德昌
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
9x
xB
符号
P
D
价值
500
单位
mW
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
齐纳电压范围6.8V = 100V的
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
L
9xxB
=标志
= 1N9xxB器件代码
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极
阳极
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
2006年11月/ C
第1页
1N957B通过1N992B系列
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
设备
记号
民
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
77.90
86.45
95.00
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
V
Z
（伏）
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
7.140
8.875
8.610
9.555
10.500
11.55
12.60
13.65
15.75
16.8
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
85.10
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
157.5
168.5
189.5
210.0
@I
ZT
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
()
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
@I
ZK
()
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
（MA ）
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
IR @VR = 1V
（ UA）
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（伏）
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
I
ZM
（注5 ）
（MA ）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 200毫安所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。规定限值
对于我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）是已知的，在该操作点，所述
齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
2006年11月/ C
第2页
德昌
包装外形
案例外形
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
3.05
25.40
1.52
0.56
5.08
38.10
2.29
0.018
0.120
1.000
0.060
0.022
0.200
1.500
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
该数据表呈现德昌的齐纳二极管的技术数据。规格齐全，适合各个设备
在数据表的形式提供。全面的产品选择指南包含简化选择的最好的一组任务
所需的特定的应用程序组件。有关更多信息，请访问我们的网站
http://www.takcheong.com 。
虽然此数据表中的信息已经过仔细核对，对错误的责任可以承担德
畅。详情请咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
德昌保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，进一步提高可靠性的权利，
功能和设计方面，成本和生产率。
德昌
和
注册德昌电子（集团）有限公司的商标。
2006年11月/ C
第3页
LEADED （ THRU - HOLE ）
齐纳二极管
400mW的玻璃体稳压二极管
工作温度： -65℃ 150℃
RF
交
公称
TEST
最大齐纳最大反向漏最大DC
最大
包
概要
型号Refernce
齐纳
阻抗
V
R
=1V
齐纳温
（最大值为英寸）
电压@IZT
@I
ZT
T
A
= 25 ° （C T）
A
= 150 ℃，电流系数
V
Z
(V)
I
ZT
（MA ）
Z
ZT
(W)
I
R
（MA ）
I
R
（MA ）
I
ZM
（MA ）
(a
VZ
)
散装/卷
1N746A
1N5226B
3.3
20
28
10.0
30
110
-0.07
1000/10000
1N747A
1N5227B
3.6
20
24
10.0
30
100
-0.065
1000/10000
1N748A
1N5228B
3.9
20
23
10.0
30
95
-0.06
1000/10000
1N749A
1N5229B
4.3
20
22
2.0
30
85
-0.055
1000/10000
1N750A
1N5230B
4.7
20
19
2.0
30
75
-0.03
1000/10000
1N751A
1N5231B
5.1
20
17
1.0
20
70
0.03
1000/10000
1N752A
1N5232B
5.6
20
11
1.0
20
65
0.038
1000/10000
1N753A
1N5234B
6.2
20
7
0.1
20
65
0.045
1000/10000
1N754A
1N5235B
6.8
20
5
0.1
20
55
0.05
1000/10000
1N755A
1N5236B
7.5
20
6
0.1
20
50
0.058
1000/10000
1N756A
1N5237B
8.2
20
8
0.1
20
45
0.062
1000/10000
1N757A
1N5239B
9.1
20
10
0.1
20
40
0.068
1000/10000
1N758A
1N5240B
10.0
20
17
0.1
20
35
0.075
1000/10000
1N759A
1N5242B
12.0
20
30
0.1
20
30
0.077
1000/10000
400mW的玻璃体稳压二极管
RF
交
公称
TEST
最大齐纳稳压最大测试
最大
最大反向测试最大齐纳
型号Refernce
齐纳
阻抗阻抗电流温度LKG电流电压电流
电压@IZT
@I
ZT
@I
ZT
系数
@ V
R
I
ZM
位于C
V
Z
(V)
I
ZT
（MA ）
Z
ZT
(W)
Z
ZK
(W)
I
ZK
（MA ）
(a
VZ
)
I
R
（MA ）
V
R
(V)
(V)
1N964B
1N5243B
13
9.5
13
700
0.25
0.079
5
9.9
24
1N965B
1N5245B
15
8.5
16
700
0.25
0.082
5
11.4
21
1N966B
1N5246B
16
7.8
17
700
0.25
0.083
5
12.2
19
1N967B
1N5248B
18
7
21
750
0.25
0.085
5
13.7
17
1N968B
1N5250B
20
6.2
25
750
0.25
0.086
5
15.2
15
1N969B
1N5251B
22
5.6
29
750
0.25
0.087
5
16.7
14
1N970B
1N5252B
24
5.2
33
750
0.25
0.088
5
18.2
13
1N971B
1N5254B
27
4.6
41
750
0.25
0.09
5
20.6
11
1N972B
1N5256B
30
4.2
49
1000
0.25
0.091
5
22.8
10
1N973B
1N5257B
33
3.8
58
1000
0.25
0.092
5
25.1
9
1N974B
1N5258B
36
3.4
70
1000
0.25
0.093
5
27.4
1N975B
1N5259B
39
3.2
80
1000
0.25
0.094
5
29.7
1N976B
1N5260B
43
3
93
1500
0.25
0.095
5
32.7
1N977B
1N5261B
47
2.7
105
1500
0.25
0.095
5
35.8
1N978B
1N5262B
51
2.5
125
1500
0.25
0.096
5
38.8
包
工作温度： -65℃ 150℃
概要
（最大值为英寸）
散装/卷
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
500mW的玻璃体稳压二极管
RF
交
公称
TEST
最大齐纳稳压最大
最大齐纳
最大反向测试最大齐纳
型号Refernce
齐纳
阻抗阻抗电压温度。 LKG电流电压电流
电压@IZT
@I
ZT
@I
ZT
系数
@ V
R
I
ZM
位于C
V
Z
(V)
I
ZT
（MA ）
Z
ZT
(W)
Z
ZK
(W)
a
VZ
(%°C)
I
R
（MA ）
V
R
(V)
(V)
1N5221B
2.4
20
30
1200
-0.085
100.0
1.0
191
1N5222B
2.5
20
30
1250
-0.085
100.0
1.0
182
1N5223B
2.7
20
30
1300
-0.080
75.0
1.0
168
1N5224B
2.8
20
30
1400
-0.080
75.0
1.0
162
1N5225B
3.0
20
29
1600
-0.075
50.0
1.0
151
1N5226B
3.3
20
28
1600
-0.070
25.0
1.0
138
1N5227B
3.6
20
24
1700
-0.065
15.0
1.0
126
1N5228B
3.9
20
23
1900
-0.060
10.0
1.0
115
1N5229B
4.3
20
22
2000
-0.055
5.0
1.0
106
1N5230B
4.7
20
19
1900
-0.030
5.0
2.0
97
1N5231B
5.1
20
17
1600
+0.030
5.0
2.0
89
1N5232B
5.6
20
11
1600
+0.038
5.0
3.0
81
1N5233B
6.0
20
7
1600
+0.038
5.0
3.5
76
1N5234B
6.2
20
7
1000
+0.045
5.0
4.0
73
1N5235B
6.8
20
5
750
+0.050
3.0
5.0
67
1N5236B
7.5
20
6
500
+0.058
3.0
6.0
61
1N5237B
8.2
20
8
500
+0.062
3.0
6.5
55
1N5238B
8.7
20
8
600
+0.065
3.0
6.5
52
1N5239B
9.1
20
10
600
+0.068
3.0
7.0
50
1N5240B
10.0
20
17
600
+0.075
3.0
8.0
45
1N5241B
11.0
20
22
600
+0.076
3.0
8.4
41
1N5242B
12
20
30
600
+0.077
1.0
9.1
38
1N5243B
13
9.5
13
600
+0.079
0.5
9.9
35
1N5244B
14
9
15
600
+0.082
0.1
10
32
1N5245B
15
8.5
16
600
+0.082
0.1
11
30
1N5246B
16
7.8
17
600
+0.083
0.1
12
28
1N5247B
17
7.4
19
600
+0.084
0.1
13
27
1N5248B
18
7
21
600
+0.085
0.1
14
25
1N5249B
19
6.6
23
600
+0.085
0.1
14
24
1N5250B
20
6.2
25
600
+0.086
0.1
15
23
1N5251B
22
5.6
29
600
+0.087
0.1
17
21.2
1N5252B
24
5.2
33
600
+0.088
0.1
18
19.1
1N5253B
25
5
35
600
+0.089
0.1
19
18.2
1N5254B
27
4.6
41
600
+0.090
0.1
21
16.8
1N5255B
28
4.5
44
600
+0.091
0.1
21
16.2
1N5256B
30
4.2
49
600
+0.091
0.1
23
15.1
1N5257B
33
3.8
58
700
+0.092
0.1
25
13.8
1N5258B
36
3.4
70
700
+0.093
0.1
27
12.6
1N5259B
39
3.2
80
800
+0.094
0.1
30
11.5
1N5260B
43
3
93
900
+0.095
0.1
33
10.6
1N5261B
47
2.7
150
1000
+0.095
0.1
36
9.7
1N5262B
51
2.5
125
1100
+0.096
0.1
39
8.9
1N5263B
56
2.2
150
1300
+0.096
0.1
43
8.1
包
工作温度： -65℃ 150℃
概要
（最大值为英寸）
散装/卷
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
1000/10000
RFE国际
电话： （ 949 ） 833-1988 传真： （ 949 ） 833-1788 电子邮件Sales@rfeinc.com
C3CC01
REV 2001年
乐山无线电公司， LTD 。
1N9系列
齐纳二极管
1N9
1N9系列齐纳二极管
(T
A
= 25 ° C，V
F
= 1.5V ，最大值为所有类型）
最大齐纳阻抗
最大反向
公称
TEST
只有A和B Sufflx
漏电流
齐纳电流
电压
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZK
@I
ZK
V
R
Z
ZT
@I
ZT
I
R
VZ @ L
ZT
mA
伏
欧
mA
欧
μAMAX
伏
T
A
= 25 ° C，V
F
1.5V我
F
= 200mA的电流
TYPE
最高可
直流稳压
当前
mA
包
尺寸
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.8
0.68
0.65
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
700
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
150
75
50
25
10
5
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.6
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
Φ
0.5 ± 0.1
Φ
1.8 ± 0.2
DO-35
(mm)
指定公差
所示类型的数字有宽容名称如下：
1N957B Senies ： V
Z
± 5 ％ ，C为V
Z
±2%
NOTE1.TOLERANCE和电压DESIGNATION
1N957B
B
±5%, C
±2%
29 ± 1
3.8 ± 0.2
29 ± 1
5B–1/1
齐纳二极管1N957B - 1N991B
齐纳二极管
1N957B - 1N991B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（伏）
设备
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
分钟。
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
典型值。
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
T
A
= 25 ° C除非另有说明
（注1 ）
Z
Z
()
@ I
Z
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
马克斯。
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
I
ZM
（MA ）
（注3）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
电气特性
（续）
V
Z
（伏）
设备
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
分钟。
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
典型值。
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
（注1 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
()
@ I
Z
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
Z
Z
@ I
Z
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
马克斯。
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
Z
ZK
@ I
ZK
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
I
ZM
（MA ）
（注3）
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与交流
频率= 60Hz的。
3.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
齐纳二极管1N957B - 1N991B
齐纳二极管
1N957B - 1N991B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（伏）
设备
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
分钟。
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
典型值。
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
T
A
= 25 ° C除非另有说明
（注1 ）
Z
Z
()
@ I
Z
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
马克斯。
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
I
ZM
（MA ）
（注3）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
电气特性
（续）
V
Z
（伏）
设备
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
分钟。
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
典型值。
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
（注1 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
()
@ I
Z
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
Z
Z
@ I
Z
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
马克斯。
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
Z
ZK
@ I
ZK
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
I
ZM
（MA ）
（注3）
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与交流
频率= 60Hz的。
3.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
齐纳二极管1N957B - 1N991B
齐纳二极管
1N957B - 1N991B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（伏）
设备
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
分钟。
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
典型值。
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
T
A
= 25 ° C除非另有说明
（注1 ）
Z
Z
()
@ I
Z
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
马克斯。
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
I
ZM
（MA ）
（注3）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
电气特性
（续）
V
Z
（伏）
设备
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
分钟。
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
典型值。
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
（注1 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
()
@ I
Z
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
Z
Z
@ I
Z
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
马克斯。
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
Z
ZK
@ I
ZK
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
I
ZM
（MA ）
（注3）
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与交流
频率= 60Hz的。
3.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
齐纳二极管1N957B - 1N991B
齐纳二极管
1N957B - 1N991B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（伏）
设备
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
分钟。
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
典型值。
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
T
A
= 25 ° C除非另有说明
（注1 ）
Z
Z
()
@ I
Z
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
马克斯。
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
I
ZM
（MA ）
（注3）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
电气特性
（续）
V
Z
（伏）
设备
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
分钟。
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
典型值。
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
（注1 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
()
@ I
Z
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
Z
Z
@ I
Z
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
马克斯。
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
Z
ZK
@ I
ZK
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
I
ZM
（MA ）
（注3）
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与交流
频率= 60Hz的。
3.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N957B通1N992B系列0.5瓦特齐纳电压
调节器提供了从6.8到200伏特的标准5％或选择
10％的容差，以及确定了不同的后缀严格的公差
信上的部件号。这些玻璃轴向引线DO -35的齐纳二极管
也可以通过添加一个“-1”内部冶金，债券期权
后缀。该1N962B - 1直通1N992B -1一月， JANTX可用，
JANTXV军事资格。 Microsemi的还提供了许多其他
齐纳产品，以满足更高和更低功耗的应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册1N957B （-1）到1N992B （-1）系列
可通过内部的冶金结合选项
添加一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF-一百十七分之一万九千五资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀的部件号
用于筛选的期望电平以及“-1”后缀;
（例如JANTX1N962B -1， JANTXV1N986C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL957B到MLL992B或“-1”为后缀的结合
在DO- 213AA MELF风格包（咨询
工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
丰富的选择，从6.8到200 V
标准电压容差的正/负5 ％
与B后缀， 10 ％带有后缀标识
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
天生辐射坚硬如所描述
Microsemi的MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C到
+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结
安装在FR4印刷电路板时1盎司到环境（
铜）与4毫米
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，
长25毫米
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特（最大值）
1N957B - 1N985B和1.3 V为1N985 - 1N992B
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊
每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
要与带状端正操作
相对于所述另一端为齐纳
规
标记：部件号
磁带&卷轴选项：每标准EIA -296
（加“ TR”后缀部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
WWW .
Microsemi的
.C
OM
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
公称
齐纳
电压
（注2 ）
齐纳
TEST
当前
马克斯。齐纳阻抗
（注3）
MAX 。 DC
齐纳
当前
（注4 ）
MAX 。 SURGE
当前
（注5 ）
马克斯。反向
泄漏
当前
I
R
@
V
R
A
伏
150
5.2
75
5.7
50
6.2
25
6.9
10
7.6
8.4
5
9.1
5
9.9
5
11.4
5
12.2
5
13.7
5
15.2
5
16.7
5
18.2
5
20.6
5
22.8
5
25.1
5
27.4
5
29.7
5
32.7
5
35.8
5
38.8
5
42.6
5
47.1
5
51.7
5
56.0
5
62.2
5
69.2
5
76.0
5
83.6
5
91.2
5
98.8
5
114.0
5
121.6
5
136.8
5
152.0
5
马克斯。温度。
系数
%/
o
C
+0.05
+0.058
+0.065
+0.068
+0.075
+0.076
+0.077
+0.079
+0.082
+0.083
+0.085
+0.086
+0.087
+0.088
+0.090
+0.091
+0.092
+0.093
+0.094
+0.095
+0.095
+0.096
+0.096
+0.097
+0.097
+0.098
+0.098
+0.099
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
+0.11
V
Z
伏
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
I
ZT
mA
18.5
16.5
15.0
14.0
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
Z
ZT
@ I
ZT
欧
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13.0
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
欧
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
@ I
ZK
mA
1.0
.5
.5
.5
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
.25
I
ZM
mA
55
50
45
41
38
32
31
28
25
24
20
18
16
15
13
12
11
10
9.5
8.8
7.9
7.4
6.8
6.0
5.5
5.0
4.6
4.1
3.7
3.3
3.1
2.7
2.4
2.2
2.0
1.8
I
ZSM
mA
300
275
250
225
200
175
160
150
130
120
110
100
90
80
70
65
60
55
46
44
40
37
35
30
28
26
23
21
18
16
15
13
12
11
10
9
α
VZ
* JEDEC注册资料
注1 ：
所示的JEDEC类型号（B后缀）对标称稳压电压的±5 ％的容差。该后缀用于识别+/-
10 ％的容差;后缀C被用于识别+/- 2％ ;和后缀D被用来标识为+/- 1 ％的容差;无后缀表示+/- 20 ％
耐受性。
注2 ：
齐纳电压（
V
Z
）后测试电流已经施加20 ±5秒内测量。该装置应受暂停
引线与安装夹的0.375之间从主体的内部边缘“和0.500 ” 。安装夹应保持在一
o
25 + 8 / -2 ℃。温度
注3 ：
齐纳阻抗导出时具有有效值等于直流齐纳电流的10％ （我一个60周期的交流电流
ZT
or
I
ZK
）被叠加在我
ZT
还是我
ZK
。齐纳阻抗的测量是在2个点，以保证击穿曲线上的尖锐膝
和消除不稳定的单元。见MicroNote 202的变化具有不同的齐纳电流的动态阻抗。
注4 ：
的值
I
ZM
计算的名义齐纳电压的±5 ％的容差。津贴已经取得了上涨的齐纳
电压高于V
ZT
来自齐纳阻抗和功率耗散的方法增加的结点温度的效果
o
400毫瓦。在个别的二极管我的情况
ZM
是的电流值这导致400毫瓦的功耗在75℃引
温度为3/8“的身体。
注5 ：
激增的我
ZSM
是方波或1/120秒等效半正弦波脉冲。持续时间。
1N957B - 992B
(DO-35)
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N957B ， -1直通1N992B ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
图的
WWW .
Microsemi的
.C
OM
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
电压温度
o
系数％ / C
o
MV变化/ C
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
包装尺寸
1N957B - 992B
(DO-35)
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
德昌
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃齐纳电压
稳压器
轴向引线
DO35
最大额定值
（注1 ）
等级
最大稳态功耗
@TL≤75℃,
引线长度= 3/8 “
减免上述75 ℃
工作和存储
温度范围
T
J
, T
英镑
4.0
-65到+200
毫瓦/ °
°C
L
9x
xB
符号
P
D
价值
500
单位
mW
注1 ：某些零件号系列有更低的JEDEC注册的收视率。
规格特点：
齐纳电压范围6.8V = 100V的
ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型
DO- 35封装（ DO- 204AH ）
双弹头式建筑
冶金结合建设
符合RoHS
焊接热浸锡（Sn ），铅完成
L
9xxB
=标志
= 1N9xxB器件代码
规格特点：
例
完
:
双塞型，密闭玻璃
:
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极
阳极
极性：
阴极指示的极性带
安装：
任何
编号： DB- 072
2010年4月/ D
第1页
1N957B通过1N969B系列
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
设备
记号
民
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
V
Z
（伏）
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
最大
7.140
8.875
8.610
9.555
10.500
11.55
12.60
13.65
15.75
16.8
18.90
21.00
23.10
@I
ZT
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
（MA ）
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
IR @VR = 1V
（ UA）
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
（伏）
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
I
ZM
（注5 ）
（MA ）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 200毫安所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。规定限值
对于我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）是已知的，在该操作点，所述
齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
编号： DB- 072
2010年4月/ D
第2页
德昌
包装外形
案例外形
李焚香B Y形
关于矽次uctor
,
一个tradem方舟华氏度
矽次uctor
COM ponents我ndustri ES， LLC的
齐纳Tec的hnolo GY
和
临管
.
DO-35
暗淡
民
MILLIMETERS
最大
民
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
0.56
0.018
0.022
3.05
5.08
0.120
0.200
25.40
38.10
1.000
1.500
1.52
2.29
0.060
0.090
注意：
所有尺寸JEDEC标准之内。
编号： DB- 072
2010年4月/ D
第3页
德昌
DISC LA MER我ê诺蒂奇
通告
本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的
更改，恕不另行通知此处显示的产品规格。
这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置，并且不使用
设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用
将直接危及人的生命（如医疗器械，交通运输设备，航空航天
机械，核反应控制器，燃料控制器等安全装置） ，德昌半导体
有限责任公司，或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任
使用不当销售。
本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息，请访问：
我们的网站
http://www.takcheong.com ，
或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
编号： DB- 100
2008年4月14日/ A
乐山无线电公司， LTD 。
1N9系列
齐纳二极管
1N9
1N9系列齐纳二极管
(T
A
= 25 ° C，V
F
= 1.5V ，最大值为所有类型）
最大齐纳阻抗
最大反向
公称
TEST
只有A和B Sufflx
漏电流
齐纳电流
电压
I
ZT
Z
ZK
@I
ZK
Z
ZK
@I
ZK
V
R
Z
ZT
@I
ZT
I
R
VZ @ L
ZT
mA
伏
欧
mA
欧
μAMAX
伏
T
A
= 25 ° C，V
F
1.5V我
F
= 200mA的电流
TYPE
最高可
直流稳压
当前
mA
包
尺寸
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.8
0.68
0.65
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
700
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
150
75
50
25
10
5
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
0.25
5
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.6
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
152
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
Φ
0.5 ± 0.1
Φ
1.8 ± 0.2
DO-35
(mm)
指定公差
所示类型的数字有宽容名称如下：
1N957B Senies ： V
Z
± 5 ％ ，C为V
Z
±2%
NOTE1.TOLERANCE和电压DESIGNATION
1N957B
B
±5%, C
±2%
29 ± 1
3.8 ± 0.2
29 ± 1
5B–1/1
QQ：2881677436 复制
