的环境温度下进行。
齐纳阻抗是由叠加在1衍生
60Hz的交流电有效值当前
ZT
等于1的10％
ZT
6湖街，劳伦斯，马萨诸塞州01841
电话（ 978 ） 620-2600
传真（ 978 ） 689-0803
网址： http://www.microsemi.com
23
QQ：2881677436 复制
