齐纳二极管1N957B - 1N991B
齐纳二极管
1N957B - 1N991B
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
V
Z
（伏）
设备
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
分钟。
6.46
7.125
7.79
8.645
9.5
10.45
11.4
12.35
14.25
15.2
17.1
19
20.9
22.8
25.652
8.5
31.35
34.2
37.05
40.85
44.65
48.45
53.2
58.9
64.6
典型值。
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
T
A
= 25 ° C除非另有说明
（注1 ）
Z
Z
()
@ I
Z
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7.0
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
Z
Z
@ I
Z
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
1.0
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
马克斯。
7.14
7.875
8.61
9.555
10.5
11.55
12.6
13.65
15.75
16.8
18.9
21
23.1
25.2
28.35
31.5
34.65
37.8
40.95
45.15
49.35
53.55
58.8
65.1
71.4
Z
ZK
@ I
ZK
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
I
ZM
（MA ）
（注3）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
电气特性
（续）
V
Z
（伏）
设备
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
分钟。
71.25
77.9
86.45
95
104.5
114
123.5
142.5
152
171
典型值。
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
（注1 ）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
()
@ I
Z
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1.0
0.95
0.85
0.80
0.68
Z
Z
@ I
Z
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
（注2 ）
I
R
@ V
R
mA
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
A
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
伏
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114
121.6
136.8
马克斯。
78.75
86.1
95.55
105
115.5
126
136.5
157.5
168
189
Z
ZK
@ I
ZK
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
I
ZM
（MA ）
（注3）
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
）测量
额定齐纳电压测量中的铅温度的热平衡器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。在规定的限度是我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
与交流
频率= 60Hz的。
3.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N957B - 1N991B修订版E2
齐纳二极管1N957B - 1N991B
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
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商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
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