1N746A - 1N759A系列
分立功率&信号
技术
1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
TA = 25° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
价值
-65到+200
+ 175
+ 230
500
3.33
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO-35
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Z
Z
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
R1
(A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
@
T
A
=150°C
(A)
(V)
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
I
R2
V
R
T
C
(%/°C)
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
I
ZM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
*
如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为
在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
1N746A - 1N759A系列
分立功率&信号
技术
N
1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
TA = 25° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
价值
-65到+200
+ 175
+ 230
500
3.33
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO-35
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
Z
Z
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
( A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
@
T
A
=150° C
°
( A)
(V)
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
I
R2
V
R
°
(%/° C)
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
T
C
I
ZM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
*
如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为
在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
日前，Vishay
1N746A到1N759A
威世半导体
齐纳二极管
\
特点
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容限是"A" ± 5 ％
后缀。
94 9367
机械数据
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 130毫克
包装代码/选项：
每13 "卷轴TR / 10K ， 30K /箱
每弹药带（52毫米磁带） ， 30K /盒TAP / 10K
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
T
AMB
= 75 °C
符号
P
合计
价值
500
1)
单位
W
T
L
被测量，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
S
价值
300
1)
单位
° C / W
°C
°C
175
- 65 + 175
有效的提供，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
www.vishay.com
1
1N746A到1N759A
威世半导体
电气特性
1N746A到1N759A
部分号码
额定齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT 3 ）
V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
1)
日前，Vishay
测试电流
最大
动态
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT 1 ）
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大
调节器
当前
I
ZM2)
mA
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
最大反向漏电流
(I
R
@ V
R
= 1V)
T
AMB
= 25 °C
A
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
AMB
= 150 °C
A
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（I
ZT
）被叠加在我
ZT
.Zener阻抗的测量是在两个点，以确保锋利膝盖击穿曲线上
和消除不稳定的单元。
2)
有效的提供，导致在从情况下的距离的3/8 "被保持在环境温度。
在热平衡器件结。
3)
测
包装尺寸（mm）
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9366
0.55
马克斯。
1.7
马克斯。
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
重最大。 0.3克
26分钟。
3.9最大。
26分钟。
www.vishay.com
2
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1N746A到1N759A
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
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3
齐纳二极管1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A
齐纳二极管
1N4370A - 1N4372A
1N746A - 1N759A
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
分钟。
2.28
2.57
2.85
3.14
3.42
3.71
4.09
4.47
4.85
5.32
5.89
6.46
7.13
7.79
8.65
9.50
11.40
典型值。
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
T
A
= 25 ° C除非另有说明
V
Z
（ V） @我
Z
= 20mA下
（注1 ）
马克斯。
2.52
2.84
3.15
3.47
3.78
4.10
4.52
4.94
5.36
5.88
6.51
7.14
7.88
8.61
9.56
10.5
12.6
Z
Z
() @ I
Z
= 20mA下
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
I
R
（ μA ） @ V
R
= 1V
TA = 25°C
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TA = 125°C
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
V
F
正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 200毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A ，牧师C1
齐纳二极管1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A
顶标信息
设备
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
1号线
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
2号线
437
437
437
746
747
748
749
750
751
752
753
754
755
756
757
758
759
LINE 3
0A
1A
2A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
5号线
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
2004仙童半导体公司
1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A ，牧师C1
齐纳二极管1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
1N4370A - 1N4372A 1N746A - 1N759A ，牧师C1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
1N746A - 1 THRU 1N759-1 AVAILABLE IN
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
1N4370A - 1 THRU 1N4372A - 1适用车型
JAN ， JANTX
和
JANTXV
每MIL -PRF- 127分之19500
双封堵施工
冶金结合
1N746
THRU
1N759A
和
1N746A-1
THRU
1N759A-1
和
1N4370
THRU
1N4372A
和
1N4370A-1
THRU
1N4372A-1
最大额定值
工作温度： -65 ° C到+ 175℃
存储温度： -65 °C至+ 175℃
DC功耗： 500毫瓦@ + 50°C
功率降额： 4毫瓦/ ° C以上+ 50°C
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特最大
电气特性@ 25°C
JEDEC
TYPE
数
（注1 ）
公称
齐纳
电压
VZ @ 1ZT
（注2 ）
伏
1N4370A
1N4371A
1N4372A
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
齐纳
TEST
当前
1ZT
最大
齐纳
阻抗
（注3）
ZZT @ 1ZT
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
A
最大
反向电流
IR @ VR
最大
齐纳
当前
1
ZM
伏
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.5
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
mA
155
140
125
120
110
100
90
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
100
60
30
5
3
2
2
5
5
5
5
2
2
1
1
1
1
图1
设计数据
案例：
密封的玻璃
情况。 DO - 35的轮廓。
导线材料：
铜包钢。
铅表面处理：
锡/铅
热阻（R
OJEC ） ：
250℃ / W最大为L = .375英寸
热阻抗： （Z
OJX ） ： 35
C / W最高
注1
注2
注3
在"A"后缀齐纳电压容差为±5％ 。无后缀表示+ 10 ％容差，
"C"后缀表示+ 2 ％ tollerance和"D"后缀表示+ 1 ％的容差。
齐纳电压是在环境测量在热平衡的器件结
温度为25℃ + 3 ℃。
齐纳阻抗叠加上1ZT 60Hz的交流电有效值衍生电流等于
到1ZT 10％
极性：
二极管与操作
带状（阴极）端阳性。
安装位置：
任。
COREY街22号， MELROSE ，马萨诸塞州02176
电话：（781 ） 665-1071
传真：（781 ） 665-7379
网站： http://www.cdi-diodes.com
电子信箱： mail@cdi-diodes.com
新产品
新产品
新产品
1N746 THRU 1N759
齐纳二极管
特点
DO-35
硅平面功率齐纳二极管
标准的齐纳电压容差为± 5 ％
“A”后缀。其它公差可根据
请求。
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
最大。 0.150 （3.8）
马克斯。
.079 (2.0)
阴极
标志
分钟。 1.083 （ 27.5 ）
马克斯。
.020 (0.52)
机械数据
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 0.13克
尺寸单位：英寸（毫米）
最大额定值
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
符号
价值
单位
齐纳电流（见表“特性” ）
在T功耗
L
= 75°C
最高结温
存储温度范围
注意事项：
P
合计
T
j
T
S
500
(1)
175
- 65 +175
mW
°C
°C
(1) T
L
自体测3/8“ 。
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热阻
结到环境空气
正向电压
在我
F
= 200毫安
注意事项：
R
thJA
–
–
300
(1)
° C / W
V
F
–
–
1.5
伏
（1）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
1/6/98
1N746 THRU 1N759
电气特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
TYPE
数
公称
齐纳电压
V
Z
@ I
ZT
(3)
（伏）
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
最大齐纳阻抗
Z
ZT
@ I
ZT
(1)
()
最大
稳压器电流
I
ZM
(2)
（MA ）
最大反向漏电流
T
A
= 25°C
I
R
@ V
R
= 1V
(A)
T
A
= 150°C
I
R
@ V
R
= 1V
(A)
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
注意事项：
（1）齐纳阻抗是从1 KH源性
Z
交流电压的RMS值等于该齐纳电流的10％ （Ⅰ的交流电流时，其导致
ZT
）是
叠加在我
ZT
。齐纳阻抗的测量是在两个点，以保证击穿曲线上的尖锐膝盖和消除不稳定的单元。
（2）有效的规定，导致在从情况下的距离的3/8“被保持在环境温度。
（ 3 ）测量与热平衡器件结。
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
描述
流行1N746通1N759A和1N4370直通1N4372A系列0.5
瓦齐纳稳压器提供了从2.4到12伏特的选择
标准的5 ％或10％的公差，以及确定了更严格的公差
不同的后缀字母上的零件号。这些玻璃轴向引线DO -35
齐纳二极管也可提供由内部冶金，债券期权
添加一个“-1”的后缀。这些也可以一月， JANTX ，并JANTXV
军事资格。
Microsemi的还提供了许多其他稳压
产品，满足更高和更低的功率应用。
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
外形
WWW .
Microsemi的
.C
OM
DO-35
(DO-204AH)
特点
JEDEC注册的直通1N759A和1N4370 1N746
直通1N4372A系列
可通过增加内部的冶金结合选项
一个“-1”的后缀
一月， JANTX ，并JANTXV也可
每MIL -PRF- 127分之19500资格加入的
JAN ， JANTX ，或JANTXV前缀部件号
筛选所需的水平，以及-1“后缀; （例如
JANTX1N751A -1， JANTXV1N758C -1等）的
也可在军事表面贴装当量
DO- 213AA通过除加入UR- 1的后缀
JAN ， JANTX ，并JANTXV前缀;例如
JANTX1N962BUR - 1 （参见单独的数据表）
商用表面贴装当量可作为
MLL746到MLL759A和MLL4370到MLL4372A
包括“ -1 ”后缀中的DO- 213AA MELF风格
包（咨询工厂等）
DO- 7的玻璃体轴向引线齐纳同等学力
也可用
应用/优势
调节电压在很宽的工作
电流和温度范围
选择从2.4至12 V
标准电压容差的正/负5 ％
带有后缀的身份证明和10 ％ ，无后缀
可在正负2 ％的容差
或1％的分别是C或D后缀
灵活的轴向引线安装端子
不敏感每MIL -STD -750方法ESD
1020
最小电容（参见图3）
硬如Microsemi的描述本质辐射
MicroNote 050
最大额定值
操作和储存温度： -65
C至+175
C
热电阻： 250
C / W交界处领导在3/8
（10毫米）的车身引线长度，或310
C / W结到
周围安装在FR4印刷电路板时（ 1盎司铜）
为4 mm
2
铜焊盘和轨道宽度为1毫米，长
25 mm
稳定状态功率： 0.5瓦特在T
L
＆ LT ; 50
o
3/8英寸
从主体（10毫米）或在T 0.48 W
A
＆ LT ; 25
C下
安装在FR4印刷电路板所描述的热
上方阻力（参见图1 ）
正向电压@ 200毫安： 1.1伏特
焊接温度： 260
下进行10秒（最大）
机械及包装
案例：全密封轴向引线玻璃
DO- 35 （DO- 204AH ）包
终端：信息，锡铅镀焊每
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：负极由乐队表示。二极管
可与带状端与正操作
相对于相对的端部为齐纳调节
标记：部件号
TAPE & REEL选项：按标准EIA- 296 （加
“ TR ”后缀的部件号）
重量： 0.2克
请参阅最后一页的封装尺寸
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第1页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
电气特性* @ 25
o
C
JEDEC
型号
(NOTE1)
1N4370
1N4371
1N4372
1N746
1N747
1N748
1N749
1N750
1N751
1N752
1N753
1N754
1N755
1N756
1N757
1N758
1N759
公称
齐纳
电压
V
Z
@
I
ZT
（注2 ）
伏
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
12.0
齐纳
TEST
当前
最大
齐纳
阻抗
Z
ZT
@
I
ZT
（注3）
欧
30
30
29
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大反向
电流I
R
@ V
R
= 1 VOLT
@25C
A
100
75
50
10
10
10
2
2
1
1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
.1
@+150C
A
200
150
100
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
最大
齐纳
当前
（注4 ）
mA
150
135
120
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
典型
TEMP COEFF 。
齐纳二极管
电压
α
VZ
o
%/ C
-.085
-.080
-.075
-.066
-.058
-.046
-.033
-.015
+/-.010
+.030
+.049
+.053
+.057
+.060
+.061
+.062
+.062
WWW .
Microsemi的
.C
OM
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZM
* JEDEC注册资料
注1 ：
上显示JEDEC类型的标准公差为+/- 10 ％ 。后缀字母A表示±5 ％的容差;后缀
字母C表示+/- 2 ％ ;而后缀字母D表示+/- 1 ％的容差。
注2 ：
电压测量应用的直流测试电流后进行20秒。
注3 ：
通过叠加上衍生齐纳阻抗
I
ZT
， 60厘泊，有效值交流电流等于10 ％
I
ZT
（ 2毫安AC） 。见MicroNote 202
典型的齐纳二极管的阻抗变化与不同的工作电流。
注4 ：
津贴已取得的增加
V
Z
由于到Z
Z
并且对于增加结温为单位接近
以400mW的功率耗散的热平衡。
图的
额定功耗 - 毫瓦
温度系数毫伏/ C
温度系数％ / C
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
o
T
L
- 引线温度（ C） 3/8“从主体或
T
A
在FR4 PC板
o
额定齐纳电压（伏）
图1
功率降额曲线
图2
齐纳电压温度
系数与齐纳电压
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第2页
1N746通1N759A ， -1，
1N4370直通1N4372A ， -1 DO- 35
硅500 mW的稳压二极管
斯科茨代尔区划
包装尺寸
WWW .
Microsemi的
.C
OM
INCH ：在所有尺寸
mm
科幻gure 3
电容与齐纳电压
（典型值）
1N746 -759A
1N4370 - 4372A （DO- 35）的
版权
2003
2003年10月31日REV B
Microsemi的
斯科茨代尔区划
8700 E.托马斯路。邮政信箱1390 ，斯科茨代尔，AZ 85252 USA ， （ 480 ） 941-6300 ，传真： （ 480 ） 947-1503
第3页
日前，Vishay
1N746A到1N759A
威世半导体
齐纳二极管
\
特点
硅平面功率齐纳二极管。
标准齐纳电压容限是"A" ± 5 ％
后缀。
94 9367
机械数据
案例：
DO- 35玻璃柜
重量：
约。 130毫克
包装代码/选项：
每13 "卷轴TR / 10K ， 30K /箱
每弹药带（52毫米磁带） ， 30K /盒TAP / 10K
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
齐纳电流（见表"Characteristics" ）
功耗
1)
测试条件
T
AMB
= 75 °C
符号
P
合计
价值
500
1)
单位
W
T
L
被测量，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
最大热阻
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
最高结温
存储温度范围
1)
测试条件
符号
R
θJA
T
j
T
S
价值
300
1)
单位
° C / W
°C
°C
175
- 65 + 175
有效的提供，导致在3/8 "从壳体的距离被保持在环境温度下
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
www.vishay.com
1
1N746A到1N759A
威世半导体
电气特性
1N746A到1N759A
部分号码
额定齐纳
电压
V
Z
@ I
ZT 3 ）
V
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
1)
日前，Vishay
测试电流
最大
动态
阻抗
Z
ZT
@ I
ZT 1 ）
28
24
23
22
19
17
11
7
5
6
8
10
17
30
最大
调节器
当前
I
ZM2)
mA
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
最大反向漏电流
(I
R
@ V
R
= 1V)
T
AMB
= 25 °C
A
10
10
10
2
2
1
1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
T
AMB
= 150 °C
A
30
30
30
30
30
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
ZT
mA
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
齐纳阻抗是从1千赫兹的交流电压具有的RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自
齐纳电流（I
ZT
）被叠加在我
ZT
.Zener阻抗的测量是在两个点，以确保锋利膝盖击穿曲线上
和消除不稳定的单元。
2)
有效的提供，导致在从情况下的距离的3/8 "被保持在环境温度。
在热平衡器件结。
3)
测
包装尺寸（mm）
阴极鉴定
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
94 9366
0.55
马克斯。
1.7
马克斯。
标准玻璃柜
54 A 2 DIN 41880
JEDEC DO 35
重最大。 0.3克
26分钟。
3.9最大。
26分钟。
www.vishay.com
2
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1N746A到1N759A
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85756
第2版， 04 -APR- 03
www.vishay.com
3
1N746A - 1N759A系列
分立功率&信号
技术
1N746A - 1N759A系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
TA = 25° C除非另有说明
公差： A = 5 ％
价值
-65到+200
+ 175
+ 230
500
3.33
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO-35
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
电气特性
设备
1N746A
1N747A
1N748A
1N749A
1N750A
1N751A
1N752A
1N753A
1N754A
1N755A
1N756A
1N757A
1N758A
1N759A
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
12
Z
Z
()
28
24
23
22
19
17
11
7.0
5.0
6.0
8.0
10
17
30
@
I
ZT
（MA ）
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
I
R1
(A)
10
10
10
2.0
2.0
1.0
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
@
T
A
=150°C
(A)
(V)
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
1.0
30
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
1.0
20
I
R2
V
R
T
C
(%/°C)
- 0.070
- 0.065
- 0.060
+/- 0.055
+/- 0.030
+/- 0.030
+ 0.038
+ 0.045
+ 0.050
+ 0.058
+ 0.062
+ 0.068
+ 0.075
+ 0.077
I
ZM
*
（MA ）
110
100
95
85
75
70
65
60
55
50
45
40
35
38
*
如图IZM （最大齐纳额定电流）值是基于对400毫瓦的JEDEC评级。在实际的齐纳电压（ VZ ）被称为
在工作点时，最大齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
1997仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2881677436 复制
