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分立半导体
数据表
M3D176
1N914
高速二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据9月3日
1999年5月26日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
特点
密封铅玻璃
SOD27 (DO- 35)包
高开关速度:最大。 4纳秒
连续反向电压:
最大。 75 V
反向重复峰值电压:
最大。 100 V
重复峰值正向电流:
最大。 225毫安。
该二极管是类型品牌。
手册, halfpage
k
1N914
描述
该1N914是一个高速开关二极管编造平面技术,并
封装在一个密闭的含铅玻璃SOD27 (DO- 35)的包。
a
MAM246
应用
高速开关。
Fig.1简化外形( SOD27 ; DO -35)和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复峰值正向电流
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
T = 1毫秒
t=1s
P
合计
T
英镑
T
j
1.装置安装在一FR4印刷电路板;铅长度为10毫米。
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
65
4
1
0.5
250
+200
175
A
A
A
mW
°C
°C
见图2 ;注1
条件
分钟。
马克斯。
100
75
75
225
V
V
mA
mA
单位
1999年5月26日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
见图5
V
R
= 20 V
V
R
= 75 V
V
R
= 20V;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 10毫安;
L
= 100
;
在测
I
R
= 1毫安;见图7
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 60毫安;
L
= 100
;
在测
I
R
= 1毫安;见图7
V
fr
正向恢复电压
从我开机时,
F
= 50毫安;吨
r
= 20纳秒;
参见图8
25
5
50
4
8
条件
I
F
= 10毫安;见图3
1
马克斯。
1N914
单位
V
nA
A
A
pF
ns
4
ns
2.5
V
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在印刷电路板上无金属化焊盘。
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
条件
引线长度10毫米
铅长度为10毫米;注1
价值
240
500
单位
K / W
K / W
1999年5月26日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
图形数据
1N914
100
MGD289
手册, halfpage
600
MBG464
IF
(MA )
IF
(MA )
400
(1)
(2)
(3)
50
200
0
0
100
牛逼AMB ( C)
o
200
0
0
(1) T
j
= 175
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
1
VF ( V)
2
设备安装在一FR4印刷电路板;铅长度为10毫米。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册,全页宽
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP (微秒)
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1999年5月26日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
1N914
10
3
手册, halfpage
IR
(A)
MGD006
MGD004
手册, halfpage
1.2
10
2
Cd
(PF )
1.0
(1)
(2)
(3)
10
0.8
1
10
1
0.6
10
2
0
100
TJ ( C)
o
200
0.4
0
10
VR ( V)
20
(1) V
R
= 75 V ;最大值。
(2) V
R
= 75 V ;典型值。
(3) V
R
= 20V;典型值。
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.5
反向电流交界处的函数
温度。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年5月26日
5
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