1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
100
200
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
特征
功耗
热阻，结到环境
最大
1N / FDLL 914 / A / B / 4448分之4148
500
300
单位
mW
° C / W
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148 ，版本B
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
（续）
电气特性
符号
V
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
1N914B/4448
1N916B
1N914/916/4148
1N914A/916A
1N916B
1N914B/4448
测试条件
I
R
= 100
A
I
R
= 5.0
A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 75 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时， V
R
= 6.0 V（ 60毫安）
I
rr
= 1.0毫安，R
L
= 100
民
100
75
620
630
最大
单位
V
V
mV
mV
V
V
V
V
nA
A
A
pF
pF
ns
I
R
反向电流
720
730
1.0
1.0
1.0
1.0
25
50
5.0
2.0
4.0
4.0
C
T
总电容
1N916A/B/4448
1N914A/B/4148
反向恢复时间
t
rr
典型特征
160
TA = 25℃
o
120
T A = 25℃
o
反向电压， V
R
[V]
150
反向电流，I
R
[ nA的]
100
80
140
60
130
40
120
20
110
1
2
3
5
10
20
30
50
100
0
10
EVERSE V压。 V
R
[V]
20
30
50
70
100
反向电流，I
R
[UA ]
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
图1.反向电压VS反向电流
BV - 1.0到100微安
图2.反向电流与反向电压
IR - 10至100 V
550
750
TA = 25℃
o
TA = 25℃
o
正向电压，V
R
[毫伏]
450
正向电压， V [毫伏]
F
500
700
650
400
600
350
550
300
500
250
450
1
2
3
5
10
20
30
50
100
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
正向电流I
F
[UA ]
正向电流I
F
[M A]
图3.正向电压随正向电流
VF - 1100微安
图4.正向电压随正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
（续）
典型特征
（续）
1.6
900
TA = 25℃
o
正向电压，V
F
[毫伏]
800
典型
TA = -40℃
o
正向电压，V
F
[毫伏]
1.4
700
1.2
600
TA = 25℃
o
1.0
500
TA = 65
o
400
0.8
300
0.6
10
20
30
50
100
200
300
500
800
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
正向电流I
F
[马]
正向电流I
F
[马]
图5.正向电压随正向电流
VF - 10至800毫安
图6.正向电压
VS环境温度
VF - 0.01 - 20毫安（ -40至+65摄氏度）
4.0
0.90
反向恢复时间，T
rr
[ NS ]
T
A
= 25 C
o
TA = 25℃
o
3.5
总电容（ pF）的
0.85
3.0
2.5
0.80
2.0
1.5
0.75
0
2
4
6
8
10
12
14
1.0
10
20
30
40
50
60
反向电压（ V）
反向恢复电流，I
rr
[马]
IF = 10毫安 - IRR = 1.0毫安 - RLOOP = 100欧姆
图7.总电容
图8.反向恢复时间与
反向恢复电流
500
500
400
功耗， P [毫瓦]
D
400
DO-35
电流（mA ）
300
300
200
I
F（一
V)
- 一个VE
相关抗原
SOT-23
e重新
CT
200
IF例如，d
C-UR
RE
100
T-M
A
100
0
0
50
100
o
150
0
0
50
100
150
o
200
环境温度（ ℃）
温[C]
图9.平均整流电流（I
F（ AV ）
)
与环境温度（T
A
)
图10.功率降额曲线
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
UHC
SMART START
UltraFET
SPM
VCX
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师H5
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
2007年1月
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
LL- 34色带标记
设备
1ST 2ND BAND BAND
FDLL914
黑
棕色
FDLL914A
黑
灰
FDLL914B
棕色
黑
FDLL916
黑
红
FDLL916A
黑
白
FDLL916B
棕色
棕色
FDLL4148
黑
棕色
FDLL4448
棕色
黑
第-1频带为负极端子
并拥有更宽的宽度
LL-34
DO-35
阴极表示有黑带
伸缩缝的放置
HAS没有关系的位置
阴极端子
绝对最大额定值*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
V
RRM
I
O
I
F
i
f
I
FSM
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结点彩画
价值
100
200
300
400
1.0
4.0
-65到+
175
-65到+
175
单位
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于200度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
马克斯。
1N / FDLL 914 / A / B / 4448分之4148
500
300
单位
mW
° C / W
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
电气特性*
符号
V
R
V
F
击穿电压
正向电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
I
R
= 100A
I
R
= 5.0A
分钟。
100
75
620
630
马克斯。
单位
V
V
1N914B/4448
1N916B
1N914/916/4148
1N914A/916A
1N916B
1N914B/4448
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 100毫安
V
R
= 20V
V
R
= 20V ，T
A
= 150°C
V
R
= 75V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= 10毫安，V
R
= 6.0V （ 600毫安）
I
rr
= 1.0毫安，R
L
= 100
720
730
1.0
1.0
1.0
1.0
25
50
5.0
2.0
4.0
4.0
mV
mV
V
V
V
V
nA
A
A
pF
pF
ns
I
R
反向漏
C
T
总电容
1N916A/B/4448
1N914A/B/4148
反向恢复时间
t
rr
*非经常性方波PW = 8.3ms的
典型特征
160
120
TA = 25℃
o
TA = 25℃
[ nA的]
100
o
R
[V]
150
R
反向电压， V
80
反向电流，I
1
2
3
5
10
20
30
50
100
140
60
130
40
120
20
110
0
10
反向电流，I
R
[UA ]
反向电压， V
R
[V]
20
30
50
70
100
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
图1.反向电压VS反向电流
BV - 1.0 100μA
图2.反向电流与反向电压
IR - 10 100V
550
750
TA = 25℃
o
TA = 25℃
o
[毫伏]
R
450
正向电压，V
正向电压，V
400
350
300
250
F
[毫伏]
500
700
650
600
550
500
450
1
2
3
5
10
20
30
50
100
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
正向电流I
F
[UA ]
正向电流I
F
[马]
图3.正向电压随正向电流
VF - 1至100μA
图4.正向电压随正向电流
VF - 0.1至10mA
2
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
典型特征
1.6
（续）
900
TA = 25℃
o
正向电压，V
F
[毫伏]
[毫伏]
800
典型
TA = -40℃
o
1.4
1.2
正向电压，V
F
700
600
TA = 25℃
o
1.0
500
TA = 65
o
0.8
400
300
0.6
10
20
30
50
100
200
300
500
800
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
正向电流I
F
[马]
正向电流I
F
[马]
图5.正向电压随正向电流
VF - 10 800mA的
图6.正向电压随环境温度
VF - 0.01 - 20毫安（ - 40 + 65 ° C）
0.90
4.0
T
A
= 25 C
[ NS ]
o
TA = 25℃
3.5
o
总电容（ pF）的
反向恢复时间，T
0.85
0.80
0.75
0
2
4
6
8
10
12
14
rr
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
10
20
30
40
50
60
反向电压（ V）
反向恢复电流，I
rr
[马]
IF = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RLOOP = 100欧姆
图7.总电容
图8.反向恢复时间与
反向恢复电流
500
500
400
功耗，P
D
[毫瓦]
400
DO-35
电流（mA ）
300
300
200
100
I
F（一
-
V)
AV
ERAG
e重新
CTIF
IED
urre
NT -
mA
SOT-23
200
100
0
0
50
100
o
0
150
0
50
100
150
o
200
环境温度（ ℃）
温[C]
图9.平均整流电流（I
F（ AV ）
)
VS的环境温度（T
A
)
图10.功率降额曲线
3
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I22
4
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
价值
100
200
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
特征
功耗
热阻，结到环境
最大
1N / FDLL 914 / A / B / 4448分之4148
500
300
单位
mW
° C / W
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148 ，版本B
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
（续）
电气特性
符号
V
R
V
F
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
击穿电压
正向电压
1N914B/4448
1N916B
1N914/916/4148
1N914A/916A
1N916B
1N914B/4448
测试条件
I
R
= 100
A
I
R
= 5.0
A
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 20毫安
I
F
= 100毫安
V
R
= 20 V
V
R
= 20 V ，T
A
= 150°C
V
R
= 75 V
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
V
R
= 0中，f = 1.0兆赫
I
F
= 10 mA时， V
R
= 6.0 V（ 60毫安）
I
rr
= 1.0毫安，R
L
= 100
民
100
75
620
630
最大
单位
V
V
mV
mV
V
V
V
V
nA
A
A
pF
pF
ns
I
R
反向电流
720
730
1.0
1.0
1.0
1.0
25
50
5.0
2.0
4.0
4.0
C
T
总电容
1N916A/B/4448
1N914A/B/4148
反向恢复时间
t
rr
典型特征
160
TA = 25℃
o
120
T A = 25℃
o
反向电压， V
R
[V]
150
反向电流，I
R
[ nA的]
100
80
140
60
130
40
120
20
110
1
2
3
5
10
20
30
50
100
0
10
EVERSE V压。 V
R
[V]
20
30
50
70
100
反向电流，I
R
[UA ]
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
图1.反向电压VS反向电流
BV - 1.0到100微安
图2.反向电流与反向电压
IR - 10至100 V
550
750
TA = 25℃
o
TA = 25℃
o
正向电压，V
R
[毫伏]
450
正向电压， V [毫伏]
F
500
700
650
400
600
350
550
300
500
250
450
1
2
3
5
10
20
30
50
100
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
正向电流I
F
[UA ]
正向电流I
F
[M A]
图3.正向电压随正向电流
VF - 1100微安
图4.正向电压随正向电流
音频 - 0.1 10 mA的
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
（续）
典型特征
（续）
1.6
900
TA = 25℃
o
正向电压，V
F
[毫伏]
800
典型
TA = -40℃
o
正向电压，V
F
[毫伏]
1.4
700
1.2
600
TA = 25℃
o
1.0
500
TA = 65
o
400
0.8
300
0.6
10
20
30
50
100
200
300
500
800
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
正向电流I
F
[马]
正向电流I
F
[马]
图5.正向电压随正向电流
VF - 10至800毫安
图6.正向电压
VS环境温度
VF - 0.01 - 20毫安（ -40至+65摄氏度）
4.0
0.90
反向恢复时间，T
rr
[ NS ]
T
A
= 25 C
o
TA = 25℃
o
3.5
总电容（ pF）的
0.85
3.0
2.5
0.80
2.0
1.5
0.75
0
2
4
6
8
10
12
14
1.0
10
20
30
40
50
60
反向电压（ V）
反向恢复电流，I
rr
[马]
IF = 10毫安 - IRR = 1.0毫安 - RLOOP = 100欧姆
图7.总电容
图8.反向恢复时间与
反向恢复电流
500
500
400
功耗， P [毫瓦]
D
400
DO-35
电流（mA ）
300
300
200
I
F（一
V)
- 一个VE
相关抗原
SOT-23
e重新
CT
200
IF例如，d
C-UR
RE
100
T-M
A
100
0
0
50
100
o
150
0
0
50
100
150
o
200
环境温度（ ℃）
温[C]
图9.平均整流电流（I
F（ AV ）
)
与环境温度（T
A
)
图10.功率降额曲线
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
UHC
SMART START
UltraFET
SPM
VCX
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
牧师H5
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
2007年1月
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148
小信号二极管
LL- 34色带标记
设备
1ST 2ND BAND BAND
FDLL914
黑
棕色
FDLL914A
黑
灰
FDLL914B
棕色
黑
FDLL916
黑
红
FDLL916A
黑
白
FDLL916B
棕色
棕色
FDLL4148
黑
棕色
FDLL4448
棕色
黑
第-1频带为负极端子
并拥有更宽的宽度
LL-34
DO-35
阴极表示有黑带
伸缩缝的放置
HAS没有关系的位置
阴极端子
绝对最大额定值*
中T = 25 ° C除非另有说明
a
符号
V
RRM
I
O
I
F
i
f
I
FSM
参数
最高重复反向电压
平均正向电流整流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
非重复峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结点彩画
价值
100
200
300
400
1.0
4.0
-65到+
175
-65到+
175
单位
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
注意事项：
1 ）这些评级是基于200度C的最高结温
2 ）这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻，结到环境
参数
马克斯。
1N / FDLL 914 / A / B / 4448分之4148
500
300
单位
mW
° C / W
2007仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
电气特性*
符号
V
R
V
F
击穿电压
正向电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
I
R
= 100A
I
R
= 5.0A
分钟。
100
75
620
630
马克斯。
单位
V
V
1N914B/4448
1N916B
1N914/916/4148
1N914A/916A
1N916B
1N914B/4448
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 5.0毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 100毫安
V
R
= 20V
V
R
= 20V ，T
A
= 150°C
V
R
= 75V
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
R
= 0 ， F = 1.0MHz的
I
F
= 10毫安，V
R
= 6.0V （ 600毫安）
I
rr
= 1.0毫安，R
L
= 100
720
730
1.0
1.0
1.0
1.0
25
50
5.0
2.0
4.0
4.0
mV
mV
V
V
V
V
nA
A
A
pF
pF
ns
I
R
反向漏
C
T
总电容
1N916A/B/4448
1N914A/B/4148
反向恢复时间
t
rr
*非经常性方波PW = 8.3ms的
典型特征
160
120
TA = 25℃
o
TA = 25℃
[ nA的]
100
o
R
[V]
150
R
反向电压， V
80
反向电流，I
1
2
3
5
10
20
30
50
100
140
60
130
40
120
20
110
0
10
反向电流，I
R
[UA ]
反向电压， V
R
[V]
20
30
50
70
100
一般规则：一个二极管的反向电流约
双每十（ 10 ）摄氏度的温度上升
图1.反向电压VS反向电流
BV - 1.0 100μA
图2.反向电流与反向电压
IR - 10 100V
550
750
TA = 25℃
o
TA = 25℃
o
[毫伏]
R
450
正向电压，V
正向电压，V
400
350
300
250
F
[毫伏]
500
700
650
600
550
500
450
1
2
3
5
10
20
30
50
100
0.1
0.2
0.3
0.5
1
2
3
5
10
正向电流I
F
[UA ]
正向电流I
F
[马]
图3.正向电压随正向电流
VF - 1至100μA
图4.正向电压随正向电流
VF - 0.1至10mA
2
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
典型特征
1.6
（续）
900
TA = 25℃
o
正向电压，V
F
[毫伏]
[毫伏]
800
典型
TA = -40℃
o
1.4
1.2
正向电压，V
F
700
600
TA = 25℃
o
1.0
500
TA = 65
o
0.8
400
300
0.6
10
20
30
50
100
200
300
500
800
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
正向电流I
F
[马]
正向电流I
F
[马]
图5.正向电压随正向电流
VF - 10 800mA的
图6.正向电压随环境温度
VF - 0.01 - 20毫安（ - 40 + 65 ° C）
0.90
4.0
T
A
= 25 C
[ NS ]
o
TA = 25℃
3.5
o
总电容（ pF）的
反向恢复时间，T
0.85
0.80
0.75
0
2
4
6
8
10
12
14
rr
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
10
20
30
40
50
60
反向电压（ V）
反向恢复电流，I
rr
[马]
IF = 10毫安， IRR = 1.0毫安， RLOOP = 100欧姆
图7.总电容
图8.反向恢复时间与
反向恢复电流
500
500
400
功耗，P
D
[毫瓦]
400
DO-35
电流（mA ）
300
300
200
100
I
F（一
-
V)
AV
ERAG
e重新
CTIF
IED
urre
NT -
mA
SOT-23
200
100
0
0
50
100
o
0
150
0
50
100
150
o
200
环境温度（ ℃）
温[C]
图9.平均整流电流（I
F（ AV ）
)
VS的环境温度（T
A
)
图10.功率降额曲线
3
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
www.fairchildsemi.com
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148小信号二极管
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
ScalarPump
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
中医
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyPWM
TinyPower
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
的UniFET
VCX
电线
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利
提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担因应用或使用任何责任
任何产品或电路此处所述，它也没有传达任何许可根据其专利权，也不是
他人的权利。这些规格不扩大飞兆半导体的全球条款和条件条款的，特殊
CIFICALLY所述的保修涵盖这些产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或系统的关键组件，但不
飞兆半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统设备或其中， （一）是系统
打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持生命，或
（三）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统的任何部件
其不履行可以合理预期造成的故障
生命支持设备或系统的，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I22
4
1N / FDLL 914 / A / B / 916 / A / B / 4448分之4148牧师B2
www.fairchildsemi.com
QQ：2881677436 复制
